0.1微米级MOS器件制作与特性研究

对 0 .1微米级 MOS器件的制作方法进行了研究 ,并提出了两次曝光的新方法。文中还介绍了芯片制作所用版图设计和实际制作过程 ,得到了最小沟道长为 0 .12微米的 MOS器件。最后对沟长 0 .12、0 .19和 0 .2 5微米的 MOS器件特性进行了测试 ,得出了 0 .1微米级

二维短沟道MOSFET阈值电压分析模型

随着器件尺寸的进一步减小,由量子效应导致的能带分裂对MOSFET中阈值电压特性的影响变得越来越重要。提出了一个包含量子效应(QME)的短沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)分析的阈值电压模型,该模型建立在求解包含量子校正的泊松方程的基础上。分析在泊松方程中考虑量子效应后建立的分析的阈值电压模型可知:随着器件尺寸的减小,由量子效应和短沟道效应引起的阈值电压的升高变得越来越严重。本模型的优点是没有引入额外的物理参数。