6.5%Si渗硅工艺新进展

介绍了化学气相沉积法(CVD)6.5%Si钢连续渗硅生产线及处理工艺进展状况,比较了6.5%Si与3%Si的磁性,简述硅钢原板的成分要求,添加Cr、Al对高频性能的影响,涂布绝缘薄膜对降低噪音的影响。

碳/碳碳化硅复合材料的摩擦磨损行为与机理

以液相渗硅工艺为手段制备了C／C—SiC复合材料。分别采用MMW．IA与MM．1000型试验机对复合材料的摩擦磨损性能进行了研究。结果表明：在实验室条件下，当压力恒定在0．48MPa时，转速对复合材料的摩擦磨损的性能影响甚微，摩擦系数为0．15～0．16，且磨损率接近；当转速恒定在0．3m／s时，不同压力条件下的摩擦系数相近，为0．13～O．15，但磨损率存在较大差异，材料磨损以磨粒磨损为主。在近工况条件下，C／C—SiC复合材料的摩擦系数达到0．50，磨损率达到5．95mg／次，摩擦曲线表现为典型的马鞍形曲线，试验前期材料磨损主要表现为磨粒磨损，试验后期为粘着磨损。

生物形态多孔碳化硅催化载体的制备

玉米经高温热解转化为生物碳模板,通过液相渗硅反应制备了具有生物形态微观结构的多孔SiC催化载体材料。借助X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对样品的物相和微观结构进行了表征,通过阿基米德法测定了产物的表观气孔率。实验结果表明,最终产物由β-SiC、Si和少量的α-SiC组成;多孔SiC遗传了玉米模板的蜂窝状多孔结构;随着起始硅碳比的增加,SiC含量和残余硅量均有所增加,生物碳模板向多孔SiC陶瓷的转变使显气孔率从93.14%降至86.03%。

多级结构SiC纤维制备及电化学性能研究

鉴于中空和表面多级结构有助于提升超级电容器电极材料电化学储能性能,以正硅酸四乙酯(TEOS)为硅源,以PVP为助纺剂,运用静电纺丝结合碳热还原技术制备出中空Si C纤维,并采用渗硅技术在Si C纤维表面构筑出球形纳米颗粒的多级结构。研究表明,采用静电纺丝结合碳热还原可以得到具有中空结构、连续性好且结晶程度较高的β-Si C纤维,其比电容为22 F/g。采用渗硅工艺可在β-Si C纤维表面生长球形颗粒多级结构,提升其电化学性能,使其具有较大比电容,为54 F/g。