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GaAs衬底深能级EL2与电路旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 被引量：1
1
作者 宁珺 丁勇 +3 位作者 夏冠群 赵福川 毛友德 赵建龙 《半导体杂志》 2000年第1期23-26,共4页
旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬底杂质补偿度有可能减轻旁栅效应影响。
关键词 旁栅效应 光敏特性 迟滞现象 深级级 砷化镓衬底
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