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GaAs_(0.6)P_(0.4):Te深中心的电声耦合与晶格弛豫
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作者 林东海 周必忠 +1 位作者 黄景昭 陈世帛 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期205-211,共7页
用DLTS技术结合光电容定态谱、瞬态谱、OITS谱研究了GaAs_(0.6)P_(0.4):Te深中心的光电性质和电声耦合作用,在GaAs_(0.6)P_(0.4):Te中检测到两种深中心(A和B中心),表观热激活能分别为0.20和0.40eV,光离化阀值分别为0.60和1.31eV。详细... 用DLTS技术结合光电容定态谱、瞬态谱、OITS谱研究了GaAs_(0.6)P_(0.4):Te深中心的光电性质和电声耦合作用,在GaAs_(0.6)P_(0.4):Te中检测到两种深中心(A和B中心),表观热激活能分别为0.20和0.40eV,光离化阀值分别为0.60和1.31eV。详细研究了B中心的特性,测量了光离化截面谱的温度关系,发现有明显的声于展宽现象和晶格弛豫效应,并在低温(90K)观察到B中心的持续光电导效应。描绘出位形坐标图,说明了实验结果,较好地描述了B中心的特性,确认B中心属于DX中心。 展开更多
关键词 GaAs1-xPx TE 深中心 电声耦合
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关于半导体中深中心位形坐标图的几个问题
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作者 高瑞堂 《东北林业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1992年第5期76-81,共6页
位形坐标图是描述固体中杂质缺陷中心上的电子与晶体耦合引起的多种物理效应的有力工具,在半导体深中心行为的统一描述中常被使用。本文给出了由实验数据建立半导体中深中心位形坐标图的简便方法,分析了位形坐标图中各有关能量值的物理... 位形坐标图是描述固体中杂质缺陷中心上的电子与晶体耦合引起的多种物理效应的有力工具,在半导体深中心行为的统一描述中常被使用。本文给出了由实验数据建立半导体中深中心位形坐标图的简便方法,分析了位形坐标图中各有关能量值的物理意义和容易混淆之处,指出了由实测数据建立位形坐标图时应注意温度效应这一因素。 展开更多
关键词 半导体 深中心 位形坐标图
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血液净化患儿中心静脉导管相关深静脉血栓风险预测模型的构建及验证
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作者 张丹 关汭昕 +4 位作者 孙海瑞 胡莉莉 吴函书 张葆荣 赵晓霜 《循证护理》 2023年第18期3324-3330,共7页
目的:构建血液净化患儿中心静脉导管相关深静脉血栓(central venous catheter-related deep venous thrombosis,CRT)风险预测模型,并检验模型的预测能力。方法:便利选取2018年1月—2021年6月吉林省某三级甲等医院儿童重症监护病房行血... 目的:构建血液净化患儿中心静脉导管相关深静脉血栓(central venous catheter-related deep venous thrombosis,CRT)风险预测模型,并检验模型的预测能力。方法:便利选取2018年1月—2021年6月吉林省某三级甲等医院儿童重症监护病房行血液净化治疗的286例患儿的临床资料作为建模集,根据是否发生CRT分为CRT组和非CRT组,采用Logistic回归分析构建风险预测模型,并绘制列线图。采用Hosmer-Lemeshow检验判断模型的拟合优度,采用受试者工作特征曲线(receiver operator characteristic curve,ROC)下面积(the area under the ROC curve,AUC)检验模型的预测效能;同时选取2021年7月—2022年3月行血液净化治疗的70例患儿临床资料作为验证集进行模型外部验证。结果:年龄(OR=1.063)、管路凝血(OR=3.420)、导管功能障碍(OR=2.097)、导管留置时间(OR=1.131)、抗凝不达标(OR=1.838)是血液净化患儿CRT的独立危险因素;小儿危重症评分(OR=0.431)是血液净化患儿CRT的保护因素。Hosmer-Lemeshow检验结果显示,χ^(2)=11.354,P=0.182,建模集AUC为0.765,95%CI(0.709,0.820),约登指数为0.477,最佳截断点为0.369,敏感度82.30%,特异度65.40%;验证集AUC为0.745,95%CI(0.627,0.863),最佳截断点0.578,灵敏度为64.50%,特异度为76.90%。结论:该风险预测模型预测效果良好,结合临床实际可为临床评估血液净化患儿CRT的发生风险提供参考。 展开更多
关键词 中心静脉导管相关静脉血栓 血液净化 危险因素 风险预测模型 护理
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市中心科研园区内深基坑工程施工技术 被引量:1
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作者 王稣 《建筑科技》 2023年第4期55-57,64,共4页
3#人防地下车库深基坑工程位于上海市中心城区正常运行的科研园区内,基坑四周毗邻既有科研建筑、地下管线及障碍物情况复杂,对深基坑工程施工及变形控制带来了巨大挑战。分析工程施工特点、难点,提炼工程实施部署后,确定关键施工方案,... 3#人防地下车库深基坑工程位于上海市中心城区正常运行的科研园区内,基坑四周毗邻既有科研建筑、地下管线及障碍物情况复杂,对深基坑工程施工及变形控制带来了巨大挑战。分析工程施工特点、难点,提炼工程实施部署后,确定关键施工方案,辅以相关基坑施工技术措施,将基坑变形控制在可控范围内,在安全施工的同时未对周围建筑及地下管线造成不利影响,为类似中心城区科研单位深基坑工程提供理论和实践经验。 展开更多
关键词 中心基坑工程 施工平面规划 技术措施 管线搬迁 障碍物处理
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分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别 被引量:1
5
作者 卢励吾 张砚华 +1 位作者 J.Wang WeikunGe 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期372-376,共5页
应用深能级瞬态谱 (DLTS)技术研究分子束外延 (MBE)生长的highelectronmobilitytransistors (HEMT)和Pseudo morphichighelectronmobilitytransistors (P HEMT)结构深中心行为 .样品的DLTS谱表明 ,在HEMT和P HEMT结构的n AlGaAs层里存... 应用深能级瞬态谱 (DLTS)技术研究分子束外延 (MBE)生长的highelectronmobilitytransistors (HEMT)和Pseudo morphichighelectronmobilitytransistors (P HEMT)结构深中心行为 .样品的DLTS谱表明 ,在HEMT和P HEMT结构的n AlGaAs层里存在着较大浓度 (10 1 5- 10 1 7cm- 3 )和俘获截面 (10 - 1 6cm2 )的近禁带中部电子陷阱 .它们可能与AlGaAs层的氧含量有关 .同时还观察到P HEMT结构晶格不匹配的AlGaAs InGaAs GaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心 (与硅有关 )能级位置的有序移动 .其移动量可作为应力大小的一个判据 ,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具 . 展开更多
关键词 分子束外延生长 高电子迁移率 超高速微结构 功能材料 深中心识别 能级瞬态谱 光电器件
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MBE和MOCVD生长的AIGaAs/GaAs GRIN—SCH SQW激光器深中心的比较
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作者 卢励吾 周洁 +2 位作者 封松林 徐俊英 杨辉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期1249-1255,共7页
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)生长的AlGaAs/GaAs graded index sparate confinement beterostruc-ture single quantum well(GRIN-SCH SQW)激光器的深中心.结果表明,在激光器的n-... 应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)生长的AlGaAs/GaAs graded index sparate confinement beterostruc-ture single quantum well(GRIN-SCH SQW)激光器的深中心.结果表明,在激光器的n-ALGaAs层里除众所周知的DX中心外,还存在着较大浓度和俘获截面的深(电子或空穴) 陷阱,它们直接影响着激光器的性能.其中MBE生长的激光器里的深空穴陷阱H1可能分布在x_(A1)=0.22→0.43和x+(A1)=0.43的n-AlGaAs层里x_(A1)值不连续的界面附近,而深电子陷阱E3则可能分布在x_(A1)=0.43的n-AlGaAs层里x_(A1)值不连续的界面附近.MOCVD生长的激光器量子阱的AlGaAs层存在着DX中心和深电子陷阱.其中深电子陷阱E3可能分布在x_(A1)=0.22→0.30和x_(A1)=0.30的n-AlGaAs层里,而DX中心则分布在x_(A1)(x_(A1)=0.22→0.30和x_(A1)=0.30)值不连续的n-AlGaAs层界面附近. 展开更多
关键词 电性质 激光器 ALGAAS 深中心 MBE MOCVD
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Si衬底上生长的GaAs薄膜中深中心发光的温度效应
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作者 赵家龙 高瑛 +5 位作者 刘学彦 窦恺 黄世华 虞家琪 梁家昌 高鸿楷 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第11期1564-1567,共4页
测量了Si衬底上生长的GaAs薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱,研究了0.78eV、0.84eV和0.93eV发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系,发现它们的发光强度随温度的变化服从描述非晶半导体中局域态... 测量了Si衬底上生长的GaAs薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱,研究了0.78eV、0.84eV和0.93eV发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系,发现它们的发光强度随温度的变化服从描述非晶半导体中局域态发光的公式。最后讨论了这些发光带的来源。 展开更多
关键词 光致发光 薄膜 深中心 砷化镓 半导体薄膜
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气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心
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作者 王海龙 韦志禄 +7 位作者 李耀耀 王凯 潘文武 吴晓燕 岳丽 李士玲 龚谦 王庶民 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1532-1537,共6页
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP... 利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP0.9751Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1,H1的能级位置为Ev+0.31 eV,俘获截面为2.87×10^(-17)cm^2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn,深中心H1可能来源于形成的Bi原子对或者更复杂的与Bi相关的团簇。明确这些缺陷的起源对于InPBi材料在器件应用方面具有重要的意义。 展开更多
关键词 InPBi 深中心 能级瞬态谱(DLTS) 气源分子束外延(GSMBE)
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分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x深中心研究
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作者 卢励吾 张砚华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期286-293,共8页
应用电容电压、光致荧光和深能级瞬态谱技术研究了分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS1-xTex外延层深中心.Al掺杂ZnS0977Te0023的光致荧光强度明显低于不掺杂的ZnS0977Te0023,这表明一... 应用电容电压、光致荧光和深能级瞬态谱技术研究了分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS1-xTex外延层深中心.Al掺杂ZnS0977Te0023的光致荧光强度明显低于不掺杂的ZnS0977Te0023,这表明一部分Al原子形成非辐射深中心.Al掺杂ZnS1-xTex(x=0,0017,004和0046)的深能级瞬态傅里叶谱表明,Al引进导带下的021和039eV电子陷阱,Te除了作为材料合金的成分和等电子中心外,还涉及到一个电子陷阱的形成,其相对于导带的能级位置随Te组分增加而减小.实验结果还表明仅有少量掺杂的Al原子形成非辐射中心。 展开更多
关键词 硫化锌 深中心 分子束外延生长 N型 铝掺杂
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Si基MOCVD生长AlN深陷阱中心研究
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作者 邓咏桢 郑有炓 +9 位作者 周春红 孔月婵 陈鹏 叶建东 顾书林 沈波 张荣 江若琏 韩平 施毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1109-1113,共5页
通过 PL 谱和 Raman谱对 MOCVD生长 Si基 Al N的深陷阱中心进行了研究 ,发现三个深能级 Et1 ,Et2 ,Et3,分别在 Ev 上 2 .6 1,3.10 ,2 .11e V.Et1 是由氧杂质和氮空位 (或 Al间隙原子 )能级峰位靠近重合共同引起的 ,Et2 、Et3都是由于衬... 通过 PL 谱和 Raman谱对 MOCVD生长 Si基 Al N的深陷阱中心进行了研究 ,发现三个深能级 Et1 ,Et2 ,Et3,分别在 Ev 上 2 .6 1,3.10 ,2 .11e V.Et1 是由氧杂质和氮空位 (或 Al间隙原子 )能级峰位靠近重合共同引起的 ,Et2 、Et3都是由于衬底 Si原子扩散到 Al N引起的 .在 Si浓度较低时 ,Si主要以取代 Al原子的方式存在 ,产生深陷阱中心Et2 .Si浓度高于某个临界浓度时 ,部分 Si原子以取代 N原子位置的方式存在 ,形成深陷阱中心 Et3.实验还表明 ,即使经高温长时间退火 ,Al N中 Et1 和 Et2 展开更多
关键词 Si基AlN 陷阱中心 PL谱
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氮化镓材料中深能级中心光离化谱测试与分析
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作者 王莹 李素云 尹志军 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期2219-2222,共4页
设计了一种可用于测试氮化镓材料深能级中心光离化截面的光谱测试方法,该方法建立在使用PID技术控制氮化镓样品中光电流变化为恒定值的基础上,结合光电流测试、霍尔效应、光强度测试等实验手段给出深能级中心光离化截面的实际值。使用... 设计了一种可用于测试氮化镓材料深能级中心光离化截面的光谱测试方法,该方法建立在使用PID技术控制氮化镓样品中光电流变化为恒定值的基础上,结合光电流测试、霍尔效应、光强度测试等实验手段给出深能级中心光离化截面的实际值。使用该方法得到的光离化截面测试误差同光电探测器对不同入射光子的响应能力有关,光离化截面测试误差随入射光子能量增加不断增大,在入射光子能量较高的情况下,光离化截面测试误差约为8%。对氮化镓材料深能级中心光离化谱分析发现,即使在入射光子能量小于深能级同导带之间能量差2.85eV的情况下,深能级中心仍能在一定程度上吸收该能量的入射光子,表明深能级中心缺陷同周围晶格产生一定程度的耦合。 展开更多
关键词 光离化谱 氮化镓 能级中心 晶格弛豫
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中心静脉导管相关性深静脉血栓形成及其药物预防的探讨 被引量:12
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作者 叶艳平 段军 +3 位作者 方桦 曹承启 扬齐 陈谨 《首都医科大学学报》 CAS 北大核心 2010年第5期548-551,共4页
目的观察中心静脉导管相关性深静脉血栓形成(central venous catheter-related deep venous thrombosis,CVC-relatedDVT)的发生率;探讨预防性抗凝治疗对预防CVC-related DVT的有效性及安全性。方法112例因治疗需要置入中心静脉导管的患... 目的观察中心静脉导管相关性深静脉血栓形成(central venous catheter-related deep venous thrombosis,CVC-relatedDVT)的发生率;探讨预防性抗凝治疗对预防CVC-related DVT的有效性及安全性。方法112例因治疗需要置入中心静脉导管的患者,分为低分子肝素皮下注射治疗组(0.6 mL/d)及对照组各56例,中心静脉导管置入后1周、2周、4周、6周先后4次对入组患者导管所在深静脉及其临近深静脉进行血管彩色多普勒超声检查,观察是否有CVC-related DVT,同时观察出血不良反应。结果导管置入6周后,对照组及治疗组CVC-related DVT发生率分别为12.5%和1.8%,差异有统计学意义(P<0.05);治疗组中没有大出血发生。结论本研究结果显示中心静脉导管相关性深静脉血栓形成的发生率为12.5%(7/56),低分子肝素(0.6mL/d)皮下注射预防性抗凝治疗能显著降低其发生率。 展开更多
关键词 中心静脉导管 静脉血栓形成 肺栓塞 预防 中心静脉导管相关性静脉血栓形成
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利用重力异常和垂向-阶导数的特征点求水平圆柱体中心埋深 被引量:11
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作者 张爽 唐振 +3 位作者 李禄 田明阳 任俊龙 肖锋 《工程地球物理学报》 2017年第6期710-715,共6页
在位场中,特征点法可以用于求取具有规则形状的场源的中心埋深。基于常规重力异常的特征点法易受背景场的干扰而导致计算误差较大,而基于垂向一阶导数的特征点法则具有压制区域背景场,但易受噪声干扰。本文综合利用了重力异常和垂向一... 在位场中,特征点法可以用于求取具有规则形状的场源的中心埋深。基于常规重力异常的特征点法易受背景场的干扰而导致计算误差较大,而基于垂向一阶导数的特征点法则具有压制区域背景场,但易受噪声干扰。本文综合利用了重力异常和垂向一阶导数的特征点来求取场源的中心埋深(简称综合特征点法)。在一定程度上,综合特征点法减弱了异常分离不彻底和随机噪声对计算结果的影响。通过理论重力模型试验得出,与常规重力异常特征点法和垂向一阶导数特征点法相比,综合特征点法计算的场源中心埋深精度更高。将该方法应用于实际矿洞重力剖面数据的处理中,计算的矿洞中心埋深与实际测量结果接近。 展开更多
关键词 特征点 重力异常 垂向一阶导数 场源中心 水平圆柱体
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热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响
14
作者 张砚华 范缇文 +3 位作者 陈延杰 吴巨 陈诺夫 王占国 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第4期369-371,共3页
利用光致瞬态电流谱 (OpticalTransientCurrentSpectrumOTCS)研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响。实验结果表明原生和退火的LT GaAs中都存在三个主要的深中心LT1、LT2 、LT3,退火后各峰的相对强度变化很大 ,特别ILT1 IL... 利用光致瞬态电流谱 (OpticalTransientCurrentSpectrumOTCS)研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响。实验结果表明原生和退火的LT GaAs中都存在三个主要的深中心LT1、LT2 、LT3,退火后各峰的相对强度变化很大 ,特别ILT1 ILT3 =C由退火前的C >>1到退火后C <<1 ,退火温度越高 ,C值越小 ,这主要归因于热退火过程中砷的集聚与沉淀致使与砷反位缺陷AsGa及砷间隙Asi相关的LT1能级浓度的下降 ,反之 ,与镓空位VGa 相关的LT3能级浓度上升。另外经 80 0℃ ,1 0min热退火后 ,在LT2 峰处出现了负瞬态 ,可能是由于高温退火条件下形成的大尺寸 。 展开更多
关键词 热退火 能级中心 砷化镓 低温分子束外延
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基于重力异常特征点的等轴状场源中心埋深自动化估计算法 被引量:1
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作者 张攀 杜劲松 邱峰 《工程地球物理学报》 2020年第6期743-751,共9页
在重力勘探中,特征点法是针对规则形体场源的一种简单、快速与比较可靠的反演方法,在实际生产中得到了广泛的应用。本文将特征点法与自动化算法相结合,自动挑选出重力数据中的(似)等轴状异常,并且进行中心埋深及其边界位置估计,通过理... 在重力勘探中,特征点法是针对规则形体场源的一种简单、快速与比较可靠的反演方法,在实际生产中得到了广泛的应用。本文将特征点法与自动化算法相结合,自动挑选出重力数据中的(似)等轴状异常,并且进行中心埋深及其边界位置估计,通过理论模型试验和实测资料应用,均表明了该算法的可行性与实用性。 展开更多
关键词 重力异常 特征点 中心 等轴状场源 自动化算法
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深港开放创新中心连体结构设计 被引量:2
16
作者 覃建华 周斌 陈琳 《建筑结构》 CSCD 北大核心 2022年第23期69-77,共9页
深港开放创新中心由西至东跌落退台,逐渐收进,中部形成中央庭院,中庭区域通过室内连廊和观光楼梯相连,两栋塔楼分别在低区3~4层、高区11~14层通过三座跨2层高和一个跨4层高的连廊连接。结构存在扭转不规则及偏心布置、凹凸不规则等6个... 深港开放创新中心由西至东跌落退台,逐渐收进,中部形成中央庭院,中庭区域通过室内连廊和观光楼梯相连,两栋塔楼分别在低区3~4层、高区11~14层通过三座跨2层高和一个跨4层高的连廊连接。结构存在扭转不规则及偏心布置、凹凸不规则等6个不规则项,属于高层超限结构。简要介绍了项目的整体情况,重点叙述了设计关键点:跨地块连廊分析、大跨转换桁架分析、斜柱和分叉柱分析等;同时进行了小震、中震弹性、大震弹塑性分析,并对分析结果提出了针对性的加强措施。通过基于抗震性能的分析,工程满足“小震不坏、中震可修、大震不倒”设防目标要求,可以实现预期的抗震性能目标C级要求。 展开更多
关键词 港开放创新中心 连体结构 高层超限结构 跨地块连廊 大跨转换桁架 斜柱 分叉柱 性能目标
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深基坑支护在工程中的应用探讨——以保定逸品汇商业中心为例 被引量:1
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作者 安静 《建设科技》 2021年第24期25-27,共3页
随着我国城市建设水平提升,在城市建筑密集地区的建筑工程越来越多,基坑支护深度越来越深,周边环境越来越复杂,对基坑支护的要求也越来越严格。本文以某案例论述,当深基坑周边环境复杂时,在保证深基坑结构及周边环境安全的前提下合理地... 随着我国城市建设水平提升,在城市建筑密集地区的建筑工程越来越多,基坑支护深度越来越深,周边环境越来越复杂,对基坑支护的要求也越来越严格。本文以某案例论述,当深基坑周边环境复杂时,在保证深基坑结构及周边环境安全的前提下合理地选择支护结构体系,不仅会产生很好的经济效益也能缩短工期。 展开更多
关键词 商业中心基坑 基坑支护 工程实况
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深港国际中心项目桩基础工程施工技术难点与控制措施研究
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作者 张震 《房地产世界》 2021年第1期70-72,共3页
桩基础是工程施工中一种较为常见的基础形式,在建筑工程中得到了广泛应用,虽然在工程建设中出现了很多新型的基础形式,但桩基础仍是公认的最为有效的基础形式。本文结合深港国际中心项目,论述了该项目桩基础工程施工的难点与对策,其研... 桩基础是工程施工中一种较为常见的基础形式,在建筑工程中得到了广泛应用,虽然在工程建设中出现了很多新型的基础形式,但桩基础仍是公认的最为有效的基础形式。本文结合深港国际中心项目,论述了该项目桩基础工程施工的难点与对策,其研究成果可为相关应用与研究提供参考。 展开更多
关键词 桩基础工程 港国际中心 应用 施工难点 对策
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太原生产力促进中心不锈钢深加工产业分中心正式挂牌成立
19
作者 许巍巍 《太原科技》 2004年第3期72-72,共1页
关键词 太原生产力促进中心不锈钢加工产业分中心 技术推广 企业技术创新 技术培训
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洋山深水港对上海国际仲裁中心建设的意义(英文)
20
作者 张芬 王学锋 殷明 《集装箱化》 2005年第12期32-35,共4页
关键词 TEU
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