对高速双极晶体管工艺条件的优化分析

随着科技的不断发展,对高速双极晶体管的研发与生产受到了更多的重视。本文基于深槽隔离与注入基区、为发射极扩散与Ti硅2经快速退火提出双层多晶硅双极技术。在选择性注入集电极与RTA工艺条件的影响进行分析,并提出相关的优化,结合实验结果,制造出质量更高的高速双极晶体管。