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UMOSFET功率器件漏电失效分析及工艺改善
1
作者
李秀然
刘宇
+2 位作者
王鹏
李秀莹
沈思杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期627-632,共6页
针对U型沟槽MOSFET(UMOSFET)功率器件栅极和源极间发生漏电失效的问题,对失效器件进行了电学测试和缺陷检测,对失效现象和失效机理进行了分析,并进行了相关工艺模拟和工艺实验。采用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和...
针对U型沟槽MOSFET(UMOSFET)功率器件栅极和源极间发生漏电失效的问题,对失效器件进行了电学测试和缺陷检测,对失效现象和失效机理进行了分析,并进行了相关工艺模拟和工艺实验。采用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)对失效芯片的缺陷进行分析和表征。结果表明,器件的U型沟槽底部栅氧化层存在的缺陷是产生漏电的主要原因,湿氧工艺中反应气体反式二氯乙烯(TransLC)的残留碳化造成了芯片栅氧层中的缺陷。通过工艺模拟和实验,优化了湿氧工艺条件,工艺改进后产品的成品率稳定在98%~99%,无漏电失效现象。
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关键词
U型沟槽MOSFET(UMOSFET)
漏电失效
湿氧工艺
场
氧
化层
反式二氯乙烯(Trans_LC)
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职称材料
题名
UMOSFET功率器件漏电失效分析及工艺改善
1
作者
李秀然
刘宇
王鹏
李秀莹
沈思杰
机构
上海华虹宏力半导体制造有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期627-632,共6页
文摘
针对U型沟槽MOSFET(UMOSFET)功率器件栅极和源极间发生漏电失效的问题,对失效器件进行了电学测试和缺陷检测,对失效现象和失效机理进行了分析,并进行了相关工艺模拟和工艺实验。采用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)对失效芯片的缺陷进行分析和表征。结果表明,器件的U型沟槽底部栅氧化层存在的缺陷是产生漏电的主要原因,湿氧工艺中反应气体反式二氯乙烯(TransLC)的残留碳化造成了芯片栅氧层中的缺陷。通过工艺模拟和实验,优化了湿氧工艺条件,工艺改进后产品的成品率稳定在98%~99%,无漏电失效现象。
关键词
U型沟槽MOSFET(UMOSFET)
漏电失效
湿氧工艺
场
氧
化层
反式二氯乙烯(Trans_LC)
Keywords
U-shaped trench MOSFET (UMOSFET)
leakage failure
wet oxide process
filed oxide layer
trans-dichloroethylene (Trans_LC)
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
UMOSFET功率器件漏电失效分析及工艺改善
李秀然
刘宇
王鹏
李秀莹
沈思杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
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