古土壤CaCO_3淀积层与大气降水入渗形式研究

根据黄土中古土壤CaCO_3淀积深度、CaCO_3含量和淋深裂隙等的研究,确定了CaCO_3淀积层分布深度代表了重力水入渗的深度,古土壤顶部到CaCO_3淀积层底部之间的距间为重力水入渗带的厚度范围.重力水入渗深度可反映降水量的高低,并可用作研究薄膜水入渗带和潜水位埋深的依据.

黄土中古土壤CaCO_3淀积层及其意义

西安东郊黄土中古土壤ＣａＣＯ３和淋滤裂隙等的研究表明，使ＣａＣＯ３发生迁移的水为重力水，ＣａＣＯ３淀积层的顶界代表重力水淋溶亚带的底界，也是重力水发生突变的分界。薄膜水不具淋溶作用，也不会引起ＣａＣＯ３的淀积。由ＣａＣＯ３淀积深度可知，中更新世温湿期降水分配不均，雨季与旱季分明，增加的降水量主要集中在雨季降落；温湿期与冷干期的差别主要在雨季，旱季差异小。

灰化淀积层诊断指标的对比研究

本文根据采自西藏南部、云南北部等地的７个供试土壤剖面进行了灰化淀积层诊断指标的对比研究。结果表明，《中国土壤系统分类（修订方案）》中灰化淀积层的主要诊断指标优于《中国土壤系统分类（首次方案）》中灰化起积层的原有诊断指标。前者以灰化淀积物质作为鉴别灰化淀积层的主要诊断标准，因而诊断灰化淀积物质的指标对鉴定灰化淀积层提供了更为科学而可行的定量化数据。

原子层淀积Al_2O_3薄膜的热稳定性研究

以Al(CH3)3和H2O为反应源,在270℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜．采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究．结果表明刚淀积的薄膜中含有少量Al-OH基团,高温退火后,Al-OH基团几乎消失,这归因于Al-OH基团之间发生反应而脱水．退火后的薄膜中O和Al元素的相对比例(1．52)比退火前的(1．57)更接近化学计量比的Al2O3．FTIR分析表明,在刚淀积的Al2O3中有少量的-CH3存在,-CH3含量会随热处理温度的升高而减少．此外,在高温快速热退火后,Al2O3薄膜的表面平均粗糙度(RMS)明显改善,900℃热退火后其RMS达到1．15nm．

原子层淀积制备金属氧化物薄膜研究进展

原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景。本文综述了ALD技术的基本原理,及其在金属氧化物薄膜制备上的研究进展。

ZrO_2在Si(100)-2×1表面原子层淀积反应机理的密度泛函理论研究

用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应.两个半反应都经历一个相似的吸附中间体反应路径.比较单羟基Si表面反应的反应焓变,可以发现双羟基Si表面反应,由于相邻羟基的存在,对ZrCl4的半反应影响较大,尤其是化学吸附能增加明显.而对于H2O的半反应,单、双羟基Si表面反应的能量变化不是很明显.使用内禀反应坐标(IRC)方法,验证了两个半反应存在相似的过渡态结构和反应机理.另外,发现随着温度的升高,吸附络合物的稳定性降低,其向反应物方向的解吸附变得容易,而向产物方向的解离难度增加.

原子层淀积技术应用于太阳电池的研究进展

原子层淀积(ALD)是一种先进的纳米级薄膜生长技术,在微电子和光电子领域有着广泛的应用前景,尤其在提高太阳电池的光电转换效率方面正发挥越来越大的作用,很可能成为下一代太阳电池工艺中的重要方法。文章综述了近年来ALD技术在太阳电池领域的应用研究进展,详细介绍了ALD技术应用在不同类型太阳电池的最新研究成果和存在的问题,并对其发展趋势进行了展望。

阳极氧化铝的原子层淀积封孔研究

制备了多孔阳极氧化铝,利用原子层淀积技术对其封孔,借助场发射扫描电镜(SEM)分析了样品的表面及剖面形貌,对样品进行染色处理,利用酸性点滴试验测试样品抗腐蚀性能。结果表明:阳极氧化处理形成大孔径约为16 nm的多孔膜,多孔膜在循环50次的原子层淀积下能实现表面封孔而内部有空结构;经封孔后的样品抗染色及抗腐蚀能力增强。

原子层淀积Si掺杂ZnO薄膜的光电性能研究

文章对原子层淀积(ALD)Si掺杂ZnO(SZO)薄膜的结构、电学和光学性能进行研究.通过生长ZnO和SiO2叠层的方法得到不同硅(Si)掺杂浓度的SZO薄膜,XRD测量结果表明,SZO薄膜为多晶结构,AFM测量结果表明,掺杂后样品的表面粗糙度变小.随着Si掺杂浓度的提高,SZO薄膜的载流子浓度先增大后减小,电阻率不断增大. SZO薄膜的可见光透射率在85%之上,光致发光谱表面SZO薄膜的发光以紫外光为主. ALD生长的SZO薄膜可以通过调整Si浓度对其光电性能进行精确调控,在透明导电薄膜、薄膜晶体管、紫外发光和探测器件方面有巨大的应用潜力.

黄土中古土壤淀积类型

作者在西安附近发现了第１、４层古土壤的双层淀积和第５、８层古土壤多层淀积现象。资料表明，双层淀积、多层淀积和厚度异常大的ＣａＣＯ＿３淀积层是土壤具多元发生过程或受后期淋溶的产物，它们常代表两个或两个以上的成壤期。第１层古土壤下部的两层结核均不属古土壤组成部分，该层土壤为中、酸性森林土壤。第８层古土壤特殊的厚层淀积代表了气候的多次变化和多个成壤期。第４、５层古土壤具不连续ＣａＣＯ３和Ｆｅ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３淀积层，这两层古土壤为酸性森林土壤。

TaN薄膜原子层淀积(英文)

我们成功合成了TaN薄膜原子层淀积的高纯有机钽先驱物并使其特性化,同时对这些先驱物的汽压和热稳定性进行了研究。根据汽压分析发现,TBTEMT比所有其它已发表的液体TaN先驱物(包括TBTDET、TAITMATA和IPTDET)具有更高的汽压。用1HNMR技术研究了这些烷基先驱物的热稳定性。结果表明,与乙二烯基先驱物相比,对于TBTDET和TBTEMT材料,特丁基群是最稳定的基群。TaN先驱物热稳定性按以下次序下降:TBTDET>PDMAT>TBTEMT。最后,通过对金属中央周围的配合基体进行轻微的调整使先驱物汽压和热稳定性处于良好的状态。

ALD淀积温度对HfO_2高k栅介质材料特性的影响

采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生长速率受生长温度的影响很大,在高温区将随着温度的上升而增大,而在低温区将随着温度的降低而增大.通过分析HfO2薄膜的C-V特性发现,不同生长温度下淀积的HfO2薄膜的介电常数和氧化层缺陷数量都有很大区别,过高和过低的生长温度都将增加HfO2薄膜中的原生缺陷,其中,280℃～310℃区间生长的HfO2薄膜中的缺陷最少.

陕西洛川黄土中第5层古土壤与环境研究

野外调查和室内分析资料表明,黄土高原中部的洛川一带500ka前后发育的第5层古土壤上、下部分层的CaCO3淀积层和部分Fe2O3已迁出了古土壤层,该层古土壤是不具CaCO3淀积层的淋溶性中酸性土壤,剖面构型为Bts Cs Cl Bk C型。这一古土壤底部之下发育了风化淋滤黄土层,指示当时风化淋滤深度和强度比现今大,是250万年来最温湿气候事件的显示。该层古土壤发育时亚热带气候迁移到了黄土高原中部,当时年均温度为15℃左右,年均降水量为850mm左右。

扩锑的掺杂氧化物淀积系统

本文描写了应用氧化物掺杂的锑扩散系统。这个扩散系统适合pnp晶体管基区扩散。显然,用于集成电路的埋层扩散比现有的系统要好。设备包括一个电炉,用它加热放片子的旋转台。气体能自动地按编好的程序依次送入（CH3）3Sb（锑源）、SiH4、氧和氮。气体经过倒置的玻璃漏斗送到片子。在较低的温度下（315℃）进行淀积,一般只需5分钟。再扩散之前,淀积层由Sb2O5或者SiO2—Sb2O5混合物组成。用SiO2盖层防止Sb从表面蒸发。再扩散在通常扩散温度下进行。利用误差分布函数计算出在1200℃时的扩散系数为8.3×10-13cm2sec-1。从已发表的曲线推导出表面浓度为5×1019cm-3。扩散系数比发表的数值高,可能是由于在整个扩散过程中Sb2O5过量所引起。此系统已用于硅器件,但对锗扩散也有效。

降低高k介质层微粒污染的工艺研究

随着集成电路制造技术节点进一步缩减,高k介质层金属栅工艺得到广泛应用。该工艺中,减少高k介质层淀积的微粒污染对后续膜层的生长质量至关重要。采用原子层淀积法生长了高k的HfO2层。针对高k层表面容易引入微粒污染的问题,采取了改变HfO2淀积过程反应物H2O、HfCl4的脉冲时间和冲洗时间的方法。当H2O的冲洗时间增加量为3000 ms时,微粒数量、杂质Cl离子含量显著降低。该工艺研究对实际工艺中高k层的可靠性、合格率的提高和生产成本的降低均有重要价值。

氮化铝薄膜的原子层淀积制备及应用

以三甲基铝(TMA)和氨气(NH3)为源,在原子层淀积设备上实现了氮化铝薄膜的制备.通过扫描电子显微镜、X射线能谱仪和原子力显微镜对氮化铝薄膜的生长速率、成分和粗糙度进行了分析,优化了薄膜淀积工艺.以每周期单分子层的生长模式进行氮化铝薄膜淀积,淀积速率为每周期0.205 nm,厚度为61 nm的薄膜粗糙度为0.69 nm.利用原子层淀积氮化铝薄膜的保型性,通过nm级薄膜厚度的控制,制备了复杂的环形光子晶体器件,其工艺精度高达50 nm.

快速热退火对原子层淀积铂纳米颗粒的影响

以(MeCp)Pt(CH3)3和O_2为反应源,采用原子层淀积(ALD)技术在A1_2O_3衬底上制备Pt纳米颗粒,研究了在氮气中快速热退火对Pt纳米颗粒的特性的影响。结果表明,随着退火温度从700℃升高到900℃,Pt纳米颗粒尺寸逐渐增大,颗粒之间分离愈加清晰,形貌趋向球形,但颗粒密度稍有降低。随着在800℃退火时间从15 s增加到60 s,Pt纳米颗粒的尺寸逐渐增大,尺寸分布变得更加弥散,颗粒的密度逐渐降低;其中退火15 s后的Pt纳米颗粒密度高(9.29×10★cm-2)、分布均匀、分离清晰。900℃退火后在Pt纳米颗粒中出现部分氧化态的Pt原子,其原因可能是在高温下Pt纳米颗粒与A1_2O_3薄膜之间发生了界面化学反应。

广东省典型花岗岩成土剖面元素垂向分布特征

对广东省南部花岗岩广泛发育地区的两个花岗岩风化剖面进行部分主量元素和重金属元素含量变化的研究表明：研究区成土过程是Na、Mg、K、Ca持续风化淋失的过程,且风化程度较高,土壤剖面中重金属元素与主量元素含量的变化趋势一致。研究区两土壤剖面的淋溶作用较强,淋溶层深达200 cm,淀积层深度为100-300 cm。在淀积层内,随着Ca、K、Na、Mg等主量元素的新生矿物沉淀,As、Cd、Pb、Zn、Ni等元素也相对富集,是广东地区深层土壤As、Pb等元素含量高于表层土壤的可能成因之一。