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浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应
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作者 朱洪亮 韩德俊 +2 位作者 胡雄伟 汪孝杰 王圩 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期501-505,共5页
利用３００ｋｅＶ的Ｐ＋离子对ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变层多量子阱（ＭＱＷ）激光器外延结构实施浅注入，经Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火，结构的光致发光（ＰＬ）峰值波长蓝移了７６ｎｍ，所作宽接触激光器的激射波长蓝移... 利用３００ｋｅＶ的Ｐ＋离子对ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变层多量子阱（ＭＱＷ）激光器外延结构实施浅注入，经Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火，结构的光致发光（ＰＬ）峰值波长蓝移了７６ｎｍ，所作宽接触激光器的激射波长蓝移了７７．９ｎｍ．发现具有应变结构的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ。 展开更多
关键词 混合蓝移效应 SL-MQW 激光器 浅离子注入
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