混合电压I/O电路的ESD保护结构研究

给出了混合电压 Ｉ／Ｏ电路坚固的 ＥＳＤ保护结构，它是由放大器结构的 ＮＭＯＳ晶体管组合而成。这个保护电路由硅化物和硅化物隔离两种工艺研制而成。为了确保硅化物器件指状触发的一致性，增加了栅电压调节电路，研究电路的设计规则以避免产生寄生的击穿路径。

衬底触发层叠式NMOS实现混合I/O静电保护机制研究

衬底触发技术可以大幅度提高大尺寸NMOS器件的ESD级别。将衬底触发技术融合到层叠式NMOS器件中来产生衬底触发层叠式NMOS器件,理论分析结果表明衬底触发技术可以提高混合电压I/O电路中层叠式NMOS器件的ESD稳健性,基于0.35μmCMOS工艺的模拟结果表明应用带有衬底触发技术的层叠式NMOS器件的HBM模型ESD级别提高约60%,这就验证了衬底触发设计对提高混合电压I/O电路的ESD级是有效的。