基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计

我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时,输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到37 dBm(5 W),最大的PAE为35.6%.在偏置条件为Vds=30 V,Ids=0.22 A时输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到36.4dBm(4.4 W),最大的PAE为42.7%.

一种新型Ka波段三节3 dB Wilkinson耦合器

根据多节3dBWilkinson耦合器的经典设计方法,针对Ka波段遇到的问题,提出了使用90°圆弧线替代半圆形分支臂,设计了一种Ka波段三节3dBWilkinson等功率耦合器,有效地解决了分支臂间的去耦合问题。仿真结果表明,在26.5—40GHz,插入损耗约为0.5dB,所有端口的回波损耗>13dB(VSWR小于1.65),输出端口隔离度>13dB,较好地满足了Ka波段HMIC功率分配与合成电路的需求。