基于深沟槽单次外延工艺超级结MOS器件耐压提升与优化

介绍了超级结MOS器件的一种主流工艺—深沟槽单次外延工艺,详细介绍了该工艺的工艺流程及特点。基于超级结MOS器件的电荷平衡原理,分析不同P柱浓度条件下器件击穿电压(Breakdown Voltage)的变化规律,揭示击穿电压(BV)偏低的原因,提出一种改善方案,最终通过实验验证该方案的可行性。

深沟槽开挖技术及支护系统运用研究

为解决城镇日常生活污废水的排放和满足人口日益增长需要的给排水用量,现各地政府大力修复和新建给排水基础设施和管网,集中收集、处理和再分配水资源,避免生活污废水等破坏水环境资源和河流生态文明。目前在地下管道的施工方法主要包括明挖和暗挖两种形式,其中,明挖施工大部分是通过挖掘机械配合人工实现的,具有施工简单、快捷的优点,但是也存在着对环境影响大、施工范围大等缺点,尤其在挖掘深沟槽时,容易出现沟槽塌方安全事故,所以施工过程中松软土方的支护重中之重。结合相关工程,通过施工过程中的施工要点、工艺流程、质量把控等不同角度对不同地质不同深度的深沟槽开挖的支护方式进行选择和优化,力争选择以最好的方法适应工程建设的需要和施工安全的保证。

基于傅里叶变换红外反射谱的DRAM深沟槽结构测量系统研究

提出了一种基于傅里叶变换红外(FTIR)反射谱的动态随机存储器(DRAM)深沟槽结构测量方法与系统。给出了测量原理与方法,设计了测量系统光路。通过可变光阑调节探测光斑大小并选择合适的入射角,消除了背面杂散光反射干扰的影响,大大提高了信噪比。对DRAM深沟槽样品进行反射光谱图测试与实验研究,表明所述方法与系统能够提取出纳米级精度的深沟槽参数。该技术提供了一种无接触、非破坏、快速、低成本和高精度的深沟槽结构测量新途径,在集成电路制造过程中的在线监测与工艺控制方面具有广阔的应用前景。

工字钢桩在排水管道深沟槽支护中的应用

结合天津市某道路排水工程施工情况,对工字钢桩支护结合大口井降水的支护方式进行了说明,总结了工程经验,并针对支护施工过程中可能碰到的一些共性问题提出了解决办法。

数控车削深沟槽零件工艺设计与实践

深沟槽零件是数控车床加工中经常碰到的,但在一般的数控车床上加工深沟槽具有较大的技术难度,主要表现在切槽刀具容易磨损、很难保证工件的尺寸精度和表面质量。这就要求有合理的刀具几何形状和加工工艺方法。对深沟槽零件的数控车削进行工艺改进,利用数控车床的C轴功能配合动力刀头,用普通立铣刀改制的刀具实现了孔的加工及槽内大余量的去除。

浅谈钢管桩在市政工程深沟槽支护中的应用

市政工程深沟槽施工对城市中的建筑物、基础设施及地下管线等有较大的影响。如何在周边环境复杂的城市地下空间采取合理的支护方案保障深沟槽施工安全已成为项目管理的重要内容。基于某大街Y2~Y4段雨水管道深沟槽施工,阐述了钢管桩在环境复杂的城市地下空间内深沟槽支护中的应用,克服了施工过程中存在的难题。

深沟槽的缓进给强力磨削工艺和磨削表面质量

本文介绍了用缓进给强力磨削工艺一次走刀磨削50mm深沟槽成型的工艺方法。研究了磨削深沟楷的尺寸精度和磨削表面质量。

数控车削深沟槽零件工艺设计与实践探究

本次研究主要分析数控车削深沟槽零件工艺设计与实践。因为对于数控车床加工来说,沟槽类零件问题是比较常见的,所以需得到足够的重视以及关注,还应重视实现数控车床、选用切槽刀的使用。本次研究使用的是改制之后的刀具,在有效的加工使用之后,可以体现非常显著的先进性、实用性,还可发挥非常显著的经济效益。所以在实践的过程中,需要正确选择合适的刀具和加工工艺,促使数控车削深沟槽零件工艺设计满足实际标准。

含不透水隔层软土中深沟槽综合降水的施工

结合工程实例,阐明采用轻型井点、深井、砂井综合降水的方法,可以有效地解决含不透水隔层软弱淤泥质土中深沟槽降水困难的技术难题。

深沟槽零件数控车工艺分析与设计

对于深沟槽零件的加工过程,文章通过对举例零件图样分析,进一步说明合理的刀具几何形状和加工工艺对于零件加工的关键作用,对深沟槽的零件加工工艺设计、生产制造中的问题进行的分析研究,希冀为该行业提供借鉴。

少降水深沟槽开挖及拉森钢板桩支护施工技术探究

本文所研究的少降水深沟槽开挖技术工法是在不采用专门的降水措施的前提下,采用可周转的拉森钢板桩支护体系,进行管道深沟槽施工。这种方法能有效缩短工期、提高效率、降低成本,可以在合适的条件下进行广泛推广。

深沟槽超级结器件的干刻工艺研究

功率半导体器件以其优越的电特性在许多领域取代了传统的双极型晶体管。功率半导体器件导通电阻由于受击穿电压限制而存在一个极限即硅限而无法再降低。"超级结理论"的应用,使导通电阻相对于传统技术降低了80%~90%,打破了硅限,提高了开关速度。通过对腔体压力、温度、RF功率、气体流量、硅片图形密度和刻蚀面积等各种工艺参数的实验,研究其对深沟槽超级结(Deep Trench Super Junction)高压器件干法刻蚀工艺的影响与作用,实现单步干法刻蚀就在硅衬底上形成深沟槽。

深沟槽工艺产品晶片周边硅针缺陷的解决方法

在功率金属氧化物半导体器件生产中,有些为了达到特殊的器件性能,采用深沟槽工艺,其沟槽深度可达几十微米,该类产品在关键的深沟槽刻蚀中,晶片边缘经常会有硅针缺陷产生,该缺陷在后续湿法清洗过程中,会成为颗粒的主要来源,影响晶片良率和污染湿法清洗机台。文章阐述了两种通过优化沟槽光刻工艺来解决此种缺陷的方法,一种为沟槽层光刻采用倒梯形工艺,另一种为沟槽层光刻采用负光阻工艺,两种方法旨在将晶片周边保护起来,在深沟槽刻蚀中下层材质不被损伤,解决深沟槽工艺产品周边硅针缺陷问题。

交叉深沟槽硅外延的生长研究

随着先进半导体器件需求的不断提升,深沟槽硅外延已逐渐代替传统离子注入工艺成为器件开发的新方向,由于受晶向的影响,硅外延生长质量存在极大差异。通过<100>和<110>两种晶向硅片在交叉深沟槽中的外延生长,采用SEM和TEM分析了硅外延生长形貌和质量,运用TCAD模拟验证该结构下的外延生长机理,同时采用暗场扫描(DFI)和表面刻蚀方法检测硅片表面缺陷。结果表明硅晶向对交叉深沟槽外延的生长质量有重要影响,<100>硅片在交叉区域外延形成的{110}面和{111}面多,容易产生位错缺陷,而<110>硅片相比<100>硅片转向了45°,外延中形成的{110}面和{111}面减少了一半,从而外延质量改善明显。

废弃老建筑群桩内深沟槽大管径雨水管道施工

世博会园区沂雨1号～沂雨5号原设计为准3 000 mm顶管施工,深度为9～11 m。因管道顶进方向存在大量原有厂房建筑的准800 mm钻孔灌注桩而改为开深沟槽埋管。介绍了整个沟槽支撑体系、特殊段沟槽开挖、降水及基底加固、拔桩及回填、管道安装等的设计和施工,并对实际施工中遇到的与设计方案出入处的问题作了具体调整。

新型屏蔽栅-深沟槽技术在功率器件中的应用及工艺开发

本文介绍了如何应用电荷平衡效应在普通的深沟槽功率MOSFET中,进行结构的改变来进一步降低导通电阻,优化器件性能,并且介绍了此类结构中性能最为优异的屏蔽栅深沟槽的特性与工艺流程。

深沟槽专用车刀及量具

我厂产品LN-35六氟化硫断路器中,绝缘筒是与上接线座配合连接后,用环氧树脂粘接,以保证密封性要求。零件尺寸如图1,材料为酚醛玻璃布板。此材料质硬而脆,零件中深沟槽深而窄,采用一般车刀难以加工。为此。

UG／CAM软件在曲面等深沟槽加工中的应用

UG软件是当今世界上最先进和紧密集成的、面向制造行业的CAD／CAE／CAM高端软件。在曲面深沟槽试件加工中的应用UG／CAM软件。

内曲面等深沟槽炸药件加工的CAM应用技术

结合“高精度炸药件制造技术”的实施，开展了复杂型面炸药件计算机辅助制造技术的研究。首先根据WF74VH五轴加工中心机床结构及数控系统特点，完成了该机床的后置处理，形成了与之相匹配的后置处理文件；同时对固定轴铣、变轴铣的计算机辅助编程进行了深入的研究，使多轴联动加工技术成功运用于复杂型面炸药部件的数控加工，大大提高了我所炸药机械加工数控编程能力。

基于修正等效介质理论的微纳深沟槽结构反射率快速算法研究

利用等效介质理论和严格耦合波理论研究比较微纳米级高深宽比深沟槽结构的红外反射谱,提出一种对等效折射率加入色散修正项的深沟槽结构反射率快速算法.通过超越色散方程分析和大量计算发现,加入的等效折射率色散修正项与波长的平方成反比,并且与深沟槽结构的材料、周期和占空比有关.这种新的计算方法可以非常精确地获得高深宽比深沟槽结构的反射率,而且明显提高了运算速度,在复杂深沟槽结构基于模型的红外反射谱测量中具有重要的应用价值,可以应用于微电子和微机电系统制造过程中高深宽比微纳深沟槽结构刻蚀进度的在线实时监测.