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液栅型石墨烯场效应管的缓冲液浓度和pH响应特性
1
作者
杜晓薇
成霁
+2 位作者
郭慧
金庆辉
赵建龙
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期167-171,共5页
本文使用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)石墨烯制作了高灵敏度、低噪声的液栅型石墨烯场效应管(Solution-Gated Graphene Field Effect Transistors,SGFETs),并测试了该器件对磷酸盐缓冲液(Phosphate Buffered Saline,PBS...
本文使用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)石墨烯制作了高灵敏度、低噪声的液栅型石墨烯场效应管(Solution-Gated Graphene Field Effect Transistors,SGFETs),并测试了该器件对磷酸盐缓冲液(Phosphate Buffered Saline,PBS)浓度和p H的响应特性.随缓冲液浓度的增大,SGFETs转移特性曲线的最小电导点向左偏移,偏移量与溶液浓度的自然对数呈线性关系.随p H的增大,其最小电导点向右偏移,偏移量与溶液p H呈线性关系.该响应特性对石墨烯生化传感器排除外界影响因素有一定的指导作用.
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关键词
化学气相沉积
石墨
烯
液栅型石墨烯场效应管
缓冲
液
浓度和pH
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职称材料
石墨烯/二氧化钛异质结场效应探测器光电特性
被引量:
6
2
作者
周全
张恩亮
+3 位作者
白向兴
申钧
魏大鹏
汪岳峰
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第6期18-26,共9页
利用二氧化钛薄膜光吸收及表面钝化特性,在硅晶圆基底表面制备石墨烯/二氧化钛异质结场效应管光电探测器,并研究其光电响应特性.结果表明,二氧化钛钝化后的探测器可以有效抑制沟道表面的气体小分子吸附,降低器件的暗电流漂移;同时,探测...
利用二氧化钛薄膜光吸收及表面钝化特性,在硅晶圆基底表面制备石墨烯/二氧化钛异质结场效应管光电探测器,并研究其光电响应特性.结果表明,二氧化钛钝化后的探测器可以有效抑制沟道表面的气体小分子吸附,降低器件的暗电流漂移;同时,探测器利用石墨烯的电荷敏感和复合薄膜的光谱吸收特性,显著提高了石墨烯场效应管的响应度.紫外波段,顶层二氧化钛吸光产生的光生电子将注入到石墨烯沟道中,对石墨烯沟道产生n型掺杂,器件最大响应度可达3.5×10~5A/W.在可见光波段,因为二氧化钛层与石墨烯薄膜间存在杂质能级,界面间的电荷转移使沟道载流子寿命显著提高.相对于传统的二氧化钛阵列探测器,该探测器在响应波段与响应度性能上都具有明显优势.
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关键词
石墨
烯
异质结
场效应管
光电探测器
背
栅
调制
耦合
载流子寿命
下载PDF
职称材料
具有石墨烯辅助导电层的碳纳米管射频场效应晶体管
3
作者
江丽红
杨扬
+2 位作者
霍帅
曹正义
孔月婵
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期36-39,44,共5页
采用纯度高于99%的半导体型单壁碳纳米管分散液制备碳纳米管无序网络作为射频场效应晶体管的有源沟道材料,使用单层石墨烯作为器件源漏的辅助接触电极,研制出T型栅结构的碳纳米管射频场效应晶体管。采用石墨烯加强晶体管器件的欧姆接触...
采用纯度高于99%的半导体型单壁碳纳米管分散液制备碳纳米管无序网络作为射频场效应晶体管的有源沟道材料,使用单层石墨烯作为器件源漏的辅助接触电极,研制出T型栅结构的碳纳米管射频场效应晶体管。采用石墨烯加强晶体管器件的欧姆接触,降低器件的寄生电阻和寄生电容,提高器件的高频性能。实验制备的碳纳米管射频晶体管沟道长度为90nm左右,电流增益截止频率f_T达到13.5GHz,最大振荡频率f_(max)达到10.5GHz,体现了碳纳米管在射频器件应用领域的技术潜力。
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关键词
碳纳米管
射频晶体管
石墨
烯
辅助导电层
T
型
栅
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职称材料
无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展(续)
4
作者
肖德元
张汝京
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期171-182,共12页
<正>EEACC:2500目前,在衬底上形成石墨烯的主要方法有:(1)石墨晶体表面剥离/转移方法。采用胶带从石墨晶体表面剥离一层石墨烯并转移到衬底上[107]。(2)化学气相沉积/转移方法。大约在800~1 000°C温度下,将石墨烯生长在金属...
<正>EEACC:2500目前,在衬底上形成石墨烯的主要方法有:(1)石墨晶体表面剥离/转移方法。采用胶带从石墨晶体表面剥离一层石墨烯并转移到衬底上[107]。(2)化学气相沉积/转移方法。大约在800~1 000°C温度下,将石墨烯生长在金属催化剂膜上,然后剥离转移到别的衬底上[123]。(3)SiC表面分解方法。在1 200~1
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关键词
石墨
烯
场效应
晶体管
晶体表面
场效应管
CMOS器件
化学气相沉积
器件研究
分解方法
栅
介质
黑磷
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职称材料
题名
液栅型石墨烯场效应管的缓冲液浓度和pH响应特性
1
作者
杜晓薇
成霁
郭慧
金庆辉
赵建龙
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室
中国科学院大学
出处
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期167-171,共5页
基金
国家科技支撑计划项目(No.2012BAK08B05)
国家863计划项目(No.SS2014AA06A506)
+1 种基金
中科院国际合作项目(No.GJHZ-1306)
江苏省科技项目(No.BE2012049)资助
文摘
本文使用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)石墨烯制作了高灵敏度、低噪声的液栅型石墨烯场效应管(Solution-Gated Graphene Field Effect Transistors,SGFETs),并测试了该器件对磷酸盐缓冲液(Phosphate Buffered Saline,PBS)浓度和p H的响应特性.随缓冲液浓度的增大,SGFETs转移特性曲线的最小电导点向左偏移,偏移量与溶液浓度的自然对数呈线性关系.随p H的增大,其最小电导点向右偏移,偏移量与溶液p H呈线性关系.该响应特性对石墨烯生化传感器排除外界影响因素有一定的指导作用.
关键词
化学气相沉积
石墨
烯
液栅型石墨烯场效应管
缓冲
液
浓度和pH
Keywords
chemical vapor deposition graphene
solution-gated graphene field effect transistor
buffer solution concentration and pH
分类号
TQ127.11 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
石墨烯/二氧化钛异质结场效应探测器光电特性
被引量:
6
2
作者
周全
张恩亮
白向兴
申钧
魏大鹏
汪岳峰
机构
中国人民解放军陆军工程大学电子与光学工程系
中科院重庆绿色智能技术研究院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第6期18-26,共9页
基金
国家自然科学基金(Nos.11404329
61504148
+4 种基金
51402291
61705229)
重庆市自然科学基金(No.CSTC2014jcyjjq50004)
重庆市基础科学与前沿技术研究专项基金(No.cstc2015jcyj A50018)
重庆市基础与前沿研究项目(No.cstc2015jcyj BX0046)资助~~
文摘
利用二氧化钛薄膜光吸收及表面钝化特性,在硅晶圆基底表面制备石墨烯/二氧化钛异质结场效应管光电探测器,并研究其光电响应特性.结果表明,二氧化钛钝化后的探测器可以有效抑制沟道表面的气体小分子吸附,降低器件的暗电流漂移;同时,探测器利用石墨烯的电荷敏感和复合薄膜的光谱吸收特性,显著提高了石墨烯场效应管的响应度.紫外波段,顶层二氧化钛吸光产生的光生电子将注入到石墨烯沟道中,对石墨烯沟道产生n型掺杂,器件最大响应度可达3.5×10~5A/W.在可见光波段,因为二氧化钛层与石墨烯薄膜间存在杂质能级,界面间的电荷转移使沟道载流子寿命显著提高.相对于传统的二氧化钛阵列探测器,该探测器在响应波段与响应度性能上都具有明显优势.
关键词
石墨
烯
异质结
场效应管
光电探测器
背
栅
调制
耦合
载流子寿命
Keywords
Graphene
Heterostructure
Field-effect transistor
Photodetector
Back-gate modulationCoupling
Carrier lifetime
分类号
TN324.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
具有石墨烯辅助导电层的碳纳米管射频场效应晶体管
3
作者
江丽红
杨扬
霍帅
曹正义
孔月婵
机构
南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期36-39,44,共5页
文摘
采用纯度高于99%的半导体型单壁碳纳米管分散液制备碳纳米管无序网络作为射频场效应晶体管的有源沟道材料,使用单层石墨烯作为器件源漏的辅助接触电极,研制出T型栅结构的碳纳米管射频场效应晶体管。采用石墨烯加强晶体管器件的欧姆接触,降低器件的寄生电阻和寄生电容,提高器件的高频性能。实验制备的碳纳米管射频晶体管沟道长度为90nm左右,电流增益截止频率f_T达到13.5GHz,最大振荡频率f_(max)达到10.5GHz,体现了碳纳米管在射频器件应用领域的技术潜力。
关键词
碳纳米管
射频晶体管
石墨
烯
辅助导电层
T
型
栅
Keywords
carbon nanotube
RF transistor
graphene conductive layer
T-gate
分类号
TN323.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展(续)
4
作者
肖德元
张汝京
机构
上海新昇半导体科技有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期171-182,共12页
基金
国家科技重大专项资助项目(2015ZX02401)
文摘
<正>EEACC:2500目前,在衬底上形成石墨烯的主要方法有:(1)石墨晶体表面剥离/转移方法。采用胶带从石墨晶体表面剥离一层石墨烯并转移到衬底上[107]。(2)化学气相沉积/转移方法。大约在800~1 000°C温度下,将石墨烯生长在金属催化剂膜上,然后剥离转移到别的衬底上[123]。(3)SiC表面分解方法。在1 200~1
关键词
石墨
烯
场效应
晶体管
晶体表面
场效应管
CMOS器件
化学气相沉积
器件研究
分解方法
栅
介质
黑磷
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
液栅型石墨烯场效应管的缓冲液浓度和pH响应特性
杜晓薇
成霁
郭慧
金庆辉
赵建龙
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
下载PDF
职称材料
2
石墨烯/二氧化钛异质结场效应探测器光电特性
周全
张恩亮
白向兴
申钧
魏大鹏
汪岳峰
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
6
下载PDF
职称材料
3
具有石墨烯辅助导电层的碳纳米管射频场效应晶体管
江丽红
杨扬
霍帅
曹正义
孔月婵
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
下载PDF
职称材料
4
无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展(续)
肖德元
张汝京
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
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