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高性能模拟集成电路工艺技术
被引量:
7
1
作者
何开全
谭开洲
李荣强
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期398-401,共4页
介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状,讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展。重点介绍了BiCMOS工艺的研究与开发,指出了模拟集成电路工艺的发展趋势。
关键词
模拟集成电路
BICMOS
互补双极工艺
SOI
深槽介质隔离
下载PDF
职称材料
题名
高性能模拟集成电路工艺技术
被引量:
7
1
作者
何开全
谭开洲
李荣强
机构
模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期398-401,共4页
文摘
介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状,讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展。重点介绍了BiCMOS工艺的研究与开发,指出了模拟集成电路工艺的发展趋势。
关键词
模拟集成电路
BICMOS
互补双极工艺
SOI
深槽介质隔离
Keywords
BiCMOS
Complementary bipolar technology
SOI
Deep trench isolation
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高性能模拟集成电路工艺技术
何开全
谭开洲
李荣强
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004
7
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