期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
Ni^＋注入n—GaP DLTS谱中Ni杂质能级的识别
1
作者 杨锡震 陈晓白 +1 位作者 李智 田强 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期133-142,共10页
在不同条件下退火的Ｎｉ＋注入ｎ－ＧａＰＤＬＴＳ谱中观测到表观激活能在０．６０～０．７０ｅＶ范围内的多个多子峰和少子峰．对各样品掺杂层内的能带弯曲及Ｎｉ杂质各荷电状态浓度空间分布在ＤＬＴＳ测量的零偏－反偏过程中的变化进... 在不同条件下退火的Ｎｉ＋注入ｎ－ＧａＰＤＬＴＳ谱中观测到表观激活能在０．６０～０．７０ｅＶ范围内的多个多子峰和少子峰．对各样品掺杂层内的能带弯曲及Ｎｉ杂质各荷电状态浓度空间分布在ＤＬＴＳ测量的零偏－反偏过程中的变化进行了计算．结合分析实测各能级热发射率数据，对其中起源于ＮｉＧａ中心的ＤＬＴＳ峰作出了判断． 展开更多
关键词 深能极 磷化镓 DLTS 镍掺杂
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部