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混合电压I/O电路的ESD保护结构研究
1
作者
岳震
谢俊玲
徐玲
《微处理机》
2002年第1期19-22,共4页
给出了混合电压 I/O电路坚固的 ESD保护结构,它是由放大器结构的 NMOS晶体管组合而成。这个保护电路由硅化物和硅化物隔离两种工艺研制而成。为了确保硅化物器件指状触发的一致性,增加了栅电压调节电路,研究电路的设计规...
给出了混合电压 I/O电路坚固的 ESD保护结构,它是由放大器结构的 NMOS晶体管组合而成。这个保护电路由硅化物和硅化物隔离两种工艺研制而成。为了确保硅化物器件指状触发的一致性,增加了栅电压调节电路,研究电路的设计规则以避免产生寄生的击穿路径。
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关键词
静
电
放
电
混合电压i/o电路
硅化物工艺
ESD保护结构
集成
电
路
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职称材料
题名
混合电压I/O电路的ESD保护结构研究
1
作者
岳震
谢俊玲
徐玲
机构
东北微电子研究所
出处
《微处理机》
2002年第1期19-22,共4页
文摘
给出了混合电压 I/O电路坚固的 ESD保护结构,它是由放大器结构的 NMOS晶体管组合而成。这个保护电路由硅化物和硅化物隔离两种工艺研制而成。为了确保硅化物器件指状触发的一致性,增加了栅电压调节电路,研究电路的设计规则以避免产生寄生的击穿路径。
关键词
静
电
放
电
混合电压i/o电路
硅化物工艺
ESD保护结构
集成
电
路
Keywords
ESD, mixed - v
o
ltage circuit,stacked NM
o
S,silicided techn
o
l
o
gy, HBM
分类号
TN403 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
混合电压I/O电路的ESD保护结构研究
岳震
谢俊玲
徐玲
《微处理机》
2002
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