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提高雪崩击穿电压新技术──深阱终端结构 被引量:1
1
作者 周蓉 胡思福 张庆中 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期259-261,共3页
研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理,模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明,带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的90%。同时,深阱终端结构在不减小散热面积的情况下,还大... 研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理,模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明,带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的90%。同时,深阱终端结构在不减小散热面积的情况下,还大大减小了结面积,减小了漏电流,有助于改善器件的频率特性,提高器件的稳定性。 展开更多
关键词 深阱终端 雪崩击穿电压 介质 场板 结构
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深阱RF功率双极晶体管雪崩击穿特性的模拟分析 被引量:1
2
作者 张玉才 胡思福 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期688-693,共6页
本文提出一种能有效提高 R F 功率晶体管雪崩击穿电压和频率特性的晶体管结构深阱 R F 功率双极晶体管,并且采用 M E D I C I分析软件研究了影响器件特性的一些因素:深阱阱壁的宽度与深度、阱壁填充介质、界面电荷以... 本文提出一种能有效提高 R F 功率晶体管雪崩击穿电压和频率特性的晶体管结构深阱 R F 功率双极晶体管,并且采用 M E D I C I分析软件研究了影响器件特性的一些因素:深阱阱壁的宽度与深度、阱壁填充介质、界面电荷以及场板.采用这种技术的功率晶体管( V H F,线性输出功率 15 W )的结构参数为 N C= 70×1015 cm - 3 N 型外延层,集电结结深 X J C= 03μm ,未掺杂多晶硅填充深槽.典型的器件雪崩击穿电压为 B V C B O= 72 V,截止频率 16 G Hz;并且该晶体管具有较小的漏电流(~20μ A).这初步显示了深阱结构在 R F 展开更多
关键词 双极晶体管 雪崩击穿 深阱晶体管
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双线性变结构控制系统的趋近律与“状态深阱” 被引量:1
3
作者 郭天石 《四川大学学报(工程科学版)》 EI CAS CSCD 2000年第6期96-99,共4页
使用坐标变换 ,将双线性系统中的倍增控制项和叠加控制项重新组合成与线性系统有相同形式的非线性系统。采用等价控制和趋近律方法设计变结构控制律 .系统方程的函数在实数域内不连续 ,存在“状态深阱”。系统在“状态深阱”内将发散。... 使用坐标变换 ,将双线性系统中的倍增控制项和叠加控制项重新组合成与线性系统有相同形式的非线性系统。采用等价控制和趋近律方法设计变结构控制律 .系统方程的函数在实数域内不连续 ,存在“状态深阱”。系统在“状态深阱”内将发散。通过切换面的选取可以研究“状态深阱”的性质 ,使象点在向原点运动时不落入“状态深阱”之内 ,仍然保持滑动模态的优良性能 ,给出了一个三阶系统数字例子的计算机仿真结果。 展开更多
关键词 双线性系统 变结构控制系统 趋近律 状态深阱
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采用深阱结构的耐压技术 被引量:2
4
作者 易坤 张波 +1 位作者 罗小蓉 李肇基 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期203-206,共4页
 讨论了基于深阱结构的提高器件击穿电压的技术。采用深阱结构的结终端技术,消除了平面工艺所产生的曲面结,从而使器件的击穿电压接近理想平行平面结的击穿电压。同时,该结终端技术还具有占用器件面积极小的优点;通过向阱中填充低介电...  讨论了基于深阱结构的提高器件击穿电压的技术。采用深阱结构的结终端技术,消除了平面工艺所产生的曲面结,从而使器件的击穿电压接近理想平行平面结的击穿电压。同时,该结终端技术还具有占用器件面积极小的优点;通过向阱中填充低介电常数的物质,深阱结构还能抑制工艺上的横向扩散,并能承受比硅材料更大的峰值电场。 展开更多
关键词 深阱结构 击穿电压 结终端 反应离子刻蚀 峰值电场 功率三极管 横向二极管 LDMOS
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二次曲面典范形式的矩阵变换及其在“状态深阱”设计中的应用
5
作者 郭天石 《四川轻化工学院学报》 2001年第4期10-13,共4页
通过矩阵变换得出二次曲面的典范形式,由被控对象及其初值设计“状态深阱”为二次曲面的典范形式,得出了"状态深阱"和切换面系数所满足的方程。
关键词 二次曲面 双线性系统 变结构控制 状态深阱 矩阵变换
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无限深阱势相干态的统计性质
6
作者 倪致祥 《阜阳师范学院学报(自然科学版)》 2004年第3期1-4,共4页
应用非线性李代数方法研究了对称一维无限深阱势的新型相干态 ,并计算了该相干态中粒子数的平均值和平方平均值。发现在该相干态中 Mandel参数小于零 ,呈现出非经典效应。
关键词 相干态 一维无限深阱 非线性李代数 非经典效应 量子力学 特征函数
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一维无限深阱势的升、降算符
7
作者 马涛 《阜阳师范学院学报(自然科学版)》 1999年第1期12-15,共4页
利用本征函数间的递推公式,构造出了一维无限深阱势的升、降算符,并由此得到了相应的谱生成代数。
关键词 升降算符 谱生成代数 无限深阱
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双n型深阱隔离式高压n型沟道LDMOS器件设计 被引量:1
8
作者 孙尧 刘剑 +2 位作者 段文婷 陈瑜 陈华伦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期603-607,共5页
为了进一步优化高压LDMOS器件的耐压和比导通电阻的关系,提出了一种新颖的隔离式双n型深阱高压n型沟道LDMOS器件结构。采用独特的双n型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单n型深阱,解决了垂直方向上的pnp(p型阱-DNW-p型衬底)穿通问题和... 为了进一步优化高压LDMOS器件的耐压和比导通电阻的关系,提出了一种新颖的隔离式双n型深阱高压n型沟道LDMOS器件结构。采用独特的双n型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单n型深阱,解决了垂直方向上的pnp(p型阱-DNW-p型衬底)穿通问题和横向漏端扩展区的耐压与比导通电阻的优化问题的矛盾。器件仿真和硅晶圆测试数据显示,在0.35μm的工艺平台上,采用新结构的器件在满足100 V的耐压下,比导通电阻达到122 mΩ·mm2。同时,非埋层工艺使成本大幅下降。 展开更多
关键词 双n型深阱 隔离式高压n型沟道LDMOS 击穿电压 比导通电阻 非埋层工艺
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3300 V p^+深阱平面栅非穿通IGBT特性
9
作者 刘江 王耀华 +3 位作者 赵哿 高明超 金锐 潘艳 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第5期352-357,共6页
高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)存在寄生晶闸管,易发生闩锁失效。对p^+深阱的参数进行了优化,制备了3 300 V p^+深阱平面栅非穿通IGBT(NPT-IGBT)。对NPT-IGBT的静态特性进行了仿真,结果表明,当p^+结深约为5.5μm,p^+深阱距离多晶硅5μm时,... 高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)存在寄生晶闸管,易发生闩锁失效。对p^+深阱的参数进行了优化,制备了3 300 V p^+深阱平面栅非穿通IGBT(NPT-IGBT)。对NPT-IGBT的静态特性进行了仿真,结果表明,当p^+结深约为5.5μm,p^+深阱距离多晶硅5μm时,p^+深阱并未影响到沟道处p阱掺杂浓度,对IGBT静态特性无明显影响。制备了不同p^+深阱注入剂量的IGBT芯片,并将芯片封装为模块,分别进行常温和高温下的静态和动态参数测试。测试结果表明,当p^+深阱剂量低时,常温下模块关断失效;而p^+深阱剂量增大时可通过常温、高温开关测试,并通过10μs短路测试。p^+深阱注入剂量对静态特性无明显影响,对动态特性改善明显,可满足应用要求。 展开更多
关键词 非穿通绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT) p+深阱 静态特性 动态特性 闩锁
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带有n+深阱的三阱CMoS工艺中寄生NPN双极效应及其对电荷共享的影响 被引量:4
10
作者 刘必慰 陈建军 +1 位作者 陈书明 池雅庆 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期360-366,共7页
基于三维TCAD器件模拟,研究了带有n^+深阱的90 nm三阱CMOS器件在重离子辐照下产生的电荷共享效应.研究结果表明在重离子辐照时,n^+深阱会导致寄生的NPN双极型晶体管触发,显著增强NMOS间的电荷共享,其放大因子达到双阱工艺中寄生PNP晶体... 基于三维TCAD器件模拟,研究了带有n^+深阱的90 nm三阱CMOS器件在重离子辐照下产生的电荷共享效应.研究结果表明在重离子辐照时,n^+深阱会导致寄生的NPN双极型晶体管触发,显著增强NMOS间的电荷共享,其放大因子达到双阱工艺中寄生PNP晶体管放大因子的2—4倍.进而分别研究了n阱接触和P阱接触对寄生NPN双极放大的影响,结果表明增大P阱接触的面积和减小n阱接触的距离将抑制NPN晶体管的放大作用,而增大n阱接触的面积将增强NPN的放大作用. 展开更多
关键词 电荷共享 单粒子效应 n^+深阱 寄生双极型晶体管
原文传递
90nm CMOS工艺下p^+深阱掺杂浓度对电荷共享的影响 被引量:4
11
作者 刘凡宇 刘衡竹 +2 位作者 刘必慰 梁斌 陈建军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期461-468,共8页
基于3维TCAD器件模拟,研究了90nmCMOS双阱工艺下p+深阱掺杂对电荷共享的影响.研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电荷共享的影响要远大于NMOS管;通过增加p+深阱的掺杂浓度可以有效抑制PMOS管之间的电荷共享.这一结论可用... 基于3维TCAD器件模拟,研究了90nmCMOS双阱工艺下p+深阱掺杂对电荷共享的影响.研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电荷共享的影响要远大于NMOS管;通过增加p+深阱的掺杂浓度可以有效抑制PMOS管之间的电荷共享.这一结论可用于指导电荷共享的加固. 展开更多
关键词 电荷共享 单粒子效应 p+深阱掺杂 双极晶体管效应
原文传递
无限深量子阱中强耦合极化子的基态结合能 被引量:8
12
作者 李亚利 肖景林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期436-440,共5页
研究了无限深量子阱中极化子的基态性质,采用线性组合算符和变分相结合的方法导出了强耦合极化子的振动频率λ、基态能量E0和基态结合能Eb,讨论了阱宽L和电子-LO声子耦合强度α对强耦合极化子的振动频率λ、基态能量E0和基态结合能Eb的... 研究了无限深量子阱中极化子的基态性质,采用线性组合算符和变分相结合的方法导出了强耦合极化子的振动频率λ、基态能量E0和基态结合能Eb,讨论了阱宽L和电子-LO声子耦合强度α对强耦合极化子的振动频率λ、基态能量E0和基态结合能Eb的影响。通过数值计算,结果表明:强耦合极化子的振动频率和基态结合能随阱宽L的增大而减小,随电子-LO声子耦合强度α的增强而增大;基态能量随阱宽L的增大而减小,其绝对值随电子-LO声子耦合强度α的增强而增大;当量子阱阱宽L趋近于无限大和无限小两种极限情况下,分别与三维和二维极化子的结果相一致。 展开更多
关键词 线性组合算符 强耦合极化子 无限量子
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一维无限深方阱中低能级单量子比特在y?轴方向的实现与操控 被引量:1
13
作者 王党朝 张小安 向前兰 《咸阳师范学院学报》 2017年第4期53-55,共3页
量子比特是量子计算的基本信息单元,双能级量子系统能够提供单量子比特物理实现的基本模型。分析了一维无限深势阱模型中的低能级(n=1,2)所表示的单量子比特在y?轴方向的实现和调控,并计算了一阶摄动项T(x)的表述形式。
关键词 量子比特 量子计算 一维无限
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无限深阱势的非线性谱生成代数与新型相干态 被引量:1
14
作者 倪致祥 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2001年第6期487-493,共7页
利用对称一维无限深阱势的哈密顿算符和自然算符构造出该势场的非线性谱生成代数 ,并在此基础上得到了一种新的非线性相干态 .该相干态具有时间稳定性 ,既可以看成本征值为算符函数的降算符本征态 ,也可以看成广义极小测不准状态的转动态 .
关键词 一维无限深阱 非线性谱生成代数 相干态 时间稳定性 哈密顿算符 自然算符
原文传递
有限深对称量子阱中电子量子比特的性质 被引量:1
15
作者 王丽丽 萨仁高娃 赵翠兰 《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》 2011年第3期249-253,共5页
通过求解有限深对称量子阱中电子的能量本征方程,得到电子的能量状态;并以此为基础利用基态和第二激发态叠加构造一个量子比特,研究电子量子比特的性质.数值计算结果表明:概率密度的振荡周期与量子阱宽度和深度均有关,当势阱深度给定时... 通过求解有限深对称量子阱中电子的能量本征方程,得到电子的能量状态;并以此为基础利用基态和第二激发态叠加构造一个量子比特,研究电子量子比特的性质.数值计算结果表明:概率密度的振荡周期与量子阱宽度和深度均有关,当势阱深度给定时,振荡周期随量子阱宽度的增大而增大,当阱宽给定时,振荡周期随势阱深度的增大而减小.各坐标点的概率密度幅值不同,量子阱中心位置概率密度幅值最大,其它位置较小.电子的概率密度以周期T在z方向振荡,不同时间点的概率密度幅值不同,在一个周期内,当t=0T,1T时电子概率密度在阱内中心达到最大,当t=0.5T时电子概率密度在阱内中心达到最小;在阱外电子的概率密度都是向两边逐渐衰减的. 展开更多
关键词 有限对称量子 概率密度 量子比特 振荡周期
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热电子环结构对阱深和贮能影响的分析
16
作者 童洪辉 顾彪 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 1991年第3期166-172,共7页
简单磁镜MM-2ECH实验产生的热电子环未能在磁镜中形成磁阱。反磁信号△V为15cmV时,热电子环垂直方向贮能W。为0.317J,最大β_(⊥,max)为1.6%,热电子环在中平面径向平均β⊥为0.9%。局域使增量△B为零,或使增量△∮dl/B为零所需热电子... 简单磁镜MM-2ECH实验产生的热电子环未能在磁镜中形成磁阱。反磁信号△V为15cmV时,热电子环垂直方向贮能W。为0.317J,最大β_(⊥,max)为1.6%,热电子环在中平面径向平均β⊥为0.9%。局域使增量△B为零,或使增量△∮dl/B为零所需热电子环的贮能W和β_(⊥,max)与热电子环结构(厚度、宽度和位置)有关。 展开更多
关键词 热电子环 结构 贮能
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低能级一维无限深方阱中x方向量子比特的实现与摄动的高阶分析
17
作者 王党朝 《咸阳师范学院学报》 2017年第6期37-39,共3页
在一维无限深方阱中,对由n=1和n=2低能级构成的双量子态系统所描述的单量子比特在x方向的实现和操控进行了二阶和三阶摄动的势能计算,得到了三阶摄动势能的计算公式,希望能够进一步实现量子比特在x方向的精确调控。
关键词 量子比特 量子计算 一维无限
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分数维方法研究有限深抛物量子阱中的极化子 被引量:4
18
作者 杨汉伟 田强 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期244-246,共3页
采用分数维方法研究了有限深抛物量子阱中的极化子自陷能及其有效质量.得到在阱宽很小或很大时,极化子自陷能和有效质量趋向于三维体材料的情况;在量子阱分数维取极小值时,极化子的自陷能和有效质量取极大值.
关键词 极化子 有限抛物量子 分数维
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有限深半抛物量子阱中束缚电子态的本征能量与本征函数
19
作者 张立 谢红鲸 《番禺职业技术学院学报》 2004年第1期1-4,共4页
采用数值求解和谐振子变换的方法,研究了一维有限深半抛物量子阱系统中的束缚电子态,得到了系统束缚电子态能量本征值与本征函数的严格解。研究结果对研究一维半抛物量子阱系统中的其它物理性质,如非线性光学性质等与束缚电子态相关的... 采用数值求解和谐振子变换的方法,研究了一维有限深半抛物量子阱系统中的束缚电子态,得到了系统束缚电子态能量本征值与本征函数的严格解。研究结果对研究一维半抛物量子阱系统中的其它物理性质,如非线性光学性质等与束缚电子态相关的性质有重要意义。 展开更多
关键词 有限半抛物量子 束缚电子态 本征能量 本征函数 量子力学 谐振子变换
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无限深量子阱中弱耦合极化子的性质 被引量:1
20
作者 李亚利 《淮阴师范学院学报(自然科学版)》 CAS 2009年第3期211-215,共5页
采用改进的线性组合算符和变分相结合的方法,导出了量子阱中弱耦合极化子的光学声子平均数和基态能量;讨论了阱宽对基态能量的影响以及Lagrange乘子u对光学声子平均数和基态能量的影响.数值计算结果表明:光学声子平均数随u的增加而增大... 采用改进的线性组合算符和变分相结合的方法,导出了量子阱中弱耦合极化子的光学声子平均数和基态能量;讨论了阱宽对基态能量的影响以及Lagrange乘子u对光学声子平均数和基态能量的影响.数值计算结果表明:光学声子平均数随u的增加而增大;基态能量随u的增加而减小,随阱宽的增加而减小. 展开更多
关键词 无限量子 弱耦合极化子 光学声子平均数
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