MoS_(2)势垒层磁性隧道结的温度-偏压特性研究

MoS_(2)是一种具有特殊能带结构的二维半导体材料,当层数较少时,其带隙会随层数显著减小。因此,基于MoS_(2)势垒层的磁性隧道结会展现出更丰富的物理特性。文章通过理论计算分别得到了单层、双层、三层以及五层MoS_(2)势垒层磁性隧道结的温度-偏压相图,研究了铁磁电极半交换劈裂能对相图特性的影响。计算结果表明:单层和三层MoS_(2)势垒层磁性隧道结适合应用于低温器件中。其中,单层MoS_(2)势垒层磁性隧道结在高功率工作环境下具有优异的性能。双层MoS_(2)势垒层磁性隧道结的优化区域位于室温和低偏压区,因此适用于信息存储领域。五层MoS_(2)势垒层磁性隧道结可通过调节铁磁电极参数使其工作在较宽的功率范围内。上述研究结果为MoS_(2)势垒层磁性隧道结的应用奠定了坚实的理论基础。