基于势阱近似的小尺寸MOSFETs反型层解析模型

将垂直于栅氧化层/衬底界面方向的反型层电势分布规律近似为耗尽层的电势分布规律,采用WKB近似方法求解薛定谔方程,得到了量子机制下分析MOSFETs反型层的解析模型,进而对Al/SiO2/p-Si MOSFETs能级、子带电子密度和反型层质心进行了模拟计算,并将模拟结果与数值自洽结果进行了比较,模拟结果较好地与数值自洽结果相吻合。