CuO添加剂对高导MnZn铁氧体饱和磁感应强度、磁导率和磁谱频散特性的影响

采用传统氧化物陶瓷工艺法制备高磁导率MnZn软磁铁氧体材料,研究了CuO添加对材料晶相结构、显微形貌、饱和磁感应强度B_(s)、磁导率以及磁谱频散特性的影响。结果表明,适量的CuO添加能够改善高导MnZn铁氧体材料的显微结构,提高B_(s)、截止频率fr等性能,但对磁导率稍有不利影响;而过量添加CuO,则会导致材料显微结构不均匀性增强,材料磁性能降低。此外,高导MnZn铁氧体的磁化机制主要以畴壁位移运动为主,且随着CuO含量增加,畴壁位移贡献占比先增大后减小。

CuO对LiZn铁氧体微观结构和磁性能的影响

采用氧化物陶瓷工艺在1000～1160℃制备掺CuO的LiZn铁氧体Li0．35Zn0．3Fe2．35O4。结果表明，在1000～1100℃烧结时适量的CuO可促进固相反应和晶粒生长，降低烧结温度，提高样品的密度、饱和磁化强度4Ms和剩磁Br，降低矫顽力Hc。在1130℃烧结时，CuO基本无助烧作用，且增加CuO含量出现异常晶粒长大现象。在1160℃烧结时，样品内部形成巨晶，虽有利于降低Hc，但导致Br明显下降。

CuO和V_2O_5对MnZn功率铁氧体性能的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备了分子组成为Mn0.69Zn0.24Fe2.07O4的MnZn功率铁氧体,研究了不同CuO和V2O5含量对MnZn功率铁氧体晶相、显微形貌和磁性能的影响。结果表明,添加CuO和V2O5可促进晶粒生长,增大晶格常数,适量添加可降低气孔率,提高起始磁导率和电阻率,降低损耗;而加入过多的CuO和V2O5会导致晶粒异常长大,气孔率增加,起始磁导率和电阻率降低,损耗增大。当w(V2O5)=2.76×10-2%,w(CuO)=1.2×10-2%时,烧结样品的晶粒最均匀致密,气孔率最低,起始磁导率和电阻率最大,损耗最低。