铝酸钠溶液深度脱硅的研究

应用XRD等手段考察了氧化钙、立方水合铝酸钙、六方水合铝酸钙、水合碳铝酸钙和水合硫铝酸钙等含钙脱硅剂的性质。发现脱硅活性与它们的晶体结构有关,六方晶系的好于立方晶系;脱硅活性与晶面间距成正比,晶面间距越大,密度越小,活性比表面积越大,脱硅活性越好。实验结果表明,在相同条件下,脱硅活性次序是:水合硫铝酸钙>六方水合铝酸钙>水合碳铝酸钙>立方水合铝酸钙>氧化钙。

高苛性化系数铝酸钠溶液深度脱硅

研究了高苛性化系数铝酸钠溶液的深度脱硅．对加入CaO和C3AH6（3CaO·Al2O3·6H2O）的脱硅反应进行了热力学计算，并对NawO浓度、脱硅反应温度对脱硅精制液中SiO2浓度、脱硅率、硅量指数的影响进行了研究。结果表明，添加C3AH6一步脱硅，精制液硅量指数可达10000以上．

铝酸钠溶液深度脱硅

叙述了硅在铝酸钠溶液中的存在状态,指出了在烧结法生产氧化铝过程中铝酸钠溶液深度脱硅的重要性。介绍了铝酸钠溶液深度脱硅研究现状,讨论了Ca(OH)2、C3AH6(立方水合铝酸钙)、C4AHn(六方水合铝酸钙)、HCAC(水合碳铝酸钙)、HSAC(水合硫铝酸钙)、C4FHn(六方水合铁酸钙)等含钙化合物深度脱硅机理及脱硅效果。

含硅铝酸钠溶液深度脱硅动力学及脱硅机理的研究

对含硅铝酸钠溶液添加氧化钙-硫酸钙复合脱硅剂深度脱硅进行了研究。实验表明：脱硅后溶液中SiO2的含量受脱硅时间和脱硅温度的影响很大，随着脱硅温度升高和脱硅时间的增长，SiO2的含量逐渐减小。并由SiO2的含量与脱硅时间和脱硅温度的关系，推导出了该脱硅过程中的动力学方程：-dC／dt=42．95exp（-2．10×10^4／RT）×C^1.04，在313—371K，脱硅速度随反应温度提高而加快，此过程的表观活化能为2．10×10^4J／mol。通过渣相的X衍射测试分析，探讨了氧化钙-硫酸钙复合体系的脱硅机理。

碳酸钠对铝酸钠溶液深度脱硅的影响

在氧化铝的生产过程中,随着循环母液里碳酸钠的积累使物料流量增加,溶液的粘度增大,并影响分解过程A l（OH）3的结晶及生长。试验采用氧化钙为脱硅剂,研究了碳酸钠对铝酸钠溶液深度脱硅条件和结果的影响,确定出较佳反应条件：在脱硅温度90℃、时间110m in、搅拌速度867 r/m in,碳酸钠用量30g/L时,精制液的硅量指数达到3642。硅渣的XRD光谱分析表明,碳酸钠浓度在0~30g/L之间时,促进铝酸钠溶液脱硅;碳酸钠浓度高于30g/L时,抑制溶液脱硅。

自构建小波神经网络的内模控制在深度脱硅中的应用

为了稳定氧化铝深度脱硅过程的热工制度和降低能耗,采用小波神经网络辨识的内模控制方法进行氧化铝深度脱硅工艺过程控制。根据小波基函数的激励强度和衰减程度可以添加或者删除小波神经网络隐含层神经元,从而优化小波神经网络隐含层结构。再用自构建小波神经网络辨识内模控制系统的正模型和逆模型,从而改进神经网络内模控制技术。实验结果表明,所提出的控制方法比传统方法在鲁棒性和抗扰性方面具有更好的性能表现,各项指标均优于传统控制方法,实现了氧化铝深度脱硅工艺优化。

中等浓度含硅铝酸钠溶液深度脱硅过程物理化学性质的研究

通过对脱硅过程中含硅铝酸钠溶液表面张力和黏度的测定,研究脱硅温度、氧化铝浓度、苛性比等因素对溶液的表面张力和黏度的影响.实验结果表明:低温、高浓度、高苛性比的溶液表面张力和黏度较大,反之则较小.通过XRD检测手段对脱硅后的渣相进行分析,用衍射峰与结构的关系解释溶液的表面张力和黏度的变化对硅量指数的影响.

硫酸钠对铝酸钠溶液深度脱硅及物理化学性质的影响

选用氧化钙为脱硅剂,考察硫酸钠对铝酸钠溶液脱硅过程中硅量指数、溶液表面张力以及黏度的影响.结果表明:当硫酸钠质量浓度在20 g/L时,硅量指数达到最大为4 063,而表面张力和黏度降低到最小.通过对脱硅后的硅渣进行XRD测定,探讨硫酸钠对铝酸钠溶液深度脱硅影响的机理.

中高浓度铝酸钠溶液硫酸钙深度脱硅

以二水硫酸钙为脱硅剂对中高浓度的铝酸钠溶液脱硅进行了研究,分别考察了温度、时间、二水硫酸钙用量、搅拌速度及铝酸钠溶液苛性比αk对浓度为200,180,150g/L的铝酸钠溶液脱硅效果的影响.在95℃及αk=1.5、二水硫酸钙用量30g/L、搅拌速度为867r/min条件下脱硅2h后,200g/L铝酸钠溶液中硅量指数达到3815,180g/L铝酸钠溶液中硅量指数达到4082,150g/L铝酸钠溶液中硅量指数可以达到4260.通过XRD对脱硅后的渣相进行了分析,并探讨了二水硫酸钙的脱硅机理。

烧结法深度脱硅工艺的改进

针对山西铝厂烧结法精液硅量指数偏低影响碳分分解率及产品质量的现状 ,研究了精液硅量指数达到 10 0 0左右的最佳脱硅工艺条件 ,以此为依据 ,将深度脱硅工艺流程做了改进 。

烧结法氧化铝生产中深度脱硅工艺的改进

叙述了烧结法氧化铝脱硅工艺的现状,对深度脱硅工艺的技术条件和工艺流程进行了研究,并通过生产实践获得了较好的经济效果。

水合碳铝酸钙深度脱硅的工业实践

详细地论述了水合碳铝酸钙合成的机理、利用水合碳铝酸钙深度脱硅的机理以及在工业生产中的应用 ,使烧结法精制铝酸钠溶液的硅量指数由 40 0～ 480提高到 60 0以上。同时产品氧化铝的质量有了明显的提高。

深度脱硅与连续碳分技术在生产上的应用

本文介绍了深度脱硅与连续碳分技术，阐述了生产上采用深度脱硅与连续碳分技术对 于提产降耗和提高产品质量的重要性。

某高铁铝土矿石焙烧—磁选脱铁产物的碱浸—深度脱硅试验

广西贵港某高铁三水铝石型铝土矿石铁含量达31.76%,Al2O3和Si O2含量分别为21.33%和7.09%,铝硅比为3.01,属典型的高铁、低铝、高硅、低铝硅比的铝土矿石。在常规开发利用工艺难以有效分离铁、铝、硅的情况下,确定采用钠化还原焙烧—磨矿—弱磁选—碱浸—深度脱硅—铝酸钠结晶工艺对该矿石进行开发利用工艺研究,在课题组已报道过焙烧—磨矿—弱磁选工艺的基础上,对富铝渣进行了碱浸与深度脱硅工艺条件研究。结果表明:(1)在富铝渣的碱浸过程中,随着碱初始浓度的增大、浸出温度的升高、浸出时间的延长,铝、硅、铁的浸出率均呈不同程度的上升趋势。碱浓度为200 g/L、浸出温度为220℃、浸出时间为1.0 h情况下的铝、硅、铁浸出率分别为60.51%、6.12%、5.82%。(2)在深度脱硅过程中,随着Ca O添加量的增加,脱硅率逐渐增大;随着温度的升高,脱硅率呈现先上升后下降的趋势;随着反应时间的延长,脱硅率先上升后下降。在Ca O添加量为2 g/L,反应温度为80℃,脱硅时间为2 h情况下,硅的脱除率达90.34%。较好地实现了铝的碱浸和硅的深度脱除。

烧结法深度脱硅工艺试验研究

指出了烧结法精液钠硅渣不分离加石灰乳脱硅工艺存在的问题,通过实验室研究,提出了加絮凝剂使硅渣浆液快速分离,加石灰乳深度脱硅的工艺流程。并初步预测了该工艺实施后的经济效益。

深度脱硅及硅渣回收的工业试验

对深度脱硅、深度脱硅中合成液的配制制度和硅渣浆液中氧化铝回收的有关操作条件和技术指标进行了分析。对硅渣回收系统存在的问题 。

阴离子对铝酸钠溶液深度脱硅的影响

研究了不同阴离子(SO42-,CO32-,Cl-)对铝酸钠溶液深度脱硅的影响.通过对Na2SO4,Na2CO3和NaCl用量、反应温度、时间、Al2O3浓度、溶液苛性比ak、搅拌速度影响的考察,确定了最佳工艺条件.在95℃,Al2O3 150g/L,ak=1.5及搅拌速度867r/min条件下脱硅110min后,铝酸钠溶液中硅量指数达2938,在杂质用量30g/L时,含SO42-,CO32-,Cl-溶液的硅量指数分别可达3943,3545和3221.在阴离子浓度为0～70g/L时,SO42-促进溶液深度脱硅,CO32-,Cl-均先促进后抑制脱硅,通过硅渣XRD衍射分析,得到了SO42-,CO32-,Cl-对脱硅影响的变化规律.

六方水合铝酸钙的合成及其脱硅

叙述了六方水合铝酸钙的合成条件和方法,并通过化学分析、TG DTA分析和XRD分析对所合成的水合铝酸钙进行了表征·实验结果表明,在本实验条件下合成的水合铝酸钙样品中除六方水合铝酸钙外,还含有少量的立方水合铝酸钙和氢氧化钙·在90℃下添加六方水合铝酸钙进行深度脱硅,脱硅2h后的铝酸钠溶液中SiO2质量浓度可降低到0 009g/l,硅量指数可达11111·讨论了六方水合铝酸钙的脱硅机理,认为六方水合铝酸钙是一种高水合、分散度高的含钙化合物,晶面间距大,脱硅反应是在六方水合铝酸钙层间进行的,因此脱硅活性高·

铝酸钠溶液脱硅的研究进展

对硅在铝酸钠溶液中的存在状态,深度脱硅机理和研究进展,碱法生产氧化铝过程中铝酸钠溶液脱硅的重要性以及铝酸钠溶液脱硅的研究方向进行了综述。

水合硫铝酸钙的性质及脱硅反应研究

应用XRD和IR分析等手段考察了脱硅剂水合硫铝酸钙的性质以及在铝酸钠溶液中的行为。发现水合硫铝酸钙在95℃不含硅的铝酸钠溶液中不稳定,其中的硫酸根能被溶液中的OH^-离子置换出来,水合硫铝酸钙被分解成六方晶系的水合铝酸钙。六方的水合铝酸钙又有少部分被转化成立方的水合铝酸钙。据此提出用水合铅酸钙对铝酸钠溶液进行的深度脱硅过程存在2种脱硅机理:一种是水合硫铝酸钙在铅酸钠溶液中先转变成六方的水合铝酸钙,然后SiO_2(OH)_2^(2-)离子进入六方水合铝酸钙晶格内部与之反应,生成水化石榴石;另一种是新生成的六方水合铝酸钙又有部分被转化为立方的水合铝酸钙,SiO_2(OH)_2^(2-)离子在其表面与之反应,生成水化石榴石。水合硫铝酸钙的脱硅过程是以第1种机理为主。