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液相自蚀生长CuTCNQ微晶中的纳米通道
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作者 顾宁 鲁武 韦钰 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第22期2096-2099,共4页
自1979年Potember与其合作者首次报道了铜的四氰基苯醌对二甲烷(7,7’,8,8'-tetracyanoquinodimethan,简称TCNQ)的电荷转移(CT)复合物有机薄膜具有电流控制的电学开关现象以来,陆续发现了过渡金属(Cu,Ag)TCNQ及其一系列衍生物有机薄膜... 自1979年Potember与其合作者首次报道了铜的四氰基苯醌对二甲烷(7,7’,8,8'-tetracyanoquinodimethan,简称TCNQ)的电荷转移(CT)复合物有机薄膜具有电流控制的电学开关现象以来,陆续发现了过渡金属(Cu,Ag)TCNQ及其一系列衍生物有机薄膜的电学或光电阈值开关与存贮特性.这些具有极重要应用前景的特性缘于材料中发生的部分场致相变.由这些部分相变形成了所谓的高电导畴或低阻通道.已有结果表明,促使形成这些通道的条件与测量用金属电极/有机薄膜的界面以及薄膜的微观形貌有着十分密切的关系. 展开更多
关键词 CuTCNQ 薄膜 液相自蚀生长 微晶 纳米通道
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