石榴石单晶膜液相外延的最佳生长温度

笔者曾提出过石榴石单晶膜液相外延生长的“等效参量”的概念 ,并对化学反应级数n为任意的情形提出了简约理论模型 ,同时分析了各个参量的确定问题 ,从而得到了生长速度曲线。从生长优膜的角度考虑 ,还需要确定最佳外延生长温度。这是第一次提出这个问题。根据简约模型可以得到 4个特征温度 :饱和温度Ts、生长速度最大时的温度Tm、生长速度与化学反应级数n无关的温度Tn 和生长速度随n的变化最剧烈时所在的温度TP。Tn,TP 分别满足的方程已得出。我们认为 ,Ts 为生长膜的温度的上限 ,Tn 为生长优质膜的温度的下限 ,而Tp 则为最佳生长温度 (Ts-Tp 为最佳过冷度 )。在Tp 下 ,不同的n对应的生长速度相差最大 ,膜的成分最集中 ,性能最好。对YIG和La :YIG ,本文计算出过冷度分别为 1 5℃和 1 2℃。实验结果分别为 1 7℃和 1 0～1 5℃ ,可知本文提出的最佳生长温度是合理的 ,对其他系列的膜也可以计算。各参量对Tp 的影响也可以得出。

石榴石单晶膜液相外延生长各参量的确定

提出了定量确定石榴石单晶膜液相外延生长的各项参数的一般方法，对若干实验得到了理想的数据。同时得出了生长优质膜的温度下限和最佳温度.

椭偏法测量石榴石外延膜的膜厚和折射率

膜厚和折射率是磁泡、磁光等石榴石外延膜的重要性能参数。Henry等〔1〕曾用椭偏法辅以热磷酸剥层测定折射率的变化以研究液相外延过程中形成的过渡层。本文旨在把测量精度高的椭偏法用于碰泡等石榴石外延膜的测量。一、原理定波长消光法椭偏仪的结构示意于图1。光经薄膜反射前后的偏振状态的变化(△,ψ)与膜厚d和折射率n有关,而(△,ψ)可用起偏器方位角P和检偏器方位角A来确定,所以反射光呈消光状态时。

温度对ID畴壁内VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第I类哑铃畴(ID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ipip(T)<Hip<H(2)ip(T),H(2)ip(T)],当Hip<H(1)ip(T)时,ID畴壁中VBL数目不变;当H(1)(T)时,ID畴壁中VBL逐渐丢失,且随面内场Hip的增大,VBL丢失得越来越多;当Hip>H(2)ip(T)时,VBL完全丢失.面内场范围[H(1)ip(T)也分别随温度的升高ip(T),H(2)ip(T)]随温度的升高而减小,其中H(1)ip(T),H(2)而变小,并分别在T(1)0和T0处减小为0.

温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,IID畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T)<Hip<ip(T),H(2)ip(T)].当Hip≤H(1)ip(T)时,IID畴壁中VBL稳定存在;当H(1)H(2)ip(T)时,IIDD畴壁中VBL变得不稳定;随着Hip的增大VBL丢失得越来越多,当Hip≥H(2)ip(T)时,IID畴壁中VBL完全丢失.并且随着温度的升高,临界面内场值H(1)ip(T)和H(2)ip(T)逐渐减小.