扩锑的掺杂氧化物淀积系统

本文描写了应用氧化物掺杂的锑扩散系统。这个扩散系统适合pnp晶体管基区扩散。显然,用于集成电路的埋层扩散比现有的系统要好。设备包括一个电炉,用它加热放片子的旋转台。气体能自动地按编好的程序依次送入（CH3）3Sb（锑源）、SiH4、氧和氮。气体经过倒置的玻璃漏斗送到片子。在较低的温度下（315℃）进行淀积,一般只需5分钟。再扩散之前,淀积层由Sb2O5或者SiO2—Sb2O5混合物组成。用SiO2盖层防止Sb从表面蒸发。再扩散在通常扩散温度下进行。利用误差分布函数计算出在1200℃时的扩散系数为8.3×10-13cm2sec-1。从已发表的曲线推导出表面浓度为5×1019cm-3。扩散系数比发表的数值高,可能是由于在整个扩散过程中Sb2O5过量所引起。此系统已用于硅器件,但对锗扩散也有效。

用具有单晶硅辐射基片加热器和活性氧发生器的激光淀积系统制备双面YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜

超导微波器件是高温超导薄膜的重要应用之一,尤其是使用YBa_2Cu_2O_(7-δ)(YBCO)高温超导薄膜制作无源微波器件,例如超导微带谐振器、滤波器、超导天线、超导延迟线等,更受到各国有关研究组的重视,而且发展很快.这类器件的核心部件是一块刻成特定图形的YB-CO超导薄膜,在薄膜的另一面放置另一块低电阻率的金属薄膜或超导薄膜做为接地电极.这种结构的微波器件虽然取得了很大进展,但是仍然因为基片的微变形或金属电极的电阻而使器件的损耗较大,这种由于非理想接地电极引起的损耗可能占到总损耗的30%.如果用双面超导薄膜制作微波器件则这种损耗可以消除.因而,使用双面超导薄膜制备超导微波器件是进一步降低微波损耗的重要途径.从90年代初到现在国际上一些先进的实验室一直进行制备双面超导薄膜的研究,并在美、日、德等国的一些实验室获得成功.制备双面超导薄膜的方法有多种,如脉冲激光淀积(PLD)法、MOCVD法、共蒸发法和溅射法等.在这些方法中脉冲激光淀积法因为有其独特的优点而倍受重视.采用激光法制备双面高T_c超导薄膜的关键之一是基片的非接触加热技术.目前常被采用的非接触加热方法有3种:1.卤素灯加热,2.空腔加热,3.二氧化碳激光加热.以上3种加热方法都存在着各种不同的缺点,例如结构复杂。

基于TEOS-O_2-N_2淀积SiO_2工艺研究

采用正硅酸乙脂热分解系统(TEOS-O2-N2)淀积SiO2工艺在大功率垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件及产品的研发和生产中有着非常重要的应用。主要介绍了正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅(SiO2)系统调试。通过大量的实验建立用正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅的工艺参数,并把实验淀积二氧化硅用于垂直双扩散金属氧化物半导体器件及产品的研发和生产中,取得了较为理想的结果。

半导体淀积工艺及其设备技术研究

薄膜工艺是半导体工艺重要组成部分,较广泛的采用物理气相沉积和化学气相沉积方法。通常把PECVD才直接称为淀积工艺,其工艺受多方面因素影响,通过工艺和设备技术的研究,提高工艺可靠性,减少设备故障。

七星华创与AV亿A携手挥军半导体设备制造领域

目前北京七星华创电子正式宣布与美国AVIZA科技达成合作意象，希望在内地提供亚微米热处理设备与淀积系统制造能力。据了解，北京七星华创电子与AVlzA的合作开创了我国设备产业的先河，通过与国际知名大厂相互切磋。

基于LT/HT生长法的高质量Si基Ge外延的制备与表征

为制备高性能硅(Si)基锗(Ge)外延材料,采用基于减压化学气相淀积系统(reduced pressure chemical vapor deposition,RPCVD)工艺的低温/高温(low temperature/high temperature,LT/HT)生长技术制备了厚度为1μm的Ge外延材料样品1、2,其中,LT阶段的生长温度为400~450℃,HT阶段的生长温度为700℃。通过原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)测试得到样品1、2的材料表面粗糙度均方根(root mean square,RMS)分别为0.66、0.86 nm,样品表面光滑程度较好。同时,根据X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)的测试结果得到样品1、2的应变度分别为0.21%、0.23%,Ge的衍射峰对称较好,表明材料结晶质量较高。通过对样品Ⅰ~Ⅳ进行热稳定性试验发现,在700℃条件下对Ge外延材料进行循环热退火,材料可以获得最好的晶体质量。