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钒掺杂Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长与深能级缺陷研究
被引量:
1
1
作者
游思伟
艾涛
栾丽君
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第5期1873-1878,共6页
CdMnTe(碲锰镉)材料作为新一代的半导体材料,在核辐射探测领域具有很高的应用价值。本实验采用Te溶液垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体,研究其光电性能及深能级缺陷的分布。紫外-可见-近红外光谱分析表明晶锭中部和尾部的禁...
CdMnTe(碲锰镉)材料作为新一代的半导体材料,在核辐射探测领域具有很高的应用价值。本实验采用Te溶液垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体,研究其光电性能及深能级缺陷的分布。紫外-可见-近红外光谱分析表明晶锭中部和尾部的禁带宽度分别为1.602和1.597 eV。光致发光谱中,晶体的(D^(0),X)峰形尖锐,半峰宽较小,表明缺陷或杂质含量低,晶体质量好。室温I-V测试晶锭中部和尾部晶体电阻率分别为2.85×10^(10)和9.54×10^(9)Ω·cm,漏电流分别为3和8.5 nA。霍尔测试表明晶体导电类型为n型。通过热激电流谱研究了Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体中缺陷的能级和浓度,其中晶锭中部和尾部样品中源于Te反位(Te_(Cd)^(2+))的深施主能级(E_(DD))的值分别为0.90和0.812 eV。并且深施主能级E_(DD)使费米能级位于禁带中央,从而使晶体呈现高电阻率。
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关键词
Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V
深
能级
缺陷
深
施主
能级
费米
能级
原文传递
低压ZnO压敏电阻大电流冲击老化后晶界电容随时间变化特性的分析
被引量:
2
2
作者
周宇
冯民学
陈璞阳
《电瓷避雷器》
CAS
北大核心
2015年第5期77-81,共5页
针对ZnO压敏电阻承受冲击老化后晶界电容随时间变化的问题,基于Block-Model(砖块模型)对影响ZnO压敏电阻晶界电容的参数进行相应分析。通过对压敏电阻样品进行不同次数的8/20波形大电流冲击试验,发现ZnO压敏电阻的晶界电容在冲击后随着...
针对ZnO压敏电阻承受冲击老化后晶界电容随时间变化的问题,基于Block-Model(砖块模型)对影响ZnO压敏电阻晶界电容的参数进行相应分析。通过对压敏电阻样品进行不同次数的8/20波形大电流冲击试验,发现ZnO压敏电阻的晶界电容在冲击后随着时间的增长呈现出先降低后增长的趋势;当冲击次数较少时晶界电容有所降低,而冲击次数较多时晶界电容有所增加,研究表明:晶界电容的变化是由中电场区域生成的深能级施主复合和界面态俘获电子释放过程导致的。
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关键词
ZNO压敏电阻
晶界电容
砖块模型
深能级施主
原文传递
题名
钒掺杂Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长与深能级缺陷研究
被引量:
1
1
作者
游思伟
艾涛
栾丽君
机构
长安大学材料科学与工程学院
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第5期1873-1878,共6页
基金
陕西省重点研发计划﹣国际科技合作项目(2020KWZ-008)。
文摘
CdMnTe(碲锰镉)材料作为新一代的半导体材料,在核辐射探测领域具有很高的应用价值。本实验采用Te溶液垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体,研究其光电性能及深能级缺陷的分布。紫外-可见-近红外光谱分析表明晶锭中部和尾部的禁带宽度分别为1.602和1.597 eV。光致发光谱中,晶体的(D^(0),X)峰形尖锐,半峰宽较小,表明缺陷或杂质含量低,晶体质量好。室温I-V测试晶锭中部和尾部晶体电阻率分别为2.85×10^(10)和9.54×10^(9)Ω·cm,漏电流分别为3和8.5 nA。霍尔测试表明晶体导电类型为n型。通过热激电流谱研究了Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体中缺陷的能级和浓度,其中晶锭中部和尾部样品中源于Te反位(Te_(Cd)^(2+))的深施主能级(E_(DD))的值分别为0.90和0.812 eV。并且深施主能级E_(DD)使费米能级位于禁带中央,从而使晶体呈现高电阻率。
关键词
Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V
深
能级
缺陷
深
施主
能级
费米
能级
Keywords
Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V
deep-level defect
deep donor level
Fermi level
分类号
TG145 [金属学及工艺—金属材料]
TN304 [电子电信—物理电子学]
O771 [理学—晶体学]
O782.1 [理学—晶体学]
原文传递
题名
低压ZnO压敏电阻大电流冲击老化后晶界电容随时间变化特性的分析
被引量:
2
2
作者
周宇
冯民学
陈璞阳
机构
南京信息工程大学
南京信息工程大学大气物理学院
江苏省防雷中心
出处
《电瓷避雷器》
CAS
北大核心
2015年第5期77-81,共5页
基金
江苏省科技支撑计划(社会发展)项目(编号:SBE201371159)
文摘
针对ZnO压敏电阻承受冲击老化后晶界电容随时间变化的问题,基于Block-Model(砖块模型)对影响ZnO压敏电阻晶界电容的参数进行相应分析。通过对压敏电阻样品进行不同次数的8/20波形大电流冲击试验,发现ZnO压敏电阻的晶界电容在冲击后随着时间的增长呈现出先降低后增长的趋势;当冲击次数较少时晶界电容有所降低,而冲击次数较多时晶界电容有所增加,研究表明:晶界电容的变化是由中电场区域生成的深能级施主复合和界面态俘获电子释放过程导致的。
关键词
ZNO压敏电阻
晶界电容
砖块模型
深能级施主
Keywords
ZnO varistor
macroscopic capacitance
Block-Model
deep donor-like deffects
分类号
TM862 [电气工程—高电压与绝缘技术]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
钒掺杂Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长与深能级缺陷研究
游思伟
艾涛
栾丽君
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
原文传递
2
低压ZnO压敏电阻大电流冲击老化后晶界电容随时间变化特性的分析
周宇
冯民学
陈璞阳
《电瓷避雷器》
CAS
北大核心
2015
2
原文传递
已选择
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参考文献
引证文献
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