超声波湿式清洗技术和干式清洗技术的探讨

介绍了新兴的超声波干式清洗技术,并将其与较为成熟的超声波湿式清洗技术在清洗原理,应用领域和优缺点方面进行了综合比较,并对干式清洗技术的发展前景作出展望。

基于湿式清洗机的搬运机械臂精度设计

湿式清洗机是集成电路制造的关键装备,具有强腐蚀性的内部作业环境、运行性能要求高等特点,这对其搬运系统的设计提出了较高的要求。根据湿式清洗机和直角坐标式机械臂的特点,提出了基于丝杠和齿轮齿条为驱动结构的机械臂精度设计方案;对机械臂上主要机械部件的规格和安装调试方案进行了详细设计;使用了模块化的安装基板在4 m以上的行程情况下实现了较高的行走精度。通过在无尘室内的安装调试,验证了该精度设计方案的可行性。

Miele WetCare湿式清洗机

Miele公司曾在1991年和全球洗涤剂制造商Kreussler共同研制出湿式清洗。湿式清洗经过二十年的检验被认为是具有高质量高性能的系统。经过不断的创新，Miele公司的温法清洗系统是公认的全球性能领先。近日．Miele公司针对干洗店推出具有WetCare系统的湿式清洗机．这款产品是Miele推出的第三代湿式清洗机。

空调通风系统清洗规范的制定和理解

从空调清洗市场容量、国际同行业发展情况、疾病控制等方面说明国标GB19210—2003《空调通风系统清洗规范》的制定背景,简要阐述了标准的适用范围、制定宗旨。以标准的宣贯和推广为主要目的,以国标为基础材料,对空调通风系统清洗前的检查要求、清洗的前提条件、清洗方法、工程环境控制要求、隔离防护措施、清洗装备要求、工程施工计划制定及清洗效果检查验收要求和验收标准等方面进行了详细的阐述。

SEZ盛邀世界级行业专家GLENN GALE出任FEOL清洗项目部副总裁

奥地利VILLACH(维拉赫)和瑞士苏黎世，2005年6月27日讯-半导体业界中单晶圆湿式清洗技术市场领先者和首要的技术创新者SEZ(瑟思)集团宣布，诚邀Glenn Gale博士出任新创立部门一前段工艺过程(FEOL)清洗项目部副总裁职位，负责管理SEZ集团全球FEOL清洗制程工艺。在全球客户的范围内，指导公司FEOL清洗解决方案的引进和实施，集中关注围绕65nm和45nm技术标准的直接需求。

φ300mm硅片抛光后清洗工艺的挑战——清除深亚微米颗粒的方案

随着半导体制造业的工艺进步,线宽尺寸的不断减小,对表面覆膜硅片清洗的质量要求也变得越来越严格。当前这类清洗涵盖了从硅片表面有效地去除深亚微米颗粒(<100nm)和将金属杂质数量控制在1E+10(原子)个?cm2以下这两项要求。传统的洗刷机(Scrubber)清洗方式及兆声波缸槽式湿法清洗工艺正面临这些新的不断深化的工艺技术要求的挑战。根据最新《国际半导体技术指南(ITRS)》对提高硅片表面加工水平和深亚微米颗粒去除能力要求,论证了能同时实现上述目标的清洗方法。这个方法采用以传统缸槽整批处理式湿法清洗机台和单片兆声波清洗机相结合的方案,整批处理式湿法机台的沉浸技术被应用于包括去有机膜、去原生氧化层和去金属杂质的硅片表面处理。与之相比,单片兆声波清洗通过提供一个均衡的兆声波能场,增强了去除深亚微米颗粒的能力,从而更高质量地完成硅片表面清洗。为了验证这种方法的有效性,对φ300mm再生抛光片进行上述清洗工艺的效果评定。

300mm圆片后抛光清洗——满足纳米微粒去除的挑战(英文)

随着半导体制造关键尺寸的继续缩小,硅片表面清洗要求变得更加严格。当前这一要求包括有效地去除硅片表面的纳米微粒(<100nm),并控制主要金属杂质不超过1E+10原子/cm^2。传统的擦片机和兆声湿式批量清洗工艺面临达到这些目标的挑战。单片清洗澡机在硅片表面产生更加均匀的声强分布,更有效地去除了纳米微粒。介绍了湿式批量洗洗机和单片清洗澡机的兆声清洗效果。湿式批量浸泡术和兆声能量单片清洗机结合可以有效地去80mm磨料微粒。

半导体化学溶液的浓度控制

在半导体制造工艺中,湿法清洗和刻蚀技术是其中重要的组成部分。文章着重介绍了半导体湿法清洗和刻蚀技术中化学品的化学配比和相关用途,并且重点讲述了化学品浓度控制的重要性及其常用的控制方式。