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温度梯度溶液生长法制备x=0.2的Cd_(1-x)Zn_xTe晶体及性能研究
被引量:
1
1
作者
王东
闵嘉华
+5 位作者
梁小燕
孙孝翔
刘伟伟
李辉
张继军
王林军
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期1277-1280,共4页
利用温度梯度溶液生长法(TGSG)在较低生长温度下制备了掺Al和掺In的x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体,晶体起始生长温度约为1223K,温度梯度为20~30K/cm,坩埚的下降速度为1mm/h。采用红外显微镜、傅里叶红外光谱仪、扫描电镜能谱仪(SEM/EDS)和I-V...
利用温度梯度溶液生长法(TGSG)在较低生长温度下制备了掺Al和掺In的x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体,晶体起始生长温度约为1223K,温度梯度为20~30K/cm,坩埚的下降速度为1mm/h。采用红外显微镜、傅里叶红外光谱仪、扫描电镜能谱仪(SEM/EDS)和I-V测试分别研究了晶体中的Te夹杂相、红外透过率、Zn组分分布和电阻率。结果显示CdZnTe晶锭初始生长区、稳定生长区的Te夹杂相密度分别为8.3×103、9.2×103/cm-2,比垂直布里奇曼法生长的晶体低约1个数量级,红外透过率分别为61%、60%。Al掺杂CdZnTe晶体的电阻率为1.05×106Ω.cm,而In掺杂CdZnTe晶体的电阻率为7.85×109Ω.cm。晶锭初始生长区和稳定生长区的Zn组分径向分布均匀。
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关键词
碲锌镉
温度梯度溶液生长法
红外透过率
Te夹杂
下载PDF
职称材料
题名
温度梯度溶液生长法制备x=0.2的Cd_(1-x)Zn_xTe晶体及性能研究
被引量:
1
1
作者
王东
闵嘉华
梁小燕
孙孝翔
刘伟伟
李辉
张继军
王林军
机构
上海大学材料科学与工程学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期1277-1280,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(10675080
50902091)
上海市重点学科资助项目(S30107)
文摘
利用温度梯度溶液生长法(TGSG)在较低生长温度下制备了掺Al和掺In的x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体,晶体起始生长温度约为1223K,温度梯度为20~30K/cm,坩埚的下降速度为1mm/h。采用红外显微镜、傅里叶红外光谱仪、扫描电镜能谱仪(SEM/EDS)和I-V测试分别研究了晶体中的Te夹杂相、红外透过率、Zn组分分布和电阻率。结果显示CdZnTe晶锭初始生长区、稳定生长区的Te夹杂相密度分别为8.3×103、9.2×103/cm-2,比垂直布里奇曼法生长的晶体低约1个数量级,红外透过率分别为61%、60%。Al掺杂CdZnTe晶体的电阻率为1.05×106Ω.cm,而In掺杂CdZnTe晶体的电阻率为7.85×109Ω.cm。晶锭初始生长区和稳定生长区的Zn组分径向分布均匀。
关键词
碲锌镉
温度梯度溶液生长法
红外透过率
Te夹杂
Keywords
CdZnTe
TGSG
IR transmission
Te inclusion
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
温度梯度溶液生长法制备x=0.2的Cd_(1-x)Zn_xTe晶体及性能研究
王东
闵嘉华
梁小燕
孙孝翔
刘伟伟
李辉
张继军
王林军
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
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