High K材料对CMOS图像传感器性能的影响分析

阐述BDIT结构表面不同厚度的Ta_(2)O_(5)以及Al_(2)O_(3)材料对传感器光学以及电学性能的影响。实验结果表明,改变Ta_(2)O_(5)厚度对传感器QE以及高温性能影响较大,改变Al_(2)O_(3)厚度主要会影响高温性能。通过调整Ta_(2)O_(5)以及Al_(2)O_(3)厚度,可以改善图像传感器高温性能,同时可以改变传感器的QE特性。

针对背照式图像传感器加工工艺中Crack缺陷的分析与优化

阐述背照式CMOS图像传感器,是将硅片减薄后,在光电二极管photodiode背面搭建Color filter及Micro Lens形成的。相比前照式CMOS图像传感器,光线由背面射入,增大了光电元件感光面积,减少了光线经过布线时的损失,可以大幅提高CIS在弱光环境下的感光能力。在整个工艺中流程,深沟槽隔离DTI作为关键工艺步骤,防止光电二极管信号串扰。DTI刻蚀的形貌至关重要,决定能否顺利填充。目前业界有采用U和V型隔离槽。基于V型隔离槽形貌情况,结合填充能力,探讨加工晶圆中心区域存在Crack缺陷的问题,针对此问题,基于刻蚀角度优化V型隔离槽顶部的Bowling,通过实验对Bowling产生的机理和通过优化刻蚀菜单的方法,减小Bowling值,Bowling越小越有利于后续的填充,最终实现无Crack缺陷的方法。最终产品晶圆的良率将得到有效提高。