混成式焦面器件中InSb背面减反/钝化膜研制

InSb凝视焦平面器件(FPA)制造中,InSb芯片背面经磨抛减薄后需在表面沉积减反/钝化膜,增大InSb芯片对红外光的吸收,同时减少载流子的表面复合。本文介绍了采用等离子化学气相沉积(PECVD)方法在几种不同沉积条件下生长的SiO_x,测量其光谱透过率及C-V特性,通过对沉积条件进行优化分析,获得了适合于FPA中InSb芯片的既能有效减反又可以有效降低表面复合的沉积条件。