Tm:YAG晶体光谱的温度特性及荧光的温度淬灭

通过测量不同温度下ＴｍＹＡＧ晶体的吸收光谱、荧光光谱和荧光寿命发现，温度是影响ＴｍＹＡＧ晶体光谱特性的重要因素。温度升高不仅引起ＴｍＹＡＧ晶体吸收光谱、荧光光谱的加宽和新光谱线的产生，而且引起荧光淬灭现象的发生。

液体闪烁测量中常被忽略而引入很大误差的问题

液体闪烁测量所用的闪烁液多种多样 ,而淬灭校正曲线往往只有一二种 ,闪烁液与淬灭校正曲线之间的不匹配 ,可以在测量中引入 10 %左右的误差 ,甚至更高。

离子注入制备掺Er富硅氧化硅材料光致发光

利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温度的变化。试验表明:在1173K以上退火,注入硅集聚,形成φ(2-4)nm的纳米晶硅(nc-Si),纳米晶硅外面包裹非晶硅(a-Si),注入的Er离子分布在非晶硅中。通过非晶硅与硅纳米晶相耦合,非晶硅吸收部分硅纳米晶对Er的激发能量,降低了Er的激发效率;在T>150K时,激发态Er与非晶硅间的能量背迁移降低了Er的发光效率。