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深亚微米集成电路设计中串扰分析与解决方法 被引量:3
1
作者 马剑武 陈书明 孙永节 《计算机工程与科学》 CSCD 2005年第4期102-104,共3页
本文介绍了深亚微米集成电路设计中串扰的成因及其对信号完整性的影响,论述了串扰分析和设计解决的一般方法,对于实际设计具有一定的理论指导意义和应用参考价值。本文最后指出了我们工作的进一步研究方向。
关键词 深亚微米集成电路 电路设计 信号完整性 串扰分析
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深亚微米集成电路中的ESD保护问题 被引量:2
2
作者 王勇 李兴鸿 《电子与封装》 2005年第10期26-31,共6页
本文对深亚微米工艺所引起的集成电路抗静电能力下降的原因和传统保护电路设计的缺陷进行了深入的阐述,从制造工艺、保护电路元件和保护电路结构三方面对深亚微米集成电路中的ESD
关键词 深亚微米集成电路 ESD保护
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超深亚微米集成电路可靠性技术
3
作者 恩云飞 孔学东 《电子产品可靠性与环境试验》 2005年第B12期56-59,共4页
就超深亚微米集成电路中高k栅介质、金属栅、Cu/低k互连等相关可靠性热点问题展开讨论,针对超深亚微米集成电路可靠性问题,提出可靠性设计、生产过程的质量控制、可靠性评价与失效分析是集成电路可靠性综合评价与保证的核心思想,为产品... 就超深亚微米集成电路中高k栅介质、金属栅、Cu/低k互连等相关可靠性热点问题展开讨论,针对超深亚微米集成电路可靠性问题,提出可靠性设计、生产过程的质量控制、可靠性评价与失效分析是集成电路可靠性综合评价与保证的核心思想,为产品可靠性评价与保证提供指导性参考。 展开更多
关键词 深亚微米集成电路 可靠性 高K栅介质 金属栅 Cu/低k互连
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深亚微米集成电路中的连线分割和缓冲器插入 被引量:1
4
作者 白宁 林争辉 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期323-327,共5页
为在一定的时间限制下得到最少的缓冲器插入数目和连线分段数目 ,提出了一种深亚微米电路设计方法 .该方法通过将传统的可变尺寸驱动连线模型改为缓冲器连线分段模型 ,得到了最优的缓冲器插入数目和连线分段数目 .实验结果表明 ,在不同... 为在一定的时间限制下得到最少的缓冲器插入数目和连线分段数目 ,提出了一种深亚微米电路设计方法 .该方法通过将传统的可变尺寸驱动连线模型改为缓冲器连线分段模型 ,得到了最优的缓冲器插入数目和连线分段数目 .实验结果表明 ,在不同的时间限制下 。 展开更多
关键词 深亚微米集成电路 连线分割 缓冲器插入
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深亚微米集成电路高层次设计方法进展 被引量:2
5
作者 鲁瑞兵 魏少军 《电子商务》 1999年第4期7-11,17,共6页
解决深亚微米条件下连线延迟所带来的影响问题已成为当前集成电路设计方法学研究的重点。本文试图从介绍几个主要的深亚微米集成电路的高层次设计方法入手,通过分析它们各自的优缺点,探讨解决这一问题可能的方向和途径。
关键词 深亚微米集成电路 高层次综合 连线延迟
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深亚微米集成电路工艺中铜金属互联技术 被引量:7
6
作者 徐小城 《微电子技术》 2001年第6期1-7,共7页
本文介绍了铜互联技术在深亚微米半导体工艺中的应用 ,重点介绍了铜金属互联技术中的关键工艺 ,包括在器件中采用铜金属互联线以降低互联延迟 ,大马士革 (Damascene)结构微细加工工艺 ,物理汽相淀积 (PVD)技术制备铜扩散阻挡层 (Barrier... 本文介绍了铜互联技术在深亚微米半导体工艺中的应用 ,重点介绍了铜金属互联技术中的关键工艺 ,包括在器件中采用铜金属互联线以降低互联延迟 ,大马士革 (Damascene)结构微细加工工艺 ,物理汽相淀积 (PVD)技术制备铜扩散阻挡层 (Barrier)和铜子晶层 (Cu seed) ,铜金属层化学电镀技术 (Electroplating) ,对铜金属互联工艺集成方面的要点也作了一些探讨。 展开更多
关键词 大马士革结构 深亚微米集成电路 铜金属互联技术
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深亚微米集成电路设计中的互连线延迟问题 被引量:2
7
作者 陈小桥 袁兴娟 陈晓东 《电子与封装》 2005年第3期29-32,共4页
深亚微米集成电路的互连线延迟是设计中需十分重视并必须解决的问题。本文讨论了影响互连线延迟的因素并对深亚微米物理设计的关键步骤中如何考虑并解决互连线延迟问题进行叙述和讨论。
关键词 深亚微米大规模集成电路 互连线 延迟 布局 布线
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我国的深亚微米集成电路
8
作者 顾伟民 《知识就是力量》 2001年第1期36-36,共1页
关键词 深亚微米集成电路 电子元件 芯片技术 成果鉴定
原文传递
超深亚微米单元工艺库快速表压缩方法 被引量:2
9
作者 栾志国 严晓浪 +1 位作者 罗小华 葛海通 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期41-44,47,共5页
 针对超深亚微米集成电路工艺库中的快速查表模型,提出了一种新的曲面拟合方法,实现了表压缩。从建立相应的数学模型入手,提出一种完备的表压缩方法。试验结果表明,在指定表大小的前提下,此压缩方法能在整体上得到相当小的偏差。
关键词 深亚微米单元工艺库 快速表压缩模型 深亚微米集成电路 曲面拟合 表压缩
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基于互连的一种FPGA最优功耗延时积设计 被引量:2
10
作者 马群刚 杨银堂 李跃进 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期32-35,共4页
为了有效地解决困扰现场可编程门阵列发展的功耗延时积问题,采用集成电路互连的分段式结构和低压摆电路,提出了一种基于互连的最优功耗延时积现场可编程门阵列设计方法.对于产生传输线效应的现场可编程门阵列互连,通过优化互连的段数,... 为了有效地解决困扰现场可编程门阵列发展的功耗延时积问题,采用集成电路互连的分段式结构和低压摆电路,提出了一种基于互连的最优功耗延时积现场可编程门阵列设计方法.对于产生传输线效应的现场可编程门阵列互连,通过优化互连的段数,在互连最外面的输入端和输出端分别连接低压摆电路的驱动部分和接收部分,在内部的每段互连之间插入最优尺寸的缓冲部分.理论与模拟表明,用这种方法设计的现场可编程门阵列能使功耗延时积减小近一个数量级,同时较好地保持现场可编程门阵列的面积性能. 展开更多
关键词 现场可编程门阵列互连 RLC模型 分段式结构 低压摆电路 功耗延时积 深亚微米集成电路
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一种单粒子翻转机制及其解决方法 被引量:2
11
作者 王亮 岳素格 孙永姝 《信息与电子工程》 2012年第3期355-358,共4页
针对某款超深亚微米专用集成电路(ASIC)出现的异常单粒子翻转现象,分析了导致异常翻转的机制,针对这种机制提出了2种解决方法,并给出了2种解决方法的适用范围。重离子试验结果表明,采用新方法实现的时序逻辑具备更高的翻转阈值和更低的... 针对某款超深亚微米专用集成电路(ASIC)出现的异常单粒子翻转现象,分析了导致异常翻转的机制,针对这种机制提出了2种解决方法,并给出了2种解决方法的适用范围。重离子试验结果表明,采用新方法实现的时序逻辑具备更高的翻转阈值和更低的翻转截面,基于新方法研制的ASIC产品的抗单粒子翻转能力得到显著提高。 展开更多
关键词 单粒子翻转 单粒子瞬态 时序单元电路 抗辐射加固 深亚微米集成电路
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硅衬底上共面线的特性及应用 被引量:7
12
作者 李富华 代文亮 +1 位作者 李征帆 王玉洋 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1181-1185,共5页
基于理论和实验结果对深亚微米硅集成电路中的共面传输线的特性进行了研究 ,提出了硅衬底上传输线分布参数的提取方法和减小共面线衰减的一些设计准则 .成功地将共面线应用在深亚微米高速集成电路的设计中 ,并给出了放大器芯片和共面线... 基于理论和实验结果对深亚微米硅集成电路中的共面传输线的特性进行了研究 ,提出了硅衬底上传输线分布参数的提取方法和减小共面线衰减的一些设计准则 .成功地将共面线应用在深亚微米高速集成电路的设计中 ,并给出了放大器芯片和共面线的测试结果 .测试结果表明 :在深亚微米 CMOS高速集成电路中 ,用共面线实现电感是一种行之有效的方法 . 展开更多
关键词 共面线 深亚微米CMOS集成电路 高速限幅放大器
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Challenges to Data-Path Physical Design Inside SOC 被引量:2
13
作者 经彤 洪先龙 +5 位作者 蔡懿慈 许静宇 杨长旗 张轶谦 周强 吴为民 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期785-793,共9页
Previously,a single data-path stack was adequate for data-path chips,and the complexity and size of the data-path was comparatively small.As current data-path chips,such as system-on-a-chip (SOC),become more complex,m... Previously,a single data-path stack was adequate for data-path chips,and the complexity and size of the data-path was comparatively small.As current data-path chips,such as system-on-a-chip (SOC),become more complex,multiple data-path stacks are required to implement the entire data-path.As more data-path stacks are integrated into SOC,data-path is becoming a critical part of the whole giga-scale integrated circuits (GSI) design.The traditional physical design methodology can not satisfy the data-path performance requirements,because it can not accommodate the data-path bit-sliced structure and the strict performance (such as timing,coupling,and crosstalk) constraints.Challenges in the data-path physical design are addressed.The fundamental problems and key technologies in data-path physical design are analysed.The corresponding researches and solutions in this research field are also discussed. 展开更多
关键词 physical design data-path bit-sliced structure SYSTEM-ON-A-CHIP giga-scale integrated circuits very-deep-submicron
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我国大直径硅单晶技术领先世界
14
作者 杨威 《金属世界》 1998年第1期12-12,共1页
1997年8月30日设在北京有色金属研究总院的半导体材料国家工程研究中心,成功地拉制出我国第一根直径12英寸(300mm)等径长度400mm、晶体重量81kg的直拉硅单晶,这标志着我国大直径单晶的研究又跨上一个新的台阶,已进入世界领先行列。 北... 1997年8月30日设在北京有色金属研究总院的半导体材料国家工程研究中心,成功地拉制出我国第一根直径12英寸(300mm)等径长度400mm、晶体重量81kg的直拉硅单晶,这标志着我国大直径单晶的研究又跨上一个新的台阶,已进入世界领先行列。 北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心,是我国半导体材料研究开发的主要基地。 展开更多
关键词 直拉硅单晶 大直径单晶 技术领先 国家工程研究中心 金属研究 硅抛光片 体材料 深亚微米集成电路 研究开发 生产线
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我国重点发展十二大工程
15
《焊接技术》 2001年第S2期26-26,共1页
关键词 重点发展 数字高清晰度电视 第三代数字移动通信系统 高速宽带网络建设 示范工程 产业化 集成电路设计企业 深亚微米集成电路 核心技术 《中国科技产业》
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Crosstalk Estimation and Optimization in Deep Sub-Micron VLSI 被引量:4
16
作者 刘庆华 唐璞山 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期535-542,共8页
RLC model is used to estimate the coupling noise between interconnect wires and make some analysis through the simulation result. Based on the analysis conclusion,some algorithms are developed to adjust the rou ting ... RLC model is used to estimate the coupling noise between interconnect wires and make some analysis through the simulation result. Based on the analysis conclusion,some algorithms are developed to adjust the rou ting result with crosstalk constraint. 展开更多
关键词 CROSSTALK coupling capacitance coupling inductance
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“十五”计划纲要名词解释
17
《前进》 2001年第5期47-48,共2页
关键词 “十五”计划纲要 名词解释 毛入学率 “种子工程” 双低油菜 深亚微米集成电路 三大合成材料
全文增补中
经济快讯
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《商务周刊》 2001年第22期14-15,共2页
10月21日 我国正在修订《企业破产法》,修订后的破产法将适用于各类所有制形式的大、中、小企业。根据新破产法,债务人在还清一定比例的债务之前,不能申办新企业。 10月26日 国家统计局最新数据表明,9月份全国工业品出厂价格比去年同月... 10月21日 我国正在修订《企业破产法》,修订后的破产法将适用于各类所有制形式的大、中、小企业。根据新破产法,债务人在还清一定比例的债务之前,不能申办新企业。 10月26日 国家统计局最新数据表明,9月份全国工业品出厂价格比去年同月下降2.9%,已连续数月呈负增长。短期内消费价格总水平仍将继续下降。 10月26日 国家环保总局称,明年起将在全国实施排污总量收费。收费标准将在目前的基础上提高1到2倍。 10月27日 展开更多
关键词 黄金制品 企业破产法 休伯特 深亚微米集成电路 宽带信息网络 第三代数字移动通信系统 召回制度 进口增长速度 世界经济环境 日据
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“十五”计划纲要有关名词解释
19
《理论与实践》 2001年第5期21-23,共3页
1.毛入学率 是指在校学生总数与政府规定的该学龄段人口总数的百分比。
关键词 “十五”计划 毛入学率 种子产业体系 合成材料 干法水泥 差别化纤维 高速宽带信息网 深亚微米集成电路 电子认证 电子商务 光电子材料 器件 第三代移动通信网
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社会生产力在高起点上发展
20
作者 李永增 浦树柔 庄会宁 《瞭望》 北大核心 2000年第52期48-53,共6页
关键词 生产力跨越式发展 社会生产力 生物技术 信息技术 后发优势 高起点 深亚微米集成电路 产业革命 生物芯片 信息产业
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