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渐变能隙超晶格结构中的施主杂质性质的研究
1
作者
靳志军
焦善庆
江光佐
《西南交通大学学报》
EI
CSCD
北大核心
1991年第2期93-102,共10页
本文研究了渐变能隙超晶格结构中类氢施主杂质的性质。使用无限深抛物线势阱模拟这一结构,在有效质量近似下,用变分法计算了抛物线势阱中施主杂质的基态和几个低激发态的束缚能。给出了这些状态的束缚能随势阱焦距(Al 成分的变化率)、...
本文研究了渐变能隙超晶格结构中类氢施主杂质的性质。使用无限深抛物线势阱模拟这一结构,在有效质量近似下,用变分法计算了抛物线势阱中施主杂质的基态和几个低激发态的束缚能。给出了这些状态的束缚能随势阱焦距(Al 成分的变化率)、杂质的位置变化的规律,并将所得的结果与方势阱的实验结果进行比较,得出了一些有意义的结果。
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关键词
渐变能隙
超晶格
施主
束缚能
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职称材料
题名
渐变能隙超晶格结构中的施主杂质性质的研究
1
作者
靳志军
焦善庆
江光佐
机构
河北省图书馆
西南交通大学应用物理系
出处
《西南交通大学学报》
EI
CSCD
北大核心
1991年第2期93-102,共10页
文摘
本文研究了渐变能隙超晶格结构中类氢施主杂质的性质。使用无限深抛物线势阱模拟这一结构,在有效质量近似下,用变分法计算了抛物线势阱中施主杂质的基态和几个低激发态的束缚能。给出了这些状态的束缚能随势阱焦距(Al 成分的变化率)、杂质的位置变化的规律,并将所得的结果与方势阱的实验结果进行比较,得出了一些有意义的结果。
关键词
渐变能隙
超晶格
施主
束缚能
Keywords
graded changing energy gap
superlattice
binding energy
parabolic quantum well
分类号
O471.4 [理学—半导体物理]
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题名
作者
出处
发文年
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1
渐变能隙超晶格结构中的施主杂质性质的研究
靳志军
焦善庆
江光佐
《西南交通大学学报》
EI
CSCD
北大核心
1991
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