深掺杂Si反常电阻效应微型流量传感器

使用深掺杂方法在 Si材料中掺入金原子后 ,其电阻随温度 T的变化关系由主要依赖于 T- 3/ 2 项的浅掺杂材料变成主要依赖于 exp( -E/ KT)项的深掺杂材料 ,从而大幅度地提高了掺金 Si材料对温度的敏感性 .在理论上深掺杂 Si材料比浅掺杂 Si材料对温度的敏感性提高了约 1 0 0 0倍 .用深掺杂方法制成的微型流量传感器特性的测量证明了以上理论 .深掺杂 Si材料的应用不但提高了微型流量传感器的灵敏度 ,也大幅度地降低了其时间常数 .

利用深掺杂Si所研制的微型流量传感器(英文)

使用深掺杂方法在Si材料中掺入Au原子后，其电阻率随温度T的变化关系从主要依赖于T－3/2项的浅掺杂材料变成主要依赖于exp(－E/KT)项的深掺杂材料，从而大幅度地提高了掺金Si材料对温度的敏感性。这样在理论上深掺杂Si材料比浅掺杂Si材料对温度的敏感性提高了约1000倍。对于深掺杂方法制成的微型流量传感器特性的测量证明了以上理论。深掺杂Si材料的应用不但大大提高了微型流量传感器的灵敏度，也大幅度地降低了响应时间。

一种新型双Fin ESD防护单元研究

为满足小尺寸器件的ESD防护需求,基于Fin技术,提出了一种具有寄生SCR的STI双Fin结构。通过采用双Fin布局和深掺杂技术,减小了器件的基区宽度,避免了Fin技术中由弱电导调制导致的SCR无法开启的现象。仿真结果表明,相比于DFSD结构,新结构失效电流It2/Wlayout从21.67 mA/μm增加到28.33 mA/μm;触发电压V_(t1)从14.08 V减小到9.64 V。在ESD来临时,新结构能够实现有效的开启,泄放大电流。

微型流量传感器呼吸监测及信号处理系统

用一种深掺杂硅材料制成的微型流量传感器来测量呼吸气流的流量 ,并用信号处理电路对微型流量传感器的输出进行鉴别 ,就可以监视呼吸系统状态的微小变化 .传感器偏置电压的变化对系统的稳定性有重要的影响 .通常 ,温度和环境的变化会使某些被认为是常量的参量发生意外的变化 .信号处理系统部分论述了使用自动补偿系统来消除上述变化的影响 ,并给出了实用电子设备中 ,消除各种干扰因素的一些方法 .

90nm CMOS工艺下p^+深阱掺杂浓度对电荷共享的影响

基于3维TCAD器件模拟,研究了90nmCMOS双阱工艺下p+深阱掺杂对电荷共享的影响.研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电荷共享的影响要远大于NMOS管;通过增加p+深阱的掺杂浓度可以有效抑制PMOS管之间的电荷共享.这一结论可用于指导电荷共享的加固.