传统 PECVD高品质氢化非晶硅的淀积率

根据 Winer模型 ,联合 Winer模型和 Street的氢化学势理论 ,分别研究了传统 PECVD( CPECVD)高品质氢化非晶硅 ( HQ a-Si:H)的淀积率上限 rdup和淀积率 rd 与 a-Si:H缺陷密度 ND 的关系。得到的结论是 :( 1 )rdup=1 .6nm/s(目前实验上 rd 已接近 1 .0 nm/s)。( 2 )对每一优化淀积温度 ( Ts=2 0 0～ 30 0°C) ,存在一相应的优化淀积率 rdop,当 rd<rdop时 ,rd 增加 ,ND减小 (解释了 Tsuda etal的实验曲线的左边 )。还讨论了在大淀积率下( 0 .5 nm/s<rd<rdup)制备 HQ a-Si:H时避免粉末形成的可能方法。结果显示 :适当功率密度 Pd/Si H4 流速率 fr和 (或 )适当的 Si H4 气压 Pr/fr匹配是至关重要的。

掺杂对多晶硅薄膜的影响

该文简要地论述了掺杂对多晶硅薄膜淀积的影响,并就掺杂对多晶硅薄膜淀积率的影响作了一些解释。

用于PDP应用的高速MgO溅射源

ＢＰＳ研制出一种用于ＰＤＰ应用的新型高速ＭｇＯ溅射源。该溅射源与现有的用于大批量生产的立式串级系统完全兼容。工艺过程是基于在金属镁靶上进行的全反应。此装置采用特殊设计，可解决低附着率以及由于靶电弧所引起的工艺不稳定等问题。本文还进一步讨论了表面拓朴学，溅射阻力以及其它有影响的参数。