用正电子湮没技术研究不同化学成分的二元TiAl合金中的微观缺陷

测量了铝含量从 4 7at%到 5 3at%的二元TiAl合金的正电子寿命谱。结果表明 :所有测试合金晶界缺陷的开空间均大于金属Al单空位的开空间。富Al的TiAl合金 ,其晶界缺陷的开空间随Al含量的增加而增大 ;晶界处的电子密度随Al含量的增加而降低。富Ti的TiAl合金 ,随着Ti含量的增加 ,其晶界 (或相界 )缺陷的开空间减小 ,晶界处的电子密度增高 ,使得晶界结合力增强。富Ti的TiAl合金中形成了α2 (Ti3Al) +γ(TiAl)层状结构双相组织使相界面增多 ,导致正电子陷阱数增加。讨论了合金的微观结构对其力学性能的影响。

用正电子湮没技术研究Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响

测量Al,Si,Ti,Cr,Nb等纯元素以及Ti50Al50,Ti50Al48Cr2,Ti50Al48Nb2合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得金属及合金中d电子和缺陷的信息。结果表明,二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大。在TiAl合金中加入Cr或Nb,合金中的d-d电子作用增强,基体和晶界处的电子密度均增加。Ti50Al48Cr2合金的多普勒展宽谱的d电子信号高于Ti50Al48Nb2合金。讨论了Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响。

正电子湮没技术原理及应用

主要介绍了正电子湮没技术的基本原理、基本实验方法,并对正电子湮没在点阵缺陷、相结构与相转变、非晶和纳米晶合金研究中的应用作了简单说明.

正电子湮没技术（PAT）在高分子材料中的应用（上）

本文引用７０多篇文献，综述了正电子湮没技术（主要是正电子湮没寿命技术）近１０年来在高分子材料各个领域中的应用。

用正电子湮没技术研究稀土对16Mn钢回复过程的影响

应用正电子湮没多普勒展宽技术研究了含不同稀土量的16Mn钢的回复过程。实验结果表明,稀土元素的存在使S参数迅速下降,这可能是由于稀土元素对间隙杂质原子的吸引减少了杂质原子对位错的封锁以及稀土对钢质的净化作用所致。在再结晶温度下,湮没特征表现为连续回复过程。

正电子湮没技术在稀磁半导体中的应用

稀磁半导体材料可以同时利用电子的电荷属性和自旋属性,这使其成为了一个研究的热点。但是,针对它们的室温铁磁性的起源仍然存在较大的争议。文章通过介绍正电子湮没技术及其在表征材料缺陷中的独特应用,讨论了正电子湮没技术在研究氧化物稀磁性半导体室温铁磁性起源中的独特优势。

正电子湮没技术用于新型硫铝酸盐基无宏观缺陷水泥的研究

探索了正电子湮没技术(positron annihilation technique,PAT)测定硫铝酸盐基无宏观缺(macro-defect-free,MDF)水泥中微细孔的实验方法。结果表明:正电子湮没中等寿命成分(τ2≈330 Ps)的强度I2随水泥中微细孔(<250 A)等的增加而有规律地增大,因此可用I2的大小来表征硫铝酸盐基MDF水泥的密实程度和结构完整性。同时,还将实验结果与水银压入法(mercury instrusion porosimeter,MIP)测试结果进行了对比。

正电子湮没技术在高聚物中的应用

本文介绍了正电子湮没技术的原理、技术方法 ,在自由体积测试方面的应用 ,以及国内研究进展。

基于正电子湮没技术的材料空位型缺陷行为研究

正电子湮没技术能够快速、精确、无损地对材料内部微观缺陷进行探测.将慢正电子束多普勒展宽能谱仪引入实验教学,选取核聚变堆壁材料金属钨为测试对象,调节正电子束能量,采集正电子在钨中湮没产生的γ光子信号.通过对γ光子多普勒展宽能谱进行处理分析,获得辐照前后样品近表面空位型缺陷数量随深度的变化规律,使学生掌握基于正电子湮没技术研究材料缺陷行为的实验技能.

低T_cPTC材料的研制及正电子湮没技术的应用

研制出一种低T_c(约0℃)PTC材料,选择最佳工艺,得到了较好的PTC效果。并利用正电子湮没技术对该材料电阻率与掺杂含量曲线中的U形部分作出了合理解释。

正电子湮没技术(PAT)的开发与应用(五)——样品测试与正电子湮没寿命谱的解谱分析

一、正电子源和样品实验中所用正电子源为^(22)Na,^(22)Na的β^+衰变放出一个正电子,过3PS后放出1.28Me_v的γ射线,因为3PS相对于正电子寿命来说可以忽略,所以用1.28Mev的γ射线产生的时刻作为所研究事件的起始时间是合理的.正电子进入样品后的热化时间也只有几个PS,所以用1.28Mev和0.511Mev的两种γ射线间的时间间隔代表正电子湮没寿命也是合理的.由于^(22)Na有起始γ射线作为时间零点,加上^(22)Na的半衰期长,约为2.6年,使用方便,β^+衰变效率高,所以是理想的正电子源.本实验用的^(22)Na源,系用^(22)NaCl密封于几个μm厚的镍箔或密勒(Mylar)膜内,再将源夹于两个相同的样品之间,形成所谓的“夹层”排到.这样会有一部分正电子在镍箔或密勒膜中湮没,精确测量时,可在计算机程序中扣除^(22)Na源的载体效应.本实验源强为8μci.

用正电子湮没技术研究微量铝对铁基非晶态合金的影响

用正电子湮没技术研究了七种铁基非晶态合金,结果表明铝含量高的合金的正电子湮没参数大于铝含量低的合金,意味着铝的存在会造成铁基非晶态合金微观结构的不均匀性,很可能是较多的类空位缺陷出现。

用正电子湮没技术研究NTDInP中的诱生缺陷

采用正电子湮没技术对中子嬗变掺杂（ Ｎ Ｔ Ｄ） 后的磷化铟（ Ｉｎ Ｐ） 材 料进行了分析。 Ｎ Ｔ Ｄ Ｉｎ Ｐ 样品经退火后的低温实验结果表明，其正电子平均寿命均随温度升高而缩短。对掺 Ｓｎ的 Ｉｎ Ｐ 样品进行的低温实验也反映出同样的变化规律。文章分析了这一现象，并研究了嬗变后 Ｉｎ Ｐ

正电子湮没技术在涂料领域的应用

正电子湮没技术(PAS)作为一种新型的探测手段,近年在研究高分子材料的自由体积等方面获得了很大成功,在涂料领域γ射线多普勒增宽能谱被发现能够很好地研究涂料的老化机理,通过调节入射正电子的能量还可以得到不同深度涂层的自由体积变化和老化程度,综述了PAS技术在涂料中的应用。

应用于聚合物中的正电子湮没寿命谱技术

正电子湮没寿命谱技术是一种新型聚合物结构探测与表征技术 ,针对此技术在聚合物自由体积研究中的应用 ,首先介绍了该技术的基本原理和应用理论 ,接着针对寿命谱数据的处理手段和计算方法 ,对国内外的研究进展进行了概述和总结 ,最后展示了该技术在聚合物材料研究中用于基本理论。

B位空位补偿型钐掺杂PZT(54/46)陶瓷中的缺陷分析及其对压电性能的影响

-用固相反应法制备了B位空位补偿型钐掺杂非准同型相界组分PZT(54/46)陶瓷.通过正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽能谱(CDBS)对陶瓷中的缺陷结构进行综合表征,结合常规表征手段如X射线衍射(XRD),电子扫描显微镜(SEM),介电、铁电和压电性能测量,研究缺陷对陶瓷压电性能的影响.XRD结果显示所有陶瓷均为纯钙钛矿相,掺杂诱导了菱方-四方(R-T)相变,准同型相界位于Sm掺杂量x=0.010.02.电学测量结果反映:介电、铁电和压电性能均先增强后减弱,MPB附近两个样品都有优异的介电和铁电性能,但其压电性能差别很大.x=0.01给出最优压电性能d_(33)=572 p C/N,较未掺杂样品增强了一倍.PALS结果表明掺杂使陶瓷中缺陷类型发生变化,x≤0.01,样品中同时含有A位空位与B位空位;x≥0.02,样品中以A位相关缺陷为主,B位空位浓度很低.CDBS结果进一步证实x=0.01和0.02中B位空位浓度分别是该体系中最高和最低的.由以上结果推断出:x=0.01获得的最优压电性能与其中较高浓度的B位空位有关,B位空位可稀释A位空位浓度,降低氧空位浓度,从而降低A位空位与氧空位形成缺陷偶极子的几率,促进畴壁运动,使压电性能增强.

LaFe_(1-y)Cu_yO_3 光催化还原性能与正电子湮没的研究

用柠檬酸络合法合成了纳米级钙钛矿型LaFe1-yCuyO3复合氧化物,并以其为光催化剂进行CO2-3的光催化还原实验,研究其光催化还原活性。利用正电子湮没技术分析掺杂对LaFe1-yCuyO3光催化活性的影响。结果表明:纳米LaFe1-yCuyO3具有光催化还原活性,在其悬浮体系中CO2可以被还原为甲酸、甲醛等有机基本原料。根据正电子寿命谱分析结果,其光催化还原活性的强弱与掺杂引起的缺陷结构有关。

照相明胶层中金催化的无电沉积的正电子湮没研究

采用正电子湮没技术（ＰＡＴ）研究了照相明胶中的自由体积空穴在无电沉积过程中的作用机理．研究 结果表明，活化饱和后，照相明胶的自由体积空穴的平均尺寸约减小０．０１１ｎｍ３，相当于一个 Ａｕ原子的体 积的大小，即照相明胶大分子中的每个自由体积空穴平均被填充了一个Ａｕ原子，该Ａｕ原子作为催化活性 核催化铜的沉积，使物理显影生成的影像为紧密铜粒子的堆积形貌，而不是丝状形貌．铜经无电沉积饱和 后，照相明胶的自由体积空穴的平均大小约减小了 ０．０２０ ｎｍ３，即照相明胶的自由体积空穴对铜物理显影过 程中铜的沉积没有阻碍作用，铜无电沉积近似为各向同性的球状堆积．

确定离子型晶体极性正负方向的新技术

系统地介绍一项用正电子湮没寿命谱学法确定离子型晶体极性正负方向的新技术，该技术可用于极性离子型晶体的生产。

高活性β-C_2S的正电子湮没研究

用正电子湮没技术(PAT)研究了不同热处理温度下合成的高活性β-C_2S的正电子湮没寿命谱。分析了高活性β-C_2S中对正电子捕获态寿命产生影响的主要因素,并按照正电子捕获理论,从实验所得寿命谱参数对高活性β-C_2S的结构缺陷特征进行了讨论。结果表明,寿命谱中的τ_2成分主要来自晶粒边界和高活性β-C_2S内部本身的结构缺陷。τ_2的强度I_2随热处理温度的提高而减小,说明温度升高,晶界和结构缺陷均减少。实验表明,正电子湮没技术亦可用于一些超细多晶材料。