砷化镓中EL2深能级结构模型的晶格振动态密度

介绍了目前比较流行的两种砷化镓EL2深能级结构模型,即Bourgoinde的As_(Ga)-As_i对模型和邹元爔的As_(Ga)V_(As)V_(Ga)三元络合物模型.分别计算了这两个模型的晶格振动态密度.为EL2深能级结构的最终确定提供了一些有用的信息.

GaAs对脉冲Nd:YAG激光器的调Q和锁模

本文分析半导体材料GaAs对1064nm激光的可饱和吸收特性,在闪光灯抽运的平凹腔和平凸腔Nd:YAG激光器中,插入GaAs样品作为调Q器件,实现了激光器的被动调Q运转,分别获得脉冲宽度32.7ns(平凹腔)和30.9ns(平凸腔)的激光脉冲。实验上研究了平凹腔腔长和输出镜透过率对调Q激光输出性能的影响。当平凹腔腔长增加到125cm时,观察到GaAs对1064nm激光的被动锁模。对上述实验结果给予了合理的理论解释。

用1064nm激光脉冲触发半绝缘Ga As光电导开关的奇特光电导现象(英文)

报道了用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的一种奇特光电导现象．GaAs光电导开关的电极间隙为4mm，当偏置电场分别为2．0和6．0kV／cm时，用脉冲能量为0．8mJ，宽度为5ns的激光触发开关，观察到开关输出的线性和非线性工作模式．当偏置电场增至9．5kV／cm，触发光脉冲能量在0．5～1．0mJ范围时，观察到奇特的光电导现象，开关先输出一个线性电脉冲，经过大约20～250ns时间延迟后，触发光脉冲消失，开关又输出一个非线性电脉冲．这一奇特光电导现象的物理机制与半绝缘GaAs中的反位缺陷和吸收机制有关．分析计算了线性与非线性电脉冲之间的延迟时间，结果与实验观察基本吻合．

用1553nm激光脉冲触发GaAs光电导开关的研究(英文)

用 15 5 3nm飞秒光纤激光器触发半绝缘GaAs光电导开关的实验表明 ,当光电导开关处于 3 33～ 10 3kV/cm的直流偏置电场并被脉冲宽度 2 0 0fs且单脉冲能量 0 2nJ的激光脉冲照射时 ,开关表现为线性工作模式 ,开关输出峰值电压为 0 8mV .分析表明 ,开关对波长为 15 5 3nm触发激光脉冲表现出的弱光电导现象起因于半绝缘GaAs材料EL2深能级的作用 .