深紫外准分子激光实时曝光剂量控制算法研究

提出了一种面向步进扫描投影光刻机的深紫外准分子激光实时曝光剂量控制算法。通过建立扫描曝光过程的抽象模型并分析准分子激光器单脉冲能量波动特性,提出采用闭环反馈控制进行实时调节,着重研究了抑制单脉冲能量超调和随机波动的有效算法。在一台波长为193 nm、重复频率为4 kHz、单脉冲能量为5 mJ的ArF准分子激光器上进行了实验研究。结果表明,当脉冲个数仅为20时算法控制下的剂量精度即可达0.89%,不但满足亚微米光刻越来越严的剂量要求,而且有助于提高光刻机生产效率和激光器使用效率。

系列深紫外准分子激光器

主要技术与性能指标,输出激光波长:193 nm、248 nm、308 nm、351 nm,最大激光脉冲能量:800 mJ(@248 nm),激光脉冲宽度:约25 ns,脉冲能量稳定性:<1%。主要应用,半导体光刻、低温多晶硅退火、脉冲薄膜沉积、光纤光栅刻蚀、紫外精细打标。

步进扫描投影光刻机剂量控制参量优化新算法研究

提出了一种以生产率、剂量精度与激光器使用成本三者最佳匹配为优化目标的步进扫描投影光刻机剂量控制参量优化新算法及其数学模型,通过将激光器重复频率作为可调参量并引入有效脉冲个数的概念,获得了有效剂量区间内任意给定剂量所应采取的优化策略并给出了剂量控制参量的具体计算方法。理论推导和模拟计算结果表明,新算法既保持了原算法在生产率和剂量精度优化方面的优势,又改进了原算法在激光器成本优化目标上的缺陷。随着准分子激光器及其剂量控制技术的进一步发展,新算法可望更能显示出其优越性并具有更广阔的应用前景。