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碟状氧化锌气相生长及机理的研究 被引量:6
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作者 朱光平 王马华 +1 位作者 刘忠良 刘亲壮 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期65-67,共3页
采用气相沉积法制备了碟状的氧化锌,并基于自催化的气-液-固机理及气-固机理结合温度及过饱和度等生长因素对碟状氧化锌的生长机理进行了研究,结果表明,较高的生长温度及适中的过饱和度被归结为碟状氧化锌形成的原因。
关键词 氧化锌 纳米碟 -液-固机理
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基片表面朝向对ZnO纳米线生长机理的影响
2
作者 唐斌 邓宏 +1 位作者 张强 税正伟 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期134-136,147,共4页
采用热蒸发ZnO粉末法,以金膜为催化剂,在两片表面分别朝上和朝下的Si(100)基片上生长ZnO纳米线(样品分别标为1#和2#)。X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿(001)择优取向。通过扫描电子显微镜(SEM)表征发现,Zn... 采用热蒸发ZnO粉末法,以金膜为催化剂,在两片表面分别朝上和朝下的Si(100)基片上生长ZnO纳米线(样品分别标为1#和2#)。X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿(001)择优取向。通过扫描电子显微镜(SEM)表征发现,ZnO纳米线整齐排列在Si基片上,直径在100nm左右,平均长度为4μm。通过分析得出,两种基片上生长的ZnO纳米线的生长机理是不相同的:1#样品,在基片表面上先生长ZnO薄膜,再在薄膜上生长ZnO纳米线;2#样品,ZnO纳米线直接外延生长在基片表面。结果显示基片表面的朝向影响ZnO纳米线的生长机理。 展开更多
关键词 --(V-L-S)机理 -(V-S)机理 ZNO纳米线 ZNO薄膜
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VLS同质外延6H-SiC薄膜生长的研究
3
作者 陈一峰 刘兴钊 邓新武 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第14期1-4,共4页
碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料,在高温、高频、高功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。以CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,采用化学气相沉积法,利用气-液-固(VLS)生长机理,同质外延6H-SiC薄膜。结果表明,VLS机制能在外... 碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料,在高温、高频、高功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。以CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,采用化学气相沉积法,利用气-液-固(VLS)生长机理,同质外延6H-SiC薄膜。结果表明,VLS机制能在外延薄膜的表面有效地封闭微管,但是由于n(C)/n(Si)较大,薄膜表面存在大量的台阶。为了进一步改善薄膜表面形貌,采用"两步法"工艺外延SiC薄膜,在封闭微管的同时提高了表面平整度,得到了质量较好的6H-SiC外延薄膜。 展开更多
关键词 6H—SiC 同质外延 --生长机理
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微纳米三水碳酸镁晶须的制备及性能 被引量:12
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作者 王余莲 印万忠 +2 位作者 钟文兴 侯英 王纪镇 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期708-713,共6页
以菱镁矿为原料,无水乙醇为添加剂,采用低温水溶液法,制备平均直径为500 nm、部分直径为55 nm、最大长径比为40、均匀棒状的MgCO3·3H2O晶须。采用SEM,XRD,TGA和FTIR对其形貌、物相和质量进行表征。探讨热解温度、添加剂种类对晶体... 以菱镁矿为原料,无水乙醇为添加剂,采用低温水溶液法,制备平均直径为500 nm、部分直径为55 nm、最大长径比为40、均匀棒状的MgCO3·3H2O晶须。采用SEM,XRD,TGA和FTIR对其形貌、物相和质量进行表征。探讨热解温度、添加剂种类对晶体形貌和质量的影响,系统分析MgCO3·3H2O晶体的形成机理。结果表明:最佳热解温度为50℃、有效添加剂为无水乙醇。MgCO3·3H2O晶体在结晶过程中,镁-氧八面体以共顶点的形式连接沿[010]晶向快速生长,形成一维棒状单晶体。MgCO3·3H2O晶体的生长符合液-固机理。MgCO3·3H2O晶体中存在结晶水和结构水,比例为2:1,其结构式为Mg(HCO3)(OH)·2H2O。 展开更多
关键词 菱镁矿 三水碳酸镁晶须 制备 液-固机理
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在硅衬底上制备Si纳米线及其表征 被引量:2
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作者 要秉文 郝相雨 籍凤秋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期644-647,共4页
采用以硅衬底为硅源的简单方法,在蘸有一层催化剂(0.05MFeCl2.6H2O)薄膜的硅基片上直接制备了大量的单晶Si纳米线。用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)分别观察了硅纳米线的形貌及单根Si纳米线的显微结构。试验结果表明:随着... 采用以硅衬底为硅源的简单方法,在蘸有一层催化剂(0.05MFeCl2.6H2O)薄膜的硅基片上直接制备了大量的单晶Si纳米线。用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)分别观察了硅纳米线的形貌及单根Si纳米线的显微结构。试验结果表明:随着温度的升高,纳米线的直径增大;催化剂是Si纳米线生成的重要因素,没有沉积催化剂的硅基片上不会有硅纳米线的生成,且该硅纳米线的生长机理为典型的气-液-固模式。 展开更多
关键词 硅纳米线 -液-固机理 硅衬底
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二氧化锗纳米线的制备与喇曼光谱
6
作者 杨瑞丽 陈晓波 +3 位作者 尹文艳 董红星 宋玉哲 杨合情 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期52-56,共5页
以Au作催化剂通过在空气中将金属锗加热到550~800℃,在单质锗表面原位大面积生长出了GeO2纳米线.采用扫描电镜和激光喇曼光谱对产物进行了表征分析.结果表明,GeO2纳米线为六方相结构,长度可达30μm.通过改变加热温度,纳米线的直径可在... 以Au作催化剂通过在空气中将金属锗加热到550~800℃,在单质锗表面原位大面积生长出了GeO2纳米线.采用扫描电镜和激光喇曼光谱对产物进行了表征分析.结果表明,GeO2纳米线为六方相结构,长度可达30μm.通过改变加热温度,纳米线的直径可在110~170 nm范围内调节.提出了可能的生长机理以说明GeO2纳米线的形成.并且在GeO2纳米线的喇曼光谱中观察到了声子限制效应. 展开更多
关键词 GeO2纳米线 -液-固机理 喇曼光谱
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氮化硅纳米线制备过程中反应条件的影响 被引量:5
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作者 王峰 郝雅娟 +1 位作者 靳国强 郭向云 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1503-1507,共5页
采用X射线衍射和扫描电子显微镜技术,考察了溶胶-凝胶法制备氮化硅纳米线过程中反应条件(添加剂种类和含量、反应时间以及反应温度)对碳热还原产物组成和形貌的影响.结果表明,碳化后铁含量为5%(w)的凝胶,在1300℃下反应10h,Si3N4纳米线... 采用X射线衍射和扫描电子显微镜技术,考察了溶胶-凝胶法制备氮化硅纳米线过程中反应条件(添加剂种类和含量、反应时间以及反应温度)对碳热还原产物组成和形貌的影响.结果表明,碳化后铁含量为5%(w)的凝胶,在1300℃下反应10h,Si3N4纳米线产率较高.添加剂的种类和含量不同,所得产物的组成和形貌也不相同.随着反应温度的升高或反应时间的延长,产物经历了一个从SiOx到Si2N2O再到Si3N4的转变过程.在有金属组分存在时,Si3N4纳米线由气-液-固过程形成. 展开更多
关键词 氮化硅纳米线 溶胶-凝胶法 X射线衍射 -液-固机理
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化学气相沉积法制备SiC纳米线的研究进展 被引量:2
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作者 刘显刚 安建成 +3 位作者 孙佳佳 张骞 秦艳濛 刘新红 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期11077-11082,共6页
SiC纳米线具有优良的物理、化学、电学和光学等性能,在光电器件、光催化降解、能量存储和结构陶瓷等方面得到广泛应用。其制备方法多种多样,其中化学气相沉积法(CVD)制备SiC纳米线因具有工艺简单、组成可控和重复性好等优点而备受关注... SiC纳米线具有优良的物理、化学、电学和光学等性能,在光电器件、光催化降解、能量存储和结构陶瓷等方面得到广泛应用。其制备方法多种多样,其中化学气相沉积法(CVD)制备SiC纳米线因具有工艺简单、组成可控和重复性好等优点而备受关注。近年来,在化学气相沉积法制备SiC纳米线以及调控其显微结构方面取得了较多成果。采用Si粉、石墨粉和树脂粉等低成本原料以及流化床等先进设备,通过化学气相沉积法制备出线状、链珠状、竹节状、螺旋状以及核壳结构等不同尺度、形貌各异的SiC纳米线,并且有的SiC纳米线具有优良的发光性能、场发射性能和吸波性能等,为制备新型结构和形貌的SiC纳米线及开发新功能性的SiC纳米器件提供了重要参考。目前,未添加催化剂时,利用气相沉积法制备的SiC纳米线虽然纯度较高,但存在产物形貌、尺度和结晶方向等可控性差,制备温度较高和产率相对较低的问题。而添加催化剂、熔盐以及氧化物辅助可明显降低SiC纳米线的制备温度,提高反应速率以及产率,但易在SiC纳米线中引入杂质。将来应在提高SiC纳米线的纯度、去除杂质方面开展深入研究;还应注重低成本、规模化制备SiC纳米线的研究,采用相应措施调控SiC纳米线的显微结构,以拓宽SiC纳米线的应用领域。本文综述了目前国内外采用化学气相沉积制备SiC纳米线的方法,分析总结了无催化剂、催化剂、熔盐以及氧化物辅助等各种制备方法的优缺点,并对未来的研究进行展望,期望为SiC纳米线的低成本、规模化制备和应用提供理论依据。 展开更多
关键词 SIC纳米线 化学气相沉积 -机理 -液-固机理 显微结构
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ZnO纳米线的自催化生长、微结构和荧光特性
9
作者 徐昌富 杨利文 杨奇斌 《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期55-59,共5页
采用高温碳还原ZnO粉末获得了大量直径约为40 nm的ZnO纳米线.通过X射线衍射、光电子能谱、扫描电镜、透射电镜对其微结构特征进行了深入的研究.结果表明ZnO纳米线的生长机理不同于传统的气-固(Vapor-Solid,VS)生长模式,是典型的自催化气... 采用高温碳还原ZnO粉末获得了大量直径约为40 nm的ZnO纳米线.通过X射线衍射、光电子能谱、扫描电镜、透射电镜对其微结构特征进行了深入的研究.结果表明ZnO纳米线的生长机理不同于传统的气-固(Vapor-Solid,VS)生长模式,是典型的自催化气-液-固(Vapor-Liquid-Solid,VLS)生长模式,且反应过程中最初形成的液态纳米颗粒在ZnO纳米线的生长过程中起催化剂作用.荧光光谱表明ZnO纳米线中氧空位缺陷密度大,因而具有强可见光发射. 展开更多
关键词 ZNO纳米线 --生长机理 荧光光谱
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Expression patterns and action analysis of genes associated with blood coagulation responses during rat liver regeneration 被引量:3
10
作者 Li-Feng Zhao Wei-Min Zhang Cun-Shuan Xu 《World Journal of Gastroenterology》 SCIE CAS CSCD 2006年第42期6842-6849,共8页
AIM: To study the blood coagulation response after partial hepatectomy (PH) at transcriptional level. METHODS: After PH of rats, the associated genes with blood coagulation were obtained through reference to the datab... AIM: To study the blood coagulation response after partial hepatectomy (PH) at transcriptional level. METHODS: After PH of rats, the associated genes with blood coagulation were obtained through reference to the databases, and the gene expression changes in rat regenerating liver were analyzed by the Rat Genome 230 2.0 array. RESULTS: It was found that 107 genes were associated with liver regeneration. The initially and totally expressing gene numbers occurring in initiation phase of liver regeneration (0.5-4 h after PH), G0/G1 transition (4-6 h after PH), cell proliferation (6-66 h after PH), cell differentiation and structure-function reconstruction (66-168 h after PH) were 44, 11, 58, 7 and 44, 33, 100, 71 respectively, showing that the associated genes were mainly triggered in the forepart and prophase, and worked at different phases. According to their expression similarity, these genes were classified into 5 groups: only up-, predominantly up-, only down-, predominantly down-, up- and down-regulation, involving 44, 8, 36, 13 and 6 genes, respectively, and the total times of their up- and down-regulation expression were 342 and 253, respectively, demonstrating that the number of the up-regulated genes was more than that of the down- regulated genes. Their time relevance was classified into 15 groups, showing that the cellular physiological and biochemical activities were staggered during liver regeneration. According to gene expression patterns, they were classified into 29 types, suggesting that their protein activities were diverse and complex during liver regeneration.CONCLUSION: The blood coagulation response is enhanced mainly in the forepart, prophase and anaphase of liver regeneration, in which the response in the forepart, prophase of liver regeneration can prevent the bleeding caused by partial hepatectomy, whereas that in the anaphase contributes to the structure-function reorganization of regenerating liver. In the process, 107 genes associated with liver regeneration play an important role. 展开更多
关键词 Partial hepatectomy Rat Genome 230 2.0 array Blood coagulation response Genes associated with liver regeneration
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稻壳制备碳化硅晶须 被引量:7
11
作者 古卫俊 贾素秋 +1 位作者 邱敬东 刘斐 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期28-32,共5页
通过稻壳先炭化再高温合成两步法制备出碳化硅晶须,考察温度、催化剂、合成气氛和时间对碳化硅晶须形成的影响。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射对合成的碳化硅晶须进行表征,分析碳化硅晶须形成机理。结果表明:SiC晶须... 通过稻壳先炭化再高温合成两步法制备出碳化硅晶须,考察温度、催化剂、合成气氛和时间对碳化硅晶须形成的影响。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射对合成的碳化硅晶须进行表征,分析碳化硅晶须形成机理。结果表明:SiC晶须的形成温度不低于1 200℃,在合适的温度范围内,温度越高,SiC晶须的产量越高;1 400℃为适宜的加热温度。在真空条件下无碳化硅晶须生成,通Ar保护和加入催化剂能促进碳化硅晶须的形成和长大。控制时间在2h左右,随着合成时间的延长,碳化硅晶须量增加。碳化硅晶须为竹节状直晶、光滑直晶和弯晶,其中直晶居多,组成为β-SiC。由稻壳制备碳化硅晶须的形成机理制为在催化剂作用下的气-液-固和气-固机理。 展开更多
关键词 稻壳 制备 碳化硅晶须 -机理
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