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新型小分子液晶有机蒙脱土的制备与表征
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作者 沈金平 章于川 +1 位作者 张彩云 李明华 《合成化学》 CAS CSCD 2006年第6期615-617,共3页
运用自制的两种新型小分子液晶插层剂对蒙脱土进行有机化修饰,并用IR,XRD,TG及TEM等对有机蒙脱土结构和性能进行了表征与分析。结果表明:有机蒙脱土的层间距由1.00 nm分别增大到2.50 nm和2.88 nm,且能分散均匀,排列疏松,耐热性能也有了... 运用自制的两种新型小分子液晶插层剂对蒙脱土进行有机化修饰,并用IR,XRD,TG及TEM等对有机蒙脱土结构和性能进行了表征与分析。结果表明:有机蒙脱土的层间距由1.00 nm分别增大到2.50 nm和2.88 nm,且能分散均匀,排列疏松,耐热性能也有了显著提高。 展开更多
关键词 液晶插层剂 蒙脱土 有机化 间距
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