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混合电压I/O电路的ESD保护结构研究
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作者 岳震 谢俊玲 徐玲 《微处理机》 2002年第1期19-22,共4页
给出了混合电压 I/O电路坚固的 ESD保护结构,它是由放大器结构的 NMOS晶体管组合而成。这个保护电路由硅化物和硅化物隔离两种工艺研制而成。为了确保硅化物器件指状触发的一致性,增加了栅电压调节电路,研究电路的设计规... 给出了混合电压 I/O电路坚固的 ESD保护结构,它是由放大器结构的 NMOS晶体管组合而成。这个保护电路由硅化物和硅化物隔离两种工艺研制而成。为了确保硅化物器件指状触发的一致性,增加了栅电压调节电路,研究电路的设计规则以避免产生寄生的击穿路径。 展开更多
关键词 混合电压i/o电路 硅化物工艺 ESD保护结构 集成
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