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分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别
被引量:
1
1
作者
卢励吾
张砚华
+1 位作者
J.Wang
WeikunGe
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期372-376,共5页
应用深能级瞬态谱 (DLTS)技术研究分子束外延 (MBE)生长的highelectronmobilitytransistors (HEMT)和Pseudo morphichighelectronmobilitytransistors (P HEMT)结构深中心行为 .样品的DLTS谱表明 ,在HEMT和P HEMT结构的n AlGaAs层里存...
应用深能级瞬态谱 (DLTS)技术研究分子束外延 (MBE)生长的highelectronmobilitytransistors (HEMT)和Pseudo morphichighelectronmobilitytransistors (P HEMT)结构深中心行为 .样品的DLTS谱表明 ,在HEMT和P HEMT结构的n AlGaAs层里存在着较大浓度 (10 1 5- 10 1 7cm- 3 )和俘获截面 (10 - 1 6cm2 )的近禁带中部电子陷阱 .它们可能与AlGaAs层的氧含量有关 .同时还观察到P HEMT结构晶格不匹配的AlGaAs InGaAs GaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心 (与硅有关 )能级位置的有序移动 .其移动量可作为应力大小的一个判据 ,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具 .
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关键词
分子束外延生长
高电子迁移率
超高速微结构
功能材料
深中心识别
深
能级瞬态谱
光电器件
原文传递
题名
分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别
被引量:
1
1
作者
卢励吾
张砚华
J.Wang
WeikunGe
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室
香港科技大学物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期372-376,共5页
基金
国家重点基础研究发展项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 6 83)
香港科技大学资助项目 (批准号 :HKUST6 135 97P)资助的课题~~
文摘
应用深能级瞬态谱 (DLTS)技术研究分子束外延 (MBE)生长的highelectronmobilitytransistors (HEMT)和Pseudo morphichighelectronmobilitytransistors (P HEMT)结构深中心行为 .样品的DLTS谱表明 ,在HEMT和P HEMT结构的n AlGaAs层里存在着较大浓度 (10 1 5- 10 1 7cm- 3 )和俘获截面 (10 - 1 6cm2 )的近禁带中部电子陷阱 .它们可能与AlGaAs层的氧含量有关 .同时还观察到P HEMT结构晶格不匹配的AlGaAs InGaAs GaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心 (与硅有关 )能级位置的有序移动 .其移动量可作为应力大小的一个判据 ,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具 .
关键词
分子束外延生长
高电子迁移率
超高速微结构
功能材料
深中心识别
深
能级瞬态谱
光电器件
Keywords
molecular beam epitaxy growth
P-HEMT and HEMT functional materials
deep centers
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别
卢励吾
张砚华
J.Wang
WeikunGe
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
原文传递
已选择
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