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LS-MOCVD的真空度测量及自动控制 被引量:1
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作者 高爱华 刘卫国 +1 位作者 周顺 张伟 《西安工业大学学报》 CAS 2008年第2期103-106,共4页
对液态源金属有机物化学气相沉积(Liquid Source-Metal Organic Chemical Vapor Deposition,LS-MOCVD)设备.文中主要研究了LS-MOCVD的反应室真空获取和控制的方法.整个设备的操作控制由PLC和触摸屏协作完成,用冷阴极电离全量程规... 对液态源金属有机物化学气相沉积(Liquid Source-Metal Organic Chemical Vapor Deposition,LS-MOCVD)设备.文中主要研究了LS-MOCVD的反应室真空获取和控制的方法.整个设备的操作控制由PLC和触摸屏协作完成,用冷阴极电离全量程规测量粗真空,用高精度薄膜规测量工艺过程中的真空,采用内置PID算法的智能蝶阀控制器构成高真空恒压测量控制回路,实现了LS-MOCVD反应室真空的自动测量控制,确保了工艺的稳定性.反应室真空测量范围为常压~8×10^-3Pa,测量精度0.2%,分辨率为满量程的0.0015%.解决了传统气态源MOCVD不同材料之间蒸汽压差大、难以控制及气态金属有机物难以获得的问题. 展开更多
关键词 液态源mocvd 真空测量控制 薄膜规 智能蝶阀控制器 PLC
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