Qubit-qutrit海森堡混合自旋链系统QMA熵不确定度的量子调控

在qubit-qutrit海森堡混合自旋链模型中研究了量子存储支撑(Quantum memory assisted,QMA)熵不确定度的量子调控.详细分析了混合自旋链模型中的Dzyaloshinskii-Moriya(DM)相互作用、耦合强度和非均匀磁场对QMA熵不确定度的影响,对比分析了混合自旋链模型中系统参数对QMA熵不确定度和被测系统与存储系统的量子纠缠的调控作用.结果表明,通过调控非均匀磁场强度和混合自旋链系统的参数,可以提高被测系统与存储系统的量子纠缠,降低系统QMA熵不确定度及其下限.

混合自旋模型的动力学相变

考察了混合自旋模型的两种组态按Ｍｅｔｒｏｐｏｌｉｓ动力学随时间的演化，并分析了其在平方格子上的Ｄａｒｎａｇｅ．计算结果表明存在有一高温相和一低温相，与平衡相变符合．

UnionJack晶格上混合自旋模型临界温度与自旋耦合作用的关系

本文研究了ｕｎｉｏｎｊａｃｋ晶格上各向同性的混合自旋模型临界温度与自旋耦合作用的关系。文中分别采用平均场近似和自由费密近似两种方法求解。在耦合常数简化为正方晶格上的混合自旋模型时，得到与其它解符合较好的临界温度。

混合自旋伊辛模型中损伤扩散的蒙特卡罗模拟

利用损伤扩散技术和Metropolis抽样方法,研究了二维正方格子上具有晶格场作用的混合自旋伊辛模型的动力学.模拟结果显示,损伤和磁化强度具有相似的温度依赖关系.在给定晶格场强度下损伤随温度的升高而减小,并且存在一个临界温度.当温度高于该临界温度时,具有不同初始组态的两系统相空间轨迹重合.系统的临界温度随着晶格场强度的减小而增加.当晶格场足够弱时,系统退化为纯粹的伊辛模型;反之,随着晶格场强度的增强系统的相变温度连续减小到0.没有观察到一阶相变,因而不存在三临界点现象.

在横场中(1/2,1)混合自旋各向异性XY模型的量子纠缠

通过引入negativity的概念,研究了(1/2,1)混合自旋各向异性XY模型的量子纠缠,得到了两个自旋在外场中的有限温度时的量子纠缠的数值结果.发现该系统存在一个临界温度Tc,当温度大于Tc时,量子纠缠消失.

一种复杂的混合自旋模型及其临界温度求解

提出了正方格子上一种更为复杂的两体各向异性相互作用的混合自旋模型．分别通过平均场近似及同普适类等标度变换理论，求出了该模型临界温度所满足的方程；分析讨论了该模型的耦合常数简化为特定模型时的临界温度值．

各向异性和Dzyaloshinski-Moriya相互作用对(1/2,1)混合自旋海森堡XXZ模型热纠缠的影响(英文)

研究了各向异性和Dzyaloshinski-Moriya相互作用对(1/2,1)混合自旋海森堡XXZ模型热纠缠的影响.结果表明,通过调节各向异性参数Δ以及Dzyaloshinski-Moriya相互作用的大小,可以很好地控制系统的纠缠度和临界温度,因此可以得到一个有效的控制参数来提高纠缠度和扩大纠缠稳定值的范围来降低纠缠的减小程度.

混合自旋反铁磁材料L_2BaNiO_5及其L稀土离子的自旋

对反铁磁材料L2BaNiO5的特性与结构进行了分析,在此基础上,利用群论方法对该材料中L稀土离子的自旋进行了研究。

混合自旋(S=1,1/2)反铁磁基态能量——体心立方晶格

平行于文献[1]的做法,本文对具有混合自旋(S=1,1/2)的反铁磁体心立方晶格的基态能及相图进行了计算且进一步的证明了,用混合自旋模型(S=1,1/2)所描述的具有反铁磁相互作用的晶格即可出现亚铁磁性,也有可能出现反铁磁性。

混合自旋─1/2─自旋─S伊辛模型临界温度的自由费密近似解

本文考虑正方晶格上混合自旋─１／２─自旋─Ｓ伊辛模型。运用自由费密近似方法对该模型进行了求解，计算得到了临界温度的自由费密近似解，并与Ｙｏｕｓｉｆ和Ｂｏｗｅｒｓ的高温级数解结果进行比较。

混合自旋无规键横向伊辛模型的有限集团近似(英文)

用有限集团近似 (FCA)研究了自旋为 - 1/ 2与 - 3/ 2的混合自旋横向无规键伊辛模型 讨论了相图与其它的临界性质 。

一维亚铁磁混合自旋链的磁特性的Monte Carlo模拟

基于一维自旋链模型,采用Monte Carlo方法对具有反铁磁相互作用的自旋-1和自旋-3/2交替混合的亚铁磁系统进行模拟计算,研究单离子各向异性对系统磁特性的影响.模拟结果发现:基态时系统的磁化强度在外加磁场作用下呈现出阶梯状,并获得了自旋-1和自旋-3/2交替混合的亚铁磁系统相图.最后,通过对系统能量和自旋组态的研究,解释了该系统中出现的阶梯效应和相图.

弱横场混合自旋伊辛系统的晶场效应

本文利用离散路径积分表示与两自旋集团近似相结合的方法，研究了在弱横场作用下具有混合自旋的伊辛模型的晶场效应，得到了系统的自由能与临界横场的解析表达式，最后对其结果进行分析和讨论并与自旋Ｓ＝１的情况作了比较．

二模磁场中随机晶场作用混合自旋横向Ising模型的临界行为

在有效场理论和切断近似的框架内,研究了二模磁场中随机晶场作用的混合自旋横向Ising模型的临界行为.在T-h相图中,晶场浓度对有序相的影响需要将二模磁场分段考虑;大的晶场和适当的晶场浓度有利于二级重入相变现象;但横场对三临界点的作用值得更多研究.在T-D相图中,负晶场比例较大降低有序相,正晶场比例较大增大有序相;强二模磁场和横场都抑制有序相,但强二模磁场有利于三临界点的出现,而横场抑制三临界点.在T-Ω相图中,晶场和晶场浓度对有序相范围有显著影响.

一维亚铁磁无序混合自旋链的磁特性的Monte Carlo模拟

基于一维自旋链模型,采用Monte Carlo方法模拟研究了具有反铁磁相互作用的自旋S-1和自旋S-3/2混合的亚铁磁系统的磁特性,重点研究了自旋的无序排列对此混合系统磁特性的影响.研究发现,基态时,当自旋S-1和自旋S-3/2交替混合(有序排列)时,系统存在M-H磁化曲线的阶梯效应;而当自旋S-1和自旋S-3/2无序混合时,系统的阶梯效应出现涨落,台阶甚至消失.最后,通过对系统自旋组态和能量的研究,解释了该混合系统中所产生的阶梯效应和相图.

GPU加速模拟混合自旋的Ising模型

基于传统的Monte Carlo方法,利用CUDA(compute unified device architecture)技术,在GPU上分别模拟了正方晶格,三角晶格上较为复杂的不同浓度比的混合(自旋S=1和S=1/2)Ising模型,获得了不同浓度比的临界温度K c以及临界指数y t、y h。与同时期的CPU算法相比,基于GPU的并行模拟算法大大提高了算法效率,对于尺寸为1 024×1 024的混合自旋的Ising模型,在正方晶格上实现了40倍的加速比,在三角晶格上实现了41倍的加速比。

无规场作用下的混合自旋系统

本文应用对模型近似方法,对于有晶场和无规场存在的混合自旋系统的临界行为和磁化强度作了详细的计算和分析。

Union Jack晶格上混合自旋-1/2—自旋-S伊辛模型临界温度的自由费米近似解

考虑Union Jack晶格上各向异性二体耦合相互作用的混合自旋-1/2—自旋-S伊辛模型,运用自由费米近似方法对模型进行了求解,得到了模型临界温度的自由费米近似解.

随机磁场中晶场作用的混合自旋横向伊辛模型的磁化过程

本文在有效场理论框架内,研究随机磁场中晶场作用的混合自旋横向伊辛模型的磁化过程。以二模磁场中混合自旋伊辛模型为基础,分别增大随机浓度、负晶场和横场,以此考察随机磁场、负晶场和横场对磁化过程的影响。随着磁场增大,磁化范围降低。随机浓度和负晶场都能削弱基态的起始磁化简并,不同简并范围之间存在分界线。通过抑制自旋为1子格磁化强度,负晶场还对起始磁化值产生有趣的影响。横场完全打开基态的起始磁化简并。

混合自旋无规场非晶化表面的临界行为

应用平均场重整化群方法，讨论在表面无规场和非晶化存在时，对Ｓ＝１和σ＝１／２混合自旋伊辛系统表面磁性临界行为的影响，得到在各种情况下系统的表面相图。相图表明，非晶化是一定范围内与无规场竞争仍可出现三临界点和重入现象。