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LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法 被引量:3
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作者 陈蕾 宋李梅 +1 位作者 刘梦新 杜寰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期968-973,共6页
探讨了LDMOS器件在静电放电脉冲作用下的失效现象和机理,阐述了LDMOS器件受到静电放电脉冲冲击后出现的软击穿现象,和由于寄生npn管导通产生的大电流引起器件局部温度过高,导致金属接触孔熔融的器件二次击穿现象。分析对比了不同栅宽、... 探讨了LDMOS器件在静电放电脉冲作用下的失效现象和机理,阐述了LDMOS器件受到静电放电脉冲冲击后出现的软击穿现象,和由于寄生npn管导通产生的大电流引起器件局部温度过高,导致金属接触孔熔融的器件二次击穿现象。分析对比了不同栅宽、不同LOCOS长度和埋层结构LDMOS器件的静电放电防护性能,证实了带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电放电防护方面的显著优势。 展开更多
关键词 横向双扩散场效应晶体管 静电放电防护 深漏极注入 击穿现象
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