液态源雾化化学沉积法制备(Pb,La)TiO_3薄膜

研究了在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上用液态源雾化化学沉积法制备镧钛酸铅 [(Pb ,La)TiO3,PLT]薄膜的工艺 ,并分析了各种因素对其相结构的影响。采用金属有机物热分解工艺的先体溶液 ,在沉积阶段 ,用超声波将先体溶液雾化 ,产生微米级的汽雾 ,由载气 (Ar)引入沉积室进行沉积 ,并在沉积室进行预热处理。重复上述过程 ,直到膜厚达到要求 ,再进行退火处理得到均匀、致密的薄膜。此工艺各项参数如下 :沉积前沉积室内气压为 4× 10 - 3Pa ;沉积时沉积室内气压为 8× 10 3～ 9× 10 3Pa ,沉积时基片温度为 2 0～ 2 5℃ ;预处理温度为 30 0℃ ;最佳热处理温度为 60 0℃ ;超声雾化器工作频率为 1.7MHz;薄膜沉积速率为 3nm/min。XRD和SEM图分析说明 。

LSMCD法制备梯度BST铁电薄膜的工艺研究

研究了利用液态源雾化化学沉积(LSMCD)法制备梯度钛酸锶钡(BST)薄膜的工艺。该方法既可以较精确的控制薄膜的化学计量比及掺杂浓度,又可采用控制超声雾化沉积的时间和次数来有效的控制膜厚及晶粒的大小。X-射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析表明:沉积8次,采用常规退火方式,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上能成功制备出具有钙钛矿结构的、晶粒粒径约80 nm、厚约850 nm的梯度BST薄膜。该BST梯度薄膜在常温下介电常数达526,介电损耗约为0.06,矫顽场强约为100 kV/cm,剩余极化强度约为10μC/cm2,饱和极化强度约为20μC/cm2,在各个领域都具有广阔的应用前景。

LSMCD法制备纳米(Pb,La)TiO_3薄膜

研究了利用液态源雾化化学沉积 (LSMCD)法制备纳米 (Pb ,La)TiO3 薄膜的工艺。XRD和SEM分析表明 :沉积 4次 ,采用RCA热处理 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si基板上成功制备出具有钙钛矿结构的、晶粒粒径约 6 0nm、厚度约 180nm的纳米颗粒PLT薄膜。该方法既可以较精确的控制薄膜的化学计量比及掺杂浓度 ,又可采用控制超声雾化沉积的时间和次数来有效的控制膜厚及晶粒的大小。该工艺的沉积速率约为 3nm/min。

铁电薄膜的制备方法

介绍了制备铁电薄膜的几种不同种类的方法。 L SMCD技术是一种新型的制备铁电薄膜的技术。采用超声雾化产生微米级或亚微米级尺寸的气雾 ,再用载气将气雾引入沉积室内 ,沉积在基片上。重复此过程直至膜厚达到所需厚度。