LED外延结构中渐变式Al组分的电子限制层

根据外延结构应力导致的极化引起的能带弯曲理论,采用渐变式Al组分的电子限制层(EBL层),可有效提升电子限制能力,同时降低了该层和P-GaN层之间的晶格失配,提高了P-GaN层的外延质量,得到了发光效率更高的GaN基LED外延片。