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低电阻p-DBR结构的模拟分析
被引量:
2
1
作者
马丽娜
郭霞
+5 位作者
盖红星
渠红伟
董立闽
邓军
廉鹏
沈光地
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期56-59,共4页
设计了低电阻的渐变型分布布拉格反射器(DBR)结构,模拟分析了采用渐变p-DBR结构对价带能带的影响,并详细讨论了渐变形状、渐变区宽度、掺杂浓度等参数对低电阻渐变DBR结构的价带势垒的影响。利用MOCVD技术制备了实验样品,模拟结果与实...
设计了低电阻的渐变型分布布拉格反射器(DBR)结构,模拟分析了采用渐变p-DBR结构对价带能带的影响,并详细讨论了渐变形状、渐变区宽度、掺杂浓度等参数对低电阻渐变DBR结构的价带势垒的影响。利用MOCVD技术制备了实验样品,模拟结果与实验数据基本吻合。
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关键词
渐变布拉格反射器
渐变
形状
价带势垒
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职称材料
题名
低电阻p-DBR结构的模拟分析
被引量:
2
1
作者
马丽娜
郭霞
盖红星
渠红伟
董立闽
邓军
廉鹏
沈光地
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期56-59,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60276033
69889601)
+2 种基金
国家"863"高技术计划资助项目(2002AA312070)
国家"973"计划资助项目(G20000683-02)
北京市自然科学基金资助项目(4021001)
文摘
设计了低电阻的渐变型分布布拉格反射器(DBR)结构,模拟分析了采用渐变p-DBR结构对价带能带的影响,并详细讨论了渐变形状、渐变区宽度、掺杂浓度等参数对低电阻渐变DBR结构的价带势垒的影响。利用MOCVD技术制备了实验样品,模拟结果与实验数据基本吻合。
关键词
渐变布拉格反射器
渐变
形状
价带势垒
Keywords
graded DBR
grading profile
valence band barrier
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低电阻p-DBR结构的模拟分析
马丽娜
郭霞
盖红星
渠红伟
董立闽
邓军
廉鹏
沈光地
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005
2
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