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光诱导约束刻蚀体系中羟基自由基生成的影响因素
被引量:
4
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作者
胡艳
方秋艳
+4 位作者
周剑章
詹东平
时康
田中群
田昭武
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期2392-2398,共7页
采用荧光分析,暂态光电流响应分析,电化学交流阻抗谱(EIS)和Mott-Schottky响应分析考察了外加电位,光照时间,溶液pH等几个关键因素对光诱导约束刻蚀体系中TiO2纳米管阵列表面游离OH生成的影响.结果表明:当外加电位为1.0 V时,光电协同产...
采用荧光分析,暂态光电流响应分析,电化学交流阻抗谱(EIS)和Mott-Schottky响应分析考察了外加电位,光照时间,溶液pH等几个关键因素对光诱导约束刻蚀体系中TiO2纳米管阵列表面游离OH生成的影响.结果表明:当外加电位为1.0 V时,光电协同产生游离OH效率最高;OH的光催化生成与消耗能很快达到稳态,形成稳定的约束刻蚀剂层,有利于保持刻蚀过程中的精度;当pH为10时,TiO2纳米管光催化产生游离OH效率最高.研究结果对于调控和优化光诱导约束刻蚀平坦化铜的溶液体系,提高铜的刻蚀速度或平坦化精度有重要的指导意义.
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关键词
光诱导约束刻蚀
游离·oh
荧光检测
光电协同效应
TIO2纳米管阵列
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职称材料
题名
光诱导约束刻蚀体系中羟基自由基生成的影响因素
被引量:
4
1
作者
胡艳
方秋艳
周剑章
詹东平
时康
田中群
田昭武
机构
厦门大学化学化工学院化学系
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期2392-2398,共7页
基金
国家自然科学基金(91023043,21021002,91023006)资助项目~~
文摘
采用荧光分析,暂态光电流响应分析,电化学交流阻抗谱(EIS)和Mott-Schottky响应分析考察了外加电位,光照时间,溶液pH等几个关键因素对光诱导约束刻蚀体系中TiO2纳米管阵列表面游离OH生成的影响.结果表明:当外加电位为1.0 V时,光电协同产生游离OH效率最高;OH的光催化生成与消耗能很快达到稳态,形成稳定的约束刻蚀剂层,有利于保持刻蚀过程中的精度;当pH为10时,TiO2纳米管光催化产生游离OH效率最高.研究结果对于调控和优化光诱导约束刻蚀平坦化铜的溶液体系,提高铜的刻蚀速度或平坦化精度有重要的指导意义.
关键词
光诱导约束刻蚀
游离·oh
荧光检测
光电协同效应
TIO2纳米管阵列
Keywords
Photo-induced confined etching
Free ·
oh
Fluorescence detection Photo-electro-synergistic effect
TiO2 nanotube array
分类号
O644.1 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光诱导约束刻蚀体系中羟基自由基生成的影响因素
胡艳
方秋艳
周剑章
詹东平
时康
田中群
田昭武
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2013
4
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