纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂

用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片 (10 0 )上制备Zn薄膜 ,然后对Zn薄膜进行氧化、热处理获得纳米ZnO薄膜。对在硅片上制备的Zn薄膜一次性进行高温掺杂、氧化获得纳米ZnO∶P和ZnO∶B薄膜。研究不同氧化、掺杂温度和时间对薄膜结构、电学性能的影响。结果表明 :氧化温度和时间对ZnO薄膜结构影响较大 ,液态源掺P可明显改善纳米ZnO薄膜的导电性能。

基于BBr3液态硼源的管式扩散设备研究与开发

针对在以BBr3为液态掺杂源的N型晶硅电池扩散工艺过程中,扩散温度高,反应中间产物B2O3为液态,流动性较气态反应物差,副产物黏性较大,腐蚀石英件等特点,在硼扩散设备研制中通过炉门及尾气排放的设计,实现炉口炉尾的高温密封,缓解炉门粘连;优化进出气方式和石英管内压力及气流场控制,提高扩散均匀性;在工艺中增加通水蒸汽功能步,优化反应过程,减少副产物对石英件的腐蚀,降低石英件损耗成本,提高了硼扩散设备的生产效率。为N型晶硅电池硼扩散工艺提供了设备基础。