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液态源磷扩散最佳工艺条件CAD模拟分析 被引量:1
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作者 张华曹 谷岳生 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1994年第3期50-53,共4页
研究了如何应用SUPREM软件程序,对液态源磷扩散工艺条件及扩散结果进行CAD模拟分析。文中重点研究了扩散系数的修正值Be,硅片表面汽相磷浓度n*的计算,并应用计算出的Be、n*值分析模拟了磷扩散后的结果。它表明与实... 研究了如何应用SUPREM软件程序,对液态源磷扩散工艺条件及扩散结果进行CAD模拟分析。文中重点研究了扩散系数的修正值Be,硅片表面汽相磷浓度n*的计算,并应用计算出的Be、n*值分析模拟了磷扩散后的结果。它表明与实验结果相一致,且重复性好。 展开更多
关键词 电力半导体 CAD模拟 液态源磷
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由氧化层厚度估算化学反应扩散掺杂量的研究 被引量:2
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作者 魏晋云 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期287-288,共2页
在化学反应扩散制备p/n结的过程中,伴随生成的SiO2薄膜的厚度与扩散进入硅中的掺杂量有确定的关系(QSi=cd),由此可由氧化层厚度简便地估算扩散掺杂量。
关键词 太阳能电池 氧化层 掺杂量 液态源磷扩散
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