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液相自蚀生长CuTCNQ微晶中的纳米通道
1
作者
顾宁
鲁武
韦钰
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第22期2096-2099,共4页
自1979年Potember与其合作者首次报道了铜的四氰基苯醌对二甲烷(7,7’,8,8'-tetracyanoquinodimethan,简称TCNQ)的电荷转移(CT)复合物有机薄膜具有电流控制的电学开关现象以来,陆续发现了过渡金属(Cu,Ag)TCNQ及其一系列衍生物有机薄膜...
自1979年Potember与其合作者首次报道了铜的四氰基苯醌对二甲烷(7,7’,8,8'-tetracyanoquinodimethan,简称TCNQ)的电荷转移(CT)复合物有机薄膜具有电流控制的电学开关现象以来,陆续发现了过渡金属(Cu,Ag)TCNQ及其一系列衍生物有机薄膜的电学或光电阈值开关与存贮特性.这些具有极重要应用前景的特性缘于材料中发生的部分场致相变.由这些部分相变形成了所谓的高电导畴或低阻通道.已有结果表明,促使形成这些通道的条件与测量用金属电极/有机薄膜的界面以及薄膜的微观形貌有着十分密切的关系.
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关键词
CuTCNQ
薄膜
液相自蚀生长
微晶
纳米通道
原文传递
题名
液相自蚀生长CuTCNQ微晶中的纳米通道
1
作者
顾宁
鲁武
韦钰
机构
东南大学吴健雄实验室
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第22期2096-2099,共4页
基金
国家自然科学基金
军事电子预言基金资助项目
文摘
自1979年Potember与其合作者首次报道了铜的四氰基苯醌对二甲烷(7,7’,8,8'-tetracyanoquinodimethan,简称TCNQ)的电荷转移(CT)复合物有机薄膜具有电流控制的电学开关现象以来,陆续发现了过渡金属(Cu,Ag)TCNQ及其一系列衍生物有机薄膜的电学或光电阈值开关与存贮特性.这些具有极重要应用前景的特性缘于材料中发生的部分场致相变.由这些部分相变形成了所谓的高电导畴或低阻通道.已有结果表明,促使形成这些通道的条件与测量用金属电极/有机薄膜的界面以及薄膜的微观形貌有着十分密切的关系.
关键词
CuTCNQ
薄膜
液相自蚀生长
微晶
纳米通道
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
液相自蚀生长CuTCNQ微晶中的纳米通道
顾宁
鲁武
韦钰
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
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