用Mssbauer谱研究Zn_2SnO_4的湿敏机理

本文用 Mssbauer 谱学方法,对半导体陶瓷 Zn_2SnO_4的湿敏机理做了分析,得出结论:Sn 原子对Zn_2SnO_4的湿敏机理是有贡献的,Zn_2SnO_4湿敏机理是电子离子混合型传导,作为湿敏机理分析方法,M(?)ssbauer 谱是比较合适的。

SnO_2-LiZnVO_4系纳米湿敏陶瓷湿敏特性研究

采用共沉淀法制备出SnO2-L iZnVO4系纳米湿敏粉体,考察了液相掺杂L iZnVO4对材料湿敏特性的影响,并从氧化物表面的吸附理论出发,给出了反映湿敏特性的微观参数n值,湿敏线性越好的材料其微观参数n值与0.5越靠近。实验结果表明:适当的L iZnVO4液相掺杂可使材料具有低湿电阻小、灵敏度适中的特性。理论计算得到的阻湿特性参数与实验结果符合得很好。

还原温度对氧化石墨官能团、结构及湿敏性能的影响

基于氧化石墨具有多种官能团，研究了还原温度对氧化石墨结构及湿敏性能的影响。在不同温度下，对改进Hummers法制备的高氧化程度氧化石墨薄膜进行了还原，制备了不同温度条件下还原的氧化石墨薄膜湿敏元件。采用FTIR、XRD和Raman对实验样品的官能团及结构变化属性进行表征分析。结果表明：石墨被氧化后，碳原子结构层上接入-OH、环氧基、C=0和COOH官能团，底面间距增大至0．9084nm；利用热还原法制备石墨烯的过程中，随着还原温度的升高，氧化石墨官能团逐渐热解．石墨化区域逐渐恢复但其相对尺寸减小．缺陷增多．氧化石墨的底面间距沿C轴方向由0．9084nm逐渐减小到0．4501nm：且不同温度还原的氧化石墨薄膜的电阻从10.32MΩ减小至41．1Ω。在11.3％～93．6％相对湿度范围内．不同温度还原的氧化石墨薄膜湿敏元件的电阻随湿度升高而显著减小；氧化石墨还原程度越高，响应时间越长，脱附时间越短；150℃还原的氧化石墨薄膜湿敏元件具有最佳的湿敏性能．

碳纳米管薄膜湿度传感器及其机理

制备了以碳纳米管薄膜为湿敏元件的湿度传感器,研究了薄膜湿敏元件的感湿特性.实验中所用碳纳米管由化学气相沉积法(CVD)合成.实验结果表明,用酸处理后的多壁碳纳米管制得的薄膜湿敏元件的感湿范围宽、灵敏度高、湿滞回差小、响应时间快、稳定性好,可望成为一类新型的湿度传感器.对湿敏机理进行了讨论.

氧化锌多孔空心微球湿敏性能的直交流分析

以枸橼酸钠为表面活性剂,采用共沉淀法制备了氧化锌(ZnO)空心微球.利用X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对样品的微结构和表面形貌进行了表征.将ZnO空心球旋涂在金叉指电极上构成湿敏元件.通过半导体测试仪Keithley2400和高精度数字电桥TH2828测量湿敏元件在不同湿度环境中的直流电阻、交流电容和交流阻抗.结果表明,随着湿度的增加,元件的电阻减小,交流电容和阻抗增大(低频范围).通过ZnO空心球在不同湿度环境下复阻抗谱,给出等效电路并解释其湿敏机制.