钒掺杂Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长与深能级缺陷研究

CdMnTe(碲锰镉)材料作为新一代的半导体材料,在核辐射探测领域具有很高的应用价值。本实验采用Te溶液垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体,研究其光电性能及深能级缺陷的分布。紫外-可见-近红外光谱分析表明晶锭中部和尾部的禁带宽度分别为1.602和1.597 eV。光致发光谱中,晶体的(D^(0),X)峰形尖锐,半峰宽较小,表明缺陷或杂质含量低,晶体质量好。室温I-V测试晶锭中部和尾部晶体电阻率分别为2.85×10^(10)和9.54×10^(9)Ω·cm,漏电流分别为3和8.5 nA。霍尔测试表明晶体导电类型为n型。通过热激电流谱研究了Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体中缺陷的能级和浓度,其中晶锭中部和尾部样品中源于Te反位(Te_(Cd)^(2+))的深施主能级(E_(DD))的值分别为0.90和0.812 eV。并且深施主能级E_(DD)使费米能级位于禁带中央,从而使晶体呈现高电阻率。

低压ZnO压敏电阻大电流冲击老化后晶界电容随时间变化特性的分析

针对ZnO压敏电阻承受冲击老化后晶界电容随时间变化的问题,基于Block-Model(砖块模型)对影响ZnO压敏电阻晶界电容的参数进行相应分析。通过对压敏电阻样品进行不同次数的8/20波形大电流冲击试验,发现ZnO压敏电阻的晶界电容在冲击后随着时间的增长呈现出先降低后增长的趋势;当冲击次数较少时晶界电容有所降低,而冲击次数较多时晶界电容有所增加,研究表明:晶界电容的变化是由中电场区域生成的深能级施主复合和界面态俘获电子释放过程导致的。