畦灌撒施与液施硫酸铵地表水流和土壤中氮素时空分布特征

分析不同灌溉施肥方式下氮素时空分布特征可为改进畦灌施肥技术与方法提供科学依据。该研究基于冬小麦返青灌溉开展的不同入畦流量下撒施和液施硫酸铵时获得的畦灌试验观测结果,分析2种不同施肥方式下地表水流和土壤中氮素时空分布规律,讨论不同施肥方式下影响灌后土壤氮素空间分布均匀性的要素。结果表明,施肥方式对地表水流和土壤中氮素分布影响显著,入畦流量对其影响不显著。液施下地表水流中氮素时空分布差异不显著,撒施下具有明显时空变异性;液施能明显改善灌后土壤氮素空间分布均匀性,灌后1d1m土层内氮素空间变异系数为0.07,明显小于撒施。土壤氮素增量分布均匀性在液施下主要与灌水量分布有关,撒施下则与地表水流中氮素分布和灌水量分布有关。液施在提高施肥均匀性和减小灌溉期间肥的损失方面优于撒施,且更易于水肥联合管理。

畦灌条件下液施与撒施硫酸铵施肥性能评价

为了分析比较不同施肥方式下的畦灌施肥性能,该文取水溶后可直接形成不同形态氮素的硫酸铵为施用肥料,开展入畦流量为3和6L/(ms)下的化肥液施与撒施畦灌试验,基于田间实测数据计算了施氮分布均匀性、施氮储存率和施氮满足率指标值,分析了液施与撒施硫酸铵下畦灌施肥性能之间的差异。结果表明,畦灌液施与撒施在施氮分布均匀性、施氮存储率和施氮满足率等指标值上存在显著性差异,且前者比后者分别平均高出14.5、14.3和8.4个百分点,因此液施是较优畦灌施肥方式;对局部畦段,液施大流量与小流量下施氮分布均匀性差异显著,前者平均高出后者4.2个百分点,因此液施宜选择6L/(ms);撒施大流量与小流量下施氮分布均匀性、施氮存储率和施氮满足率间差异显著,对整体畦长而言,小流量施氮分布均匀性比大流量高出5.5个百分点,小流量施氮储存率和施氮满足率分别高出大流量5.3和3.2个百分点,因此撒施宜选择3L/(ms)。该结论为评价和优化畦灌施肥系统提供了科学依据。

畦灌不同液施模式下水氮空间分布特征

【目的】改善土壤水氮分布。【方法】基于夏玉米生长关键期灌溉施肥的试验结果,探究畦灌不同液施模式对土壤水氮空间分布状况及其变化趋势的影响。选取畦宽(1.5、2.3、3.2 m),施肥时机(灌溉到畦长的1/3、1/2施肥和全程施肥)和改水成数(85%、90%、95%)3个因素,每个因素3个水平,设置传统畦灌进行对照,采取正交设计选取最优水平组合,以形成适合作物生长发育的土壤水氮空间分布状况。【结果】畦宽对于土壤水分沿畦长分布的变异系数有显著影响,贡献率达94.36%;改水成数影响水分和氮素沿畦长分布均匀性(DUWH和DUNH、DUNQ),尤其对氮素沿畦长分布均匀性有显著影响,贡献率分别为23.9%、91.74%和71.26%;施肥时机仅对DUWH和DUNQ有显著影响,贡献率为56.09%和27.41%。【结论】液施条件下可以改善土壤水氮空间分布;畦宽为1.5 m、灌溉到畦长1/2时施肥,改水成数为95%的施肥方式可以形成较好的土壤水氮储存效率和水氮沿畦长分布均匀性。

垦研水稻液施壮秧剂施用效果试验

通过对液施壮秧剂的田间应用试验表明,液施壮秧剂对水稻安全、秧苗素质好,增产4.9%。

液态施肥机的设计与试验研究

为达到节约肥料,降低生产成本,保护环境的目的,基于液态肥在生产、使用和运输过程中无粉尘、无烟雾、减少环境污染、利用率高、作物吸收好等优点,设计了液态施肥机,并进行了田间试验,分析了试验结果。该机具设计合理,一机多用,具有结构紧凑、调整方便等特点。通过田间试验得出最佳的工作参数为施肥深度100～120mm、作业速度为0.7m/s和泵工作压力为0.2MPa。液态施肥机药液喷射均匀,覆盖性较好,对作物的机械损伤较小。各项检测指标均达到或超过该机的设计要求,满足农艺要求。

施液量、雾滴大小、叶片倾角及助剂对农药在稻叶上沉积的影响

固定农药剂量条件下,综合分析施液量、雾滴大小、叶片倾角及助剂对农药在水稻片上沉积的影响,为稻田的农药高效施用提供科学依据。以生物染料丽春红-G为示踪剂,采用自动行走式喷雾塔,配置3种TEEJET喷嘴TP80050、TP8002、TP8005进行细雾滴、中等雾滴及粗雾滴喷雾,分析农药在倾角为0°、15°、30°、45°、60°、75°、90°水稻叶片上的沉积量随施液量变化的规律。研究结果表明：施液量、雾滴大小、叶片倾角和助剂四个因素对农药的沉积都有显著影响,且影响效应叶片倾角〉施液量〉雾滴大小〉助剂。丽春红-G在稻叶上的最大沉积量随叶片倾角值θ的增大,呈减少趋势。对于细雾滴喷嘴TP80050,丽春红-G的沉积量先随施液量的增加而增加,达到最大值后继续增加施液量,沉积量减少。对中等雾滴喷嘴TP8002和粗雾滴喷嘴TP8005,施液量20~40 L时,丽春红-G沉积量即达到最大值,加大施液量则减少沉积量。不添加助剂,低施液量时丽春红-G沉积量TP8002〉TP8005〉TP80050;高施液量且叶片倾角θ〈45°时,TP80050沉积量最高;θ≥45°时,雾滴大小间无显著差异。添加助剂,低施液量时TP8002沉积量高,高施液量时TP80050沉积量高。施液量、雾滴大小、叶片倾角及助剂4个因素均能影响水稻叶片上的丽春红-G沉积,且存在互作效应。建议田间喷雾时,根据叶片形态、药液表面性质及喷嘴特性科学确定施液量及是否添加助剂。

喷雾器及施液量对水稻冠层农药雾滴沉积特性的影响

【目的】分析弥雾机和手动喷雾器在不同施液量条件下喷雾,农药雾滴在水稻冠层沉积分布特征,阐明农药剂量的沉积结构及空间分布对药剂防治效果的影响。【方法】以农药雾滴采集装置和水敏纸收集农药雾滴,通过DepositScan软件分析雾滴覆盖率和雾滴密度,并利用示踪剂估测农药沉积量。【结果】弥雾机和手动喷雾器不同施液量条件下喷雾,叶角45°和0°水稻叶片正面的雾滴覆盖率显著高于叶片反面。弥雾机在225、450、600 L·hm-2施液量条件下喷雾,叶角0°水稻叶片反面的雾滴密度均大于200个/cm2,施液量间差异显著。手动喷雾器在600、900、1 200 L·hm-2施液量条件下喷雾,叶角0°和45°水稻叶片反面的雾滴密度均小于15个/cm2,施液量间无显著差异。相同剂量,弥雾机在450 L·hm-2施液量条件下喷雾,水稻冠层各位点上的农药沉积量最高;而手动喷雾器不同施液量条件下喷雾,水稻冠层各位点上的农药沉积量无显著差异。手动喷雾器喷雾叶片反面的农药沉积量均低于弥雾机喷雾。用15 g a.i.·hm-2氯虫苯甲酰胺防治纵卷叶螟,弥雾机在施液量450 L·hm-2条件下喷雾的防治效果最高,手动喷雾器在施液量1 200 L·hm-2条件下喷雾的防治效果最差。【结论】弥雾机和手动喷雾器稻田喷雾,农药雾滴在水稻叶片正面的覆盖率均高于叶片反面。弥雾机喷雾时增加施液量,能提高水稻叶片反面的雾滴密度和覆盖率;手动喷雾器喷雾时增加施液量,无显著效应。与手动喷雾器相比,弥雾机喷雾显著增加了叶片反面的雾滴密度、雾滴覆盖率及农药沉积量,能显著提高药剂的防治效果。

大容量树干注射施液影响因素研究

本文在比较喷洒施药和吊瓶施药的基础上提出来大容量树干注射施液的必要性和优越性,对大容量药液的疏导方式进行了分析和验证;提出大容量注射施液的七个要素,分析了各要素对树干注射施液的影响,并给出具体的解决方法。最后通过试验验证大容量施液的处理效果。

松目消疲汤联合施图伦眼液治疗视疲劳临床观察

视疲劳是目前眼科常见的一种疾病，它不是独立的，是由各种原因引起的一组视疲劳综合征，与中医眼科“肝劳”一证相似”。患者的症状多种多样，主要症状为：眼不能久视，喜闭眼，可伴有眼痛、眼酸胀、眼干、眼花、流泪、异物感、复视、视物模糊、视力不稳，或兼有头痛、头晕、心烦、失眠等。

雾化施液CMP工艺及材料去除机制研究

介绍通过雾化供液方式进行化学机械抛光(CMP)的工作原理以及试验装置设计,通过雾化供液抛光工艺试验考察该方法的抛光效果,分析其材料去除机制。结果表明,雾化施液CMP方法的抛光浆料利用率高,在达到去除率为257.5 nm/min,表面粗糙度小于3.8 nm的抛光效果时,雾化抛光液消耗量仅为350 mL。雾化抛光材料去除机制是表面材料分子级氧化磨损去除,即通过抛光液中氧化剂的化学作用使表面原子氧化并弱化其结合键能,通过磨粒的机械作用将能量传递给表面分子,使表面分子的能量大于其结合键能而被去除。

雾化施液CMP工艺及实验设备

针对传统化学机械抛光的平坦化制程中抛光液使用量大和环保等问题,提出了一种利用超声波雾化抛光液进行抛光的工艺方法。介绍了试验台架搭建、工艺处理方法、工作原理和抛光工艺,并与传统化学机械抛光效果进行了比较。研究表明,在表面质量上,雾化工艺能够达到传统化学机械抛光的量级,其使用量是传统化学机械抛光的1/10。

磨料粒度对雾化施液CMP抛光速率的影响及机理研究

针对超声波雾化施液化学机械抛光过程中磨料的机械作用和化学特性从化学动力学及分子动力学两方面研究了抛光液磨料粒度对材料去除速率的影响和机理。采用不同粒度的磨料及组合进行了雾化施液CMP抛光实验。实验结果表明:磨料粒径在15 nm至30 nm范围内,粒度比较大的磨料能够传递更多的机械能,较小的磨料比较大的磨料具有更强的化学活性,对硅片表面材料的去除影响更为显著。向当前抛光液中加入5wt%的15 nm SiO2时,材料去除率增加至196.822 nm/min,而加入相同质量的30 nm SiO2时,材料去除率增加至191.828 nm/min。说明小尺寸的磨料在雾化施液CMP过程中不仅起着机械作用,还起着增强化学活性的作用。

基于正交试验的雾化施液抛光工艺参数研究

为了研究雾化施液化学机械抛光工艺参数对抛光效果的影响,以抛光盘转速、抛光压力、雾化器电压、氧化剂质量分数为因素,以材料去除率和表面粗糙度为评价指标设计正交试验,再对试验结果进行直观分析和权矩阵分析,得到了各因素对试验结果的影响趋势和程度,并得到了最佳参数组合。结果表明:在雾化施液抛光过程中抛光效果随抛光盘转速的增大而增大;随抛光压力的增大呈先增大后减小的趋势;随雾化器电压的增大而增大;随氧化剂质量分数的增大而增大。且影响程度顺序由大到小为:氧化剂质量分数、抛光压力、雾化器电压、抛光盘转速。当抛光盘转速为60 r/min、抛光压力48 kPa、雾化器电压55 V、氧化剂质量分数为2.5%时,得到材料去除率和表面粗糙度均达到最佳,此时的抛光效果最好。

雾化施液抛光硅片位错的化学腐蚀形貌分析

目的研究硅片经雾化施液抛光技术加工后存在的位错缺陷。方法应用化学腐蚀法、光学方法分析硅片不同部位的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布,通过单因素实验研究雾化参数对位错形貌和位错密度的影响规律。在相同的工艺参数下,和传统抛光进行对比实验。结果雾化抛光硅片的平均位错密度为1.2×104/cm2,边沿处的位错密度小于其他区域。在相同的工艺参数下,雾化施液CMP的抛光液消耗量约为传统CMP的1/10,但硅片的位错腐蚀形貌和位错密度明显好于传统抛光,且蚀坑分布均匀分散,没有出现位错排等严重缺陷。通过增大雾化器的出雾量能有效改善硅片表层的位错缺陷。结论相对于传统抛光,雾化施液抛光技术能更加高效地去除硅片的位错缺陷。

雾化施液CMP工艺优化

通过改进抛光雾液供液系统,结合超声波雾化技术对原雾化施液CMP实验系统进行优化,并进行了工艺实验。通过单因素试验研究雾化参数对抛光结果的影响,利用正交试验得到最优工艺参数组合,并在相同条件下将雾化抛光与传统抛光进行比较。结果表明:该实验系统的最优参数组合为雾化器电压50 V、抛光压力8 psi(1 psi=6 895 Pa)、抛光盘转速为70 r/min,此时材料去除速率为171.853 nm/min,表面粗糙度为4.76 nm。与传统抛光相比材料去除速率稍低,但表面粗糙度要好,且抛光液消耗量(1.03 g/min)约为传统抛光(10 g/min)的1/10。由于雾化器将抛光液中分子结构打散形成大量雾液,从而减少抛光液中磨粒团聚,同时雾化液更能均匀分散吸附在抛光垫上,增加了参与抛光的有效磨粒数,有利于材料去除和形成高质量表面。

磨料对硒化锌雾化施液化学机械抛光的影响

采用雾化施液化学机械抛光(CMP)的方法,以材料去除速率和表面粗糙度为评价指标,选取最适合硒化锌抛光的磨料,通过单因素实验对比CeO_2、SiO_2和Al_2O_3三种磨料的抛光效果。结果显示:采用Al_2O_3抛光液可以获得最高的材料去除率,为615.19nm/min,而CeO_2和SiO_2磨料的材料去除率分别只有184.92和78.56nm/min。进一步分析磨料粒径对实验结果的影响规律,表明100nm Al_2O_3抛光后的表面质量最佳,粗糙度Ra仅为2.51nm,300nm Al_2O_3的去除速率最大,达到1 256.5nm/min,但表面存在严重缺陷,出现明显划痕和蚀坑。在相同工况条件下,与传统化学机械抛光相比,精细雾化抛光的去除速率和表面粗糙度与传统抛光相近,但所用抛光液量约为传统抛光的1/8,大大提高了抛光液的利用率。

雾化施液CMP抛光硅片的亚表层损伤研究

雾化施液CMP抛光后的硅片依然存在亚表层损伤,会严重影响硅片的使用性能。首先利用化学腐蚀法和光学显微镜分别观测了亚表层的微裂纹以及不同部位的位错蚀坑形貌和位错密度。然后利用显微共聚焦拉曼光谱仪分析了抛光前后硅片表面残余应力的变化行为以及应力的分布情况。最后利用差动蚀刻速率法测取了亚表层的损伤深度并分析了抛光参数对损伤深度的影响规律。研究表明:随着表层到亚表层深度的增加,微裂纹损伤愈加严重,硅片边沿处的位错密度和形貌要明显好于中心区,位错平均密度为1.2×104/cm2;雾化抛光后的硅片表面被引入残余拉应力,应力沿硅片对角线方向呈对称分布;亚表层的损伤深度大约为0.99μm,随着雾化器电压的增大呈递减趋势,而抛光垫转速和抛光压力都存在一个最佳的参数使损伤深度达到最小。

雾化施液同质硬脆晶体互抛CMP工艺研究

探究了雾化施液同质硬脆晶体互抛CMP工艺抛光单晶硅片的可行性,分析其材料去除机理。试验采用传统的化学机械抛光CMP和雾化施液同质硬脆晶体互抛CMP,使用三种含有不同成分的抛光液对硅片进行抛光,对抛光前后的硅片进行称重比较两种工艺方法的材料去除率;通过扫面探针显微镜观察硅片的表面形貌,对其表面粗糙度进行分析。使用雾化施液同质硬脆晶体互抛CMP工艺对硅片进行抛光时,硅片表面材料去除率随着抛光压力的增大而增大,抛光压力为9 psi时达到最大为711 nm/min,高于传统化学机械抛光的630 nm/min;对两种工艺抛光后的硅片进行扫描分析得出雾化施液化学机械抛光工艺抛光后的硅片表面粗糙度为3. 8 nm,低于传统化学机械抛光工艺的6. 8 nm。雾化施液同质硬脆晶体互抛CMP工艺抛光硅片是可行的,优于传统化学机械抛光工艺,具有材料去除率高、抛光效果好、节约成本以及绿色环保的优点。

雾化施液抛光中化学作用和机械作用的试验研究

研究了单独的化学作用和机械作用对材料去除率的影响,通过设计单因素试验来研究抛光压力、抛光盘转速、雾液流量、氧化剂浓度对材料去除率的影响,分析雾化试验抛光中化学作用和机械作用的机理。研究表明,雾化施液化学机械抛光是化学作用和机械作用共同作用的过程,无论单独增加抛光压力、抛光盘转速、雾液流量和氧化剂浓度等其中任一因素,都不能获得材料去除率的持续增加,说明化学作用与机械作用是相互协同的作用。